一种光谱响应的微纳米结构

1.本技术属于微纳米结构技术领域，尤其涉及一种光谱响应的微纳米结构。本专利要求申请号为202111051048.1，申请日期为2021年9月8日的专利的要求优先权。背景技术：2.光学中的太赫兹频段是指频率在0.1～10thz(波长为3000～30μm)范围内的电磁波，其电磁响应因在医学传感、生物科学、安检、无损检测等领域的广泛应用而备受关注。然而，现有的太赫兹器件受到天然材料非线性特性的限制。于是，基于图案化微纳结构的光学芯片被广泛地应用于提高太赫兹器件的性能，可通过适当地调整其几何结构来控制亚波长尺度上的电磁波，其介电常数和磁导率可以通过其周期性单元的几何形状、尺寸和组成进行人工设计，并且可以通过进行尺寸调整以在整个电磁光谱中工作，包括微波、太赫兹、红外、可见光。一般来说，几何尺寸较小的微纳结构可在能量较高、波长较短的频段具有响应。由于微加工技术的局限性，基于微纳结构的光学器件最初是在微波等大波长范围内实现的。随着制备技术的突破，太赫兹波段的器件才得以实现大规模制备，其在理想吸收体、负折射率、金属材料、隐身器件等领域得到广泛的研究。3.现有基于微纳结构的光学器件虽然能够实现较好的特性，但是一旦器件制备完成，其特性将无法被改变，这将大大限制器件的适用性以及集成度，于是，可主动调控的光学器件成为研究的热电。已有多种调控机制被应用于主动调控微纳结构，现有的调控机制主要有液晶调控、激光泵浦调控、相变材料调控等，是通过改变材料内部特性以调控其光学响应，然而，在现有的可调控微纳米结构中，由于是通过改变材料的内部属性，如热量、载流子浓度等，来达到调控其光学响应的目的，这些结构将受限于天然材料的非线性效应，其光学调控范围都很有限。而且，现有微纳结构的光谱都只在单个波段具有共振响应，无法满足复杂光学器件的设计的需求。技术实现要素：4.基于此，本技术提供了一种光谱响应的微纳米结构，利用基于微机电系统技术制得的电热式致动器阵列，可实现可调谐和多功能的太赫兹波应用。5.本技术提供了一种光谱响应的微纳米结构，包括衬底和悬臂；6.所述悬臂的一端与所述衬底的表面连接，所述悬臂的另一端与所述衬底不连接；7.所述悬臂的形状为弧形；所述悬臂的表面设有微纳米图案；8.所述衬底的表面设有粗糙结构；9.所述悬臂为至少两层的复合结构，获取所述悬臂的当前层数，基于所述悬臂的当前层数以获取对应的悬臂的曲率半径计算模型，然后根据所述悬臂的曲率半径计算模型，计算对应的悬臂的曲率半径；根据所述悬臂的曲率半径夹角和所述对应的悬臂的曲率半径，计算对应的悬臂的弯曲高度。10.另一实施例中，所述悬臂的层数为两层；11.所述悬臂的曲率半径计算模型的公式为：12.所述悬臂的曲率半径为r，所述悬臂的弯曲高度其中，t为所述悬臂制造过程中产生的温度差绝对值，α2为所述悬臂的第二层材料的热膨胀系数，α1为所述悬臂的第一层材料的热膨胀系数，e2为所述悬臂的第二层材料的杨氏模量，e1为所述悬臂的第一层材料的杨氏模量，t2为所述悬臂的第二层材料的厚度，t1为所述悬臂的第一层材料的厚度，i2为所述悬臂的第二层材料的面积惯性矩，i1为所述悬臂的第一层材料的面积惯性矩，h为所述悬臂的弯曲高度，θ为所述悬臂的曲率半径夹角。13.具体的，本技术通过在面层材料之间施加电压，使得面层材料内部有电流流过，从而产生大量电阻热，使得悬臂结构的温度急剧升高，与其制备过程相反，将使悬臂产生恢复到平面的趋势，使得衬底上的悬臂向下弯曲到衬底上。14.另一实施例中，所述悬臂的层数为三层；15.所述悬臂的曲率半径计算模型的公式为：16.所述悬臂的曲率半径为r，17.所述悬臂的弯曲高度其中，t为所述悬臂制造过程中产生的温度差绝对值，α3为所述悬臂的第三层材料的热膨胀系数，α2为所述悬臂的第二层材料的热膨胀系数，α1为所述悬臂的第一层材料的热膨胀系数，e3为所述悬臂的第三层材料的杨氏模量，e2为所述悬臂的第二层材料的杨氏模量，e1为所述悬臂的第一层材料的杨氏模量，t3为所述悬臂的第三层材料的厚度，t2为所述悬臂的第二层材料的厚度，t1为所述悬臂的第一层材料的厚度，i3为所述悬臂的第三层材料的面积惯性矩，i2为所述悬臂的第二层材料的面积惯性矩，i1为所述悬臂的第一层材料的面积惯性矩，h为所述悬臂的弯曲高度，θ为所述悬臂的曲率半径夹角。18.另一实施例中，所述衬底的材质选自硅、石英玻璃、蓝宝石、绝缘体上硅或氮化镓硬衬底中的一种。19.具体的，本技术的衬底的表面通过现有常规手段使其设有粗糙结构，例如可采用腐蚀性物质作用衬底表面，使其粗糙，腐蚀性物质可以为腐蚀性气体、液体或固体等，例如sf6腐蚀的反应气体。20.另一实施例中，所述悬臂的材质包括底层材料和面层材料。21.另一实施例中，所述底层材料选自二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝、光刻胶、环氧树脂绝缘材料中的一种或多种。22.另一实施例中，所述面层材料为具有电导率以及磁导率的材料。23.具体的，本技术的具有电导率与磁导率的材料可使得悬臂通电后产生热量，通过热量驱动悬臂与衬底的弯曲高度，从而控制悬臂凸出于衬底的高度；或者额外施加磁场，促使悬臂定向弯曲，从而控制悬臂凸出于衬底的高度。24.可见，本技术通过采用不同材料，实现光谱响应的微纳米结构的多种驱动机制，如电磁式驱动悬臂的机制以及电热式驱动悬臂的机制。25.另一实施例中，所述面层材料为金属、金属氧化物和半导体材料中的一种或多种。26.另一实施例中，所述金属选自金、银、铝、铜、锡、镍、铂和钯中的一种或多种；所述金属氧化物选自氧化锌、氧化钨、氧化钼、氧化钒和氧化铝中的一种或多种；所述半导体材料选自硅、氮化镓和砷化镓中的一种或多种。27.具体的，所述底层材料可以选择多种；所述面层材料可以选择多种，所述底层材料和所述面层材料以层状结构层叠在一块，形成悬臂。28.另一实施例中，对所述悬臂施加0～1.4v直流电压，所述悬臂距离所述衬底的弯曲高度为10～160μm。29.另一实施例中，所述微纳米图案为圆环形、类圆环形和十字形中的一种或多种。30.具体的，本技术的光谱响应的微纳米结构的制备方法为现有常规的制备方法，只要可在衬底上制得符合上述曲率半径计算模型的悬臂即可，如采用化学气相沉积法在衬底上沉积底层材料，然后通过金属镀膜技术在底层材料上设置面层材料，在衬底上设置悬臂结构，然后通过刻蚀技术在悬臂的一端刻蚀一个开口，通过各向同性气体刻蚀工艺对悬臂开口下方的衬底结构刻蚀，使得悬臂的一端与衬底的表面连接，悬臂的另一端与衬底不连接，最终悬臂得到释放，突出于衬底的方式设置在该衬底上。31.具体的，本技术提供的光谱响应的微纳米结构可应用于全电磁光谱(例如，可见光、红外光、太赫兹与微波)的光电子器件领域中。32.具体应用场景举例：33.1.成像。通过电压调控光强，实现明暗变化以成像。在可见光波段，则可表现为颜色变化，实现成像应用。34.2.光探测。入射光的光强未知，通过电压调控微纳米结构可控制入射光的透射率，通过比对透射光强的比值能够探测得到入射光的光强，由于采用比对法，探测到的光强受环境干扰较小，准确度高。35.3.光开关。通过电压调控微纳米结构可控制入射光的透射率，以实现光的全透射和无透射，十分适合用作于光开关。36.4.光调制器。通过电信号调控光强，以实现将电信号调制在光强信号上，实现电光调制。37.需要说明的是，本技术可对微纳结构的几何尺寸进行直接调控，可显著调高本技术微纳米结构可调控的范围，实现主动调控包括共振频率、强度、极化等在内的多种特性，实现可工作于多个频段的光学特性；本技术微纳米结构可设计成双频、三频甚至五频等多频段的共振特性以满足实际需求以及提高适用性；本技术微纳米结构的衬底的表面设有粗糙结构，可防止悬臂完全吸附在衬底表面，避免悬臂因吸附力过大而吸附在衬底表面无法恢复问题。38.基于微机电系统技术，本技术提供了一种光谱响应的微纳米结构，本技术包括衬底和悬臂，本技术的悬臂为可发生形变的弧形悬臂，对悬臂施加电压后，悬臂的弧度会发生改变。衬底与悬臂形成可移动的可调控光谱的电热式致动器；控制通过悬臂的直流电压，可使原本向上翘高的悬臂向下弯曲，趋于变成平面，减小电压又可使悬臂向上翘起，于是通过电压就可以调控悬臂的弯曲高度。由于面层材料和底层结构的热膨胀系数不匹配，悬臂在释放后将向上弯曲。本技术的悬臂上通过制作各式各样的微纳米图案，针对实际需求可设计出单频、双频以及多频器件。39.综上所述，通过微机电系统技术制备本技术的光谱响应的微纳米结构，本技术是一种微型致动器来实现出平面式的可动结构，对微纳米图案的几何尺寸进行直接调控，即可实现大范围的光学调控。同时，本技术的光谱响应的微纳米结构，可通过施加电压的大小，通过产生热量或磁性来对悬臂进行旋转，可进行光学响应进行往复式、连续式的调控，使得光谱响应能够更加自由地被人为控制，以更加方便地应用于各种场景中。附图说明40.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍。41.图1为本技术实施例提供的光谱响应的微纳米结构的结构示意图；42.图2为本技术实施例提供的不同尺寸和不同形状的微纳米图案的光谱响应曲线；43.图3为图1的微纳米结构的悬臂的弯曲高度变化与衬底之间的夹角变化曲线；44.图4为本技术实施例提供的光谱响应的微纳米结构的制备流程图。具体实施方式45.本技术提供了一种光谱响应的微纳米结构，用于解决现有的微纳米结构中，受限于天然材料的非线性效应，其光学调控范围都很有限，而且其光谱都只在单个波段具有共振响应，无法满足复杂光学器件的设计的需求的技术缺陷。46.下面将结合附图对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术实施例一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术实施例中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术实施例保护的范围。47.在本技术实施例的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术实施例的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。48.在本技术实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个组件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术实施例中的具体含义。49.以下实施例所用原料或试剂均为市售或自制。50.以下实施例中“出平面式”表示突出于平面，即现有的可调控微纳米结构中，出平面式致动器一般是致动器突出于衬底的方式设置在该衬底上。51.本技术的致动器表示能将电压的能量转换为机械能的驱动装置；致动器也就是本技术的悬臂，本技术的悬臂通过在面层材料之间施加电压，使得面层材料内部有电流流过，从而产生大量电阻热，使得悬臂结构的温度急剧升高，与其制备过程相反，将使悬臂产生恢复到平面的趋势，使得衬底上的悬臂向下弯曲到衬底上，本技术的悬臂作为致动器，通过施加电压的电能转换为材料内部的热能，热能再转化为驱动悬臂弯曲的机械能。52.请参阅图1，图1为本技术实施例提供的光谱响应的微纳米结构的结构示意图，如图1所示，图1中一种光谱响应的微纳米结构，包括衬底1和悬臂2；悬臂2的一端与衬底1的表面连接，悬臂2的另一端与衬底1不连接；悬臂2的形状为弧形；悬臂2的表面设有微纳米图案2a；衬底1的表面设有粗糙结构；悬臂2为至少两层的复合结构，获取悬臂2的当前层数，基于悬臂的当前层数以获取对应的悬臂的曲率半径计算模型，然后根据悬臂的曲率半径计算模型，计算对应的悬臂的曲率半径；根据悬臂的曲率半径夹角和对应的悬臂的曲率半径，计算对应的悬臂的弯曲高度。53.本技术的衬底1设有粗糙结构，粗糙结构可利用各向同性感应耦合等离子体蚀刻技术形成，直接利用衬底1作为牺牲层，以sf6为各向同性腐蚀的反应气体。通过这种技术以使衬底1的表面变得非常粗糙，可以防止悬臂2完全吸附在衬底1的表面，避免现有的可调控微纳米结构中，出现的出平面式致动器因施加电压超过阈值而导致致动器吸附于衬底无法恢复的问题，这将降低器件的可靠性的技术问题。54.本技术的微纳米图案2a的图案可以为现有的图案，微纳米图案2a的尺寸为现有常规图案的尺寸。本技术的微纳米图案2a基于其特殊的形状、几何形状决定了其有效折射率neff和阻抗指数zeff，使得入射光在到达微纳米图案2a的表面时会产生耦合，在特定的波段形成滤波或者吸收的特性。可见，本技术可通过对微纳米图案2a的微纳米图案进行适当的几何变换，它可以在红外乃至太赫兹等波段的不同波长进行调谐，使得微纳米图案2a能够在特定的吸收光谱下对待测物产生响应。此外，合理设计的结构在宽光谱范围内可同时对多个待测物吸收峰有响应，以实现多种应用，例如对气体的检测。55.具体的，悬臂2为弯曲的悬臂梁，请参阅图1，本技术的悬臂2为可发生形变的弧形悬臂，对悬臂2施加电压后，悬臂2的弧度会发生改变。衬底1与悬臂3形成可移动的可调控光谱的电热式致动器；增大通过悬臂2的直流电压，可使原本向上翘高的悬臂2向下弯曲，减小电压又可使悬臂2向上翘起，于是通过电压就可以调控悬臂3的弯曲高度。56.具体的，悬臂2的层数为两层；57.悬臂2的曲率半径计算模型的公式为：58.悬臂2的曲率半径为r，悬臂2的弯曲高度其中，t为悬臂2制造过程中产生的温度差绝对值，α2为悬臂2的第二层材料的热膨胀系数，α1为悬臂2的第一层材料的热膨胀系数，e2为悬臂2的第二层材料的杨氏模量，e1为悬臂2的第一层材料的杨氏模量，t2为悬臂2的第二层材料的厚度，t1为悬臂2的第一层材料的厚度，i2为悬臂2的第二层材料的面积惯性矩，i1为悬臂2的第一层材料的面积惯性矩，h为悬臂2的弯曲高度，θ为悬臂2的曲率半径夹角。59.具体的，α2的数值比α1的数值大。60.具体的，衬底1的材质选自硅、石英玻璃、蓝宝石、绝缘体上硅或氮化镓硬衬底中的一种。61.具体的，衬底1的材质为硅片。62.具体的，悬臂2的材质包括底层材料和面层材料。63.具体的，底层材料选自二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝、光刻胶、环氧树脂绝缘材料中的一种或多种。64.具体的，底层材料为氮化硅。65.具体的，面层材料为金属、金属氧化物和半导体材料中的一种或多种。66.具体的，金属选自金、银、铝、铜、锡、镍、铂和钯中的一种或多种；金属氧化物选自氧化锌、氧化钨、氧化钼、氧化钒和氧化铝中的一种或多种；半导体材料选自硅、氮化镓和砷化镓中的一种或多种。67.具体的，面层材料为金。68.具体的，悬臂2包括氮化硅层和金层(au)，金层设置在氮化硅层的表面，悬臂3的曲率半径r和弯曲高度h可通过上述公式计算得到。69.本技术的悬臂2为弧形悬臂，悬臂2的曲率半径为r，70.悬臂2的弯曲高度其中，t为悬臂2制造过程中产生的温度差绝对值，α2为悬臂2的绝缘层材质的热膨胀系数，α1为悬臂2的导电层材质的热膨胀系数，e2为悬臂2的绝缘层材质的杨氏模量，e1为悬臂2的导电层材质的杨氏模量，t2为悬臂2的绝缘层材质的厚度，t1为悬臂2的导电层材质的厚度，i2为悬臂2的绝缘层材质的面积惯性矩，i1为悬臂2的导电层材质的面积惯性矩，h为悬臂2的弯曲高度，θ为悬臂2的曲率半径夹角。71.具体的，悬臂2的层数为三层；72.悬臂2的曲率半径计算模型的公式为：73.悬臂2的曲率半径为r，74.悬臂2的弯曲高度其中，t为悬臂2制造过程中产生的温度差绝对值，α3为悬臂2的第三层材料的热膨胀系数，α2为悬臂2的第二层材料的热膨胀系数，α1为悬臂2的第一层材料的热膨胀系数，e3为悬臂2的第三层材料的杨氏模量，e2为悬臂2的第二层材料的杨氏模量，e1为悬臂2的第一层材料的杨氏模量，t3为悬臂2的第三层材料的厚度，t2为悬臂2的第二层材料的厚度，t1为悬臂2的第一层材料的厚度，i3为悬臂2的第三层材料的面积惯性矩，i2为悬臂2的第二层材料的面积惯性矩，i1为悬臂2的第一层材料的面积惯性矩，h为悬臂2的弯曲高度，θ为悬臂2的曲率半径夹角。75.具体的，悬臂2的层数为三层时，悬臂2的材料包括一层底层材料和两层面层材料，面层材料分为中层和表层，表层材料的热膨胀系数-中层材料的热膨胀系数-底层材料的热膨胀系数要大于0，即α3-α2-α1的数值大于0，例如为光刻胶/金/氮化硅的三层悬臂结构。76.需要说明的是，本技术的悬臂2的层数可以为四层、五层、六层、七层或八层，悬臂2的曲率半径计算模型的公式如上述二层或三层曲率半径计算模型的计算方式类似，本技术不作具体赘述。77.具体的，对悬臂施加0～1.4v直流电压，悬臂距离所述衬底的弯曲高度为10～160μm。78.具体的，微纳米图案为圆环形、类圆环形和十字形中的一种或多种。79.请参阅图4，本技术的提供的光谱响应的微纳米结构的制备流程，包括：80.如图4(a)所示，在硅衬底1上通过化学气相沉积系统(chemical vapor deposition system,cvd)沉积一层氮化硅或者二氧化硅2-1。以氮化硅为例子，如图4(b)所示，在氮化硅2-1上通过光刻胶甩胶、曝光、金属镀膜、去胶工艺，可制作好一层经过图案化的金层2-2。接下来，类似地，如图4(c)所示，在经过光刻胶甩胶、曝光、反应离子刻蚀(reactive ion etching,rie)、去胶工艺，可对氮化硅层2-1进行选择性地刻蚀以作开口，方便后续对底层的硅衬底1进行刻蚀。最后，如图4(d)所示，通过各向同性气体刻蚀工艺，对开口下的硅衬底1进行刻蚀，同时也是对悬臂的释放过程，在悬臂完全释放(悬臂下的硅衬底1被完全刻蚀)后，悬臂的一端将会由应力作用而向上弯曲，上述悬臂由氮化硅2-1和金层2-2组成，微纳米图案设置在金层2-2表面，至此，便完成了本技术微纳米结构的制备流程。所以说，本技术的悬臂2凸出于衬底1部分是制程工艺结束后释放的结构。需要说明的是，本技术的光谱响应的微纳米结构的制备方法并不限于上述制备方法，现有可制得本技术所要保护的微纳米结构的方法均可，本技术不作具体赘述。81.实施例182.请参阅图2，本技术的微纳米图案2a为十字形或圆形。本技术的微纳米图案2a为周期性阵列分布。本技术的微纳米图案2a对红外线波段至太赫兹波段进行调谐。83.具体的，本技术的悬臂2为矩形，在悬臂2分别设置不同尺寸的十字形或圆形，分别为尺寸较大的十字形a，尺寸较小的十字形b，尺寸较小的环形c，尺寸较大的环形d。84.测定上述不同尺寸和不同形状的微纳米图案的光谱响应曲线，结果如图2所示，尺寸较小的环形c在波长在3.5μm附近具有很强的光学响应，尺寸较大的环形d在波长在18～19μm具有很强的光学响应，尺寸较大的十字形a在0.6thz附近具有很强的光学响应，尺寸较小的十字形b在1.7thz附近具有很强的光学响应。85.具体的，尺寸较大的十字形a对小于1太赫兹波段的光谱响应，尺寸较小的十字形b对大于1太赫兹波段的光谱响应，尺寸较小的环形c对近红外线波段的光谱响应，尺寸较大的环形d对中远红外线波段的光谱响应。86.图2的结果表明，本技术的微纳米图案2a为可调控光谱响应的微纳米图案，因此，本技术的装置可用于实现灵敏度高、可应用范围广的传感器。87.实施例288.请参阅图1，本技术的微纳米图案2a为十字形。本技术的微纳米图案2a为周期性阵列分布。本技术的微纳米图案2a对红外线波段至太赫兹波段进行调谐。悬臂2包括氮化硅层和金层(au)，金层设置在氮化硅层的表面，悬臂2的曲率半径r和弯曲高度h可通过上述公式计算得到。89.本技术的悬臂2为弧形悬臂，悬臂2的曲率半径悬臂2的弯曲高度其中，t为悬臂2制造过程中产生的温度差绝对值，α2为悬臂2的氮化硅的热膨胀系数，α1为悬臂2的金材质的热膨胀系数，e2为悬臂2的氮化硅材质的杨氏模量，e1为悬臂2的金材质的杨氏模量，t2为悬臂2的氮化硅材质的厚度，t1为悬臂2的金的厚度，i2为悬臂2的氮化硅的面积惯性矩，i1为悬臂2的金材质的面积惯性矩，h为悬臂2的弯曲高度，θ为悬臂2的曲率半径夹角。90.对本技术实施例的光谱响应的微纳米结构施加0～1.4v的直流电压，测定悬臂2的弯曲高度，悬臂2与衬底1之间的夹角，结果如图3所示。91.如图3所示，在本技术的光谱响应的微纳米结构上施加0v至1.4v的直流电压时，随着直流电压增大，悬臂2的弯曲高度减少(悬臂2的弯曲高度变化如图3黑色曲线)；随着直流电压增大，悬臂2与衬底1之间的夹角减少(悬臂2与衬底1之间的夹角变化如图3蓝色曲线)，可见，悬臂2将可倾斜至60°，实现10°至60°范围内的倾斜，本技术的光谱响应的微纳米结构可对多个方向上的待测物敏感，如入射光(或气体)，最终实现对多个方向上待测物实现高灵敏度的检测的传感器应用。因此，本技术的光谱响应的微纳米结构的悬臂2可通过电压调控实现结构可动可调控，可通过悬臂2的转动，以使悬臂2上的微纳米图案2a进行旋转，以实现对多个方向上待测物实现高灵敏度的检测。92.综上所述，本技术的光谱响应的微纳米结构通过悬臂的结合实现微纳米图案可转动和可调控，可将微纳米图案进行旋转，以实现对多个方向上待测物实现高灵敏度的检测。93.本技术的说明书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。94.应当理解，在本技术中，“至少一个(项)”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，用于描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，“a和/或b”可以表示：只存在a，只存在b以及同时存在a和b三种情况，其中a，b可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中得至少一项(个)，可以表示：a，b，c，“a和b”，“a和c”，“b和c”，或“a和b和c”，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。95.以上所述，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。