一种临时键合的载片结构的解键合方法与流程
- 国知局
- 2024-07-27 12:43:53
1.本发明涉及微纳加工技术领域,尤其涉及一种临时键合的载片结构的解键合方法。背景技术:2.随着微纳加工技术领域的发展,对各种器件集成度和性能也越来越高,因此为了满足这些器件的小型化的要求,通常通过将晶圆和晶圆或芯片和晶圆进行层层堆叠,以能提高芯片或者相应电子器件的集成度。一般需要将器件进行减薄工艺,但超薄晶圆具有柔性和易碎性、易翘曲和起伏等特点不方便后续工艺操作,需要先将器件晶圆用临时键合材料键合到较厚的载片上,利用该载片来实现对薄晶圆的支撑和转移,同时可以防止薄晶圆变形,在完成晶圆背面工艺后再将载片从薄晶圆上分离。3.目前的解键合方法通常是直接将整块键合完的晶圆放在化药里浸泡,由于载片与晶圆之间粘接较为严密,化药溶液较难渗透到里面,导致解键合时间较长,且解键合后的晶圆表面通常有键合胶固体残留难以清洗干净。在化药浸泡过程中对于一些脆性及悬臂梁式的超薄器件目前的工艺并不适合,尤其对于洁净度要求较高的光学器件,此步骤会损失很多良品,导致良率下降。技术实现要素:4.鉴于现有技术存在的不足,本发明提供了一种临时键合的载片结构的解键合方法,所述解键合方法包括:5.在载片结构的晶圆的预设区域内形成通孔;6.将所述载片结构倒置于支撑件上,使所述支撑件与所述载片结构之间的接触区域位于所述通孔内,所述接触区域小于所述通孔的面积;7.将所述载片结构和所述支撑件浸泡在解键合溶液中,并搅拌所述解键合溶液,溶解所述载片结构的所述晶圆和载片之间的临时键合胶。8.优选地,将所述载片结构和所述支撑件浸泡在解键合溶液中,并搅拌所述解键合溶液的方法包括:9.在搅拌缸内放置磁性搅拌子;10.利用第一清洗花篮盖住所述磁性搅拌子;11.在所述第一清洗花篮上放置所述载片结构和所述支撑件;12.利用第二清洗花篮盖住所述载片结构和所述支撑件;13.在所述搅拌缸内倒入所述解键合溶液,使所述载片结构和所述支撑件浸泡在所述解键合溶液中;14.将所述搅拌缸放置于磁力搅拌器上,通过所述磁力搅拌器向所述磁性搅拌子提供旋转驱动力。15.优选地,所述支撑件包括支撑板和设置在所述支撑板上的定位柱,所述定位柱的径向截面面积小于所述通孔的面积。16.优选地,所述载片为硅衬底、玻璃衬底、soi衬底之一。17.优选地,所述解键合溶液的温度大于50℃。18.优选地,所述磁性搅拌子的旋转速率大于80rad/s。19.优选地,所述第一清洗花篮和所述第二清洗花篮由聚四氟乙烯来制成。20.优选地,所述搅拌缸由石英来制成。21.与现有技术相比,本发明提供的临时键合的载片结构的解键合方法,在载片结构的晶圆的预设区域上形成通孔,以此来增加键合胶与解键合溶液之间的接触面积,从而使解键合溶液能够容易浸润键合胶,提高了溶解键合胶的速度。而且,在解键合过程中,支撑件经过晶圆上的通孔来制成整个载片结构,因此,当晶圆和载片分离之后晶圆或落在支撑件上,而载片持续被支撑件所支撑,从而加快了剩余键合胶的溶解速度。22.此外,通过搅拌解键合溶液来加快键合胶的溶解速度的同时,通过解键合溶液的流动来防止键合胶颗粒沉积到晶圆表面,提高了晶圆表面的洁净度,以便于后续工艺的进行。附图说明23.图1是根据本发明的实施例的临时键合的载片结构的解键合方法的流程图;24.图2是根据本发明的实施例的临时键合的载片结构的解键合方法的操作示意图。具体实施方式25.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本发明的实施方式仅仅是示例性的,并且本发明并不限于这些实施方式。26.在此,还需要说明的是,为了避免因不必要的细节而模糊了本发明,在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤,而省略了与本发明关系不大的其他细节。27.针对背景技术中的现有技术问题,本实施例提供了如下具体方案。28.如图1所示,本实施例提供了一种临时键合的载片结构的解键合方法,该解键合方法包括:29.步骤s1、在载片结构的晶圆的预设区域内形成通孔。30.步骤s2、将所述载片结构倒置于支撑件上,使所述支撑件与所述载片结构之间的接触区域位于所述通孔内,所述接触区域小于所述通孔的面积。31.步骤s3、将所述载片结构和所述支撑件浸泡在解键合溶液中,并搅拌所述解键合溶液,溶解所述载片结构的所述晶圆和载片之间的临时键合胶。32.与现有技术相比,本实施例的临时键合的载片结构的解键合方法,在载片结构的晶圆的预设区域上形成通孔,以此来增加键合胶与解键合溶液之间的接触面积,从而使解键合溶液能够容易浸润键合胶,提高了溶解键合胶的速度。而且,在解键合过程中,支撑件经过晶圆上的通孔来制成整个载片结构,因此,当晶圆和载片分离之后晶圆或落在支撑件上,而载片持续被支撑件所支撑,从而加快了剩余键合胶的溶解速度。不仅如此,通过搅拌解键合溶液来加快键合胶的溶解速度的同时,通过解键合溶液的流动来防止键合胶颗粒沉积到晶圆表面,提高了晶圆表面的洁净度,以便于后续工艺的进行。33.优选地,结合图2所示,在本实施例中,将所述载片结构a和所述支撑件b浸泡在解键合溶液中,并搅拌所述解键合溶液的方法包括:34.步骤s31、在搅拌缸1内放置磁性搅拌子2;其中,所述搅拌缸1由石英来制成。35.步骤s32、利用第一清洗花篮3(图中未示出多个通孔)盖住所述磁性搅拌子2;其中,所述第一清洗花篮3由聚四氟乙烯来制成。36.步骤s33、在所述第一清洗花篮3上放置所述载片结构a和所述支撑件b。37.步骤s34、利用第二清洗花篮4(图中未示出多个通孔)盖住所述载片结构a和所述支撑件b;其中,所述第二清洗花篮4由聚四氟乙烯来制成。38.步骤s35、在所述搅拌缸1内倒入所述解键合溶液(图中未示出),使所述载片结构a和所述支撑件b浸泡在所述解键合溶液中;其中,所述解键合溶液的温度大于50℃。39.步骤s36、将所述搅拌缸1放置于磁力搅拌器(图中未示出)上,通过所述磁力搅拌器向所述磁性搅拌子2提供旋转驱动力;其中,所述磁性搅拌子2的旋转速率大于80rad/s。40.具体地,本实施例的所述支撑件b包括支撑板b1和设置在所述支撑板b1上的定位柱b2。将所述载片结构a倒置在所述支撑件b上时,所述定位柱b2位于所述晶圆a1的所述通孔a内。所述定位柱b2的径向截面面积小于所述通孔a的面积。所述载片结构a的所述载片a2优选为硅衬底、玻璃衬底、soi衬底之一。41.需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。42.尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240726/123278.html
版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容, 请发送邮件至 YYfuon@163.com 举报,一经查实,本站将立刻删除。
下一篇
返回列表