一种组合传感器和电子设备的制作方法
- 国知局
- 2024-07-27 13:01:27
本技术涉及电子设备,更具体地,本技术涉及一种组合传感器和电子设备。
背景技术:
1、随着科技的发展,电子设备在日常应用中越来越广泛,而电子设备通常集成有诸多功能,例如对声音、气压、振动等信号的感测功能,以满足用户的各种需求。
2、在现有技术中,电子设备中通常通过设置多种传感器进行各类信号的感测,但在电子设备内设置多个具有单独感测功能的传感器,势必会占用较多的位置空间,不利于电子设备小型化的设计需求。
技术实现思路
1、本实用新型的一个目的是提供一种组合传感器和电子设备的新的技术方案。
2、根据本实用新型的第一方面,提供一种组合传感器,包括:
3、pcb和外壳,所述外壳固定在所述pcb的一侧,并与所述pcb形成第一腔室;
4、第一asic芯片和第一mems芯片,所述第一asic芯片埋设于所述pcb内层,所述第一mems芯片设置于所述pcb上,并位于所述第一腔室内,所述第一asic芯片和所述第一mems芯片连接;
5、第二asic芯片和第二mems芯片,所述第二asic埋设于所述pcb内层,所述第二mems芯片设置于所述pcb上,并位于所述第一腔室内,所述第二asic芯片和所述第二mems芯片连接。
6、可选地,所述组合传感器还包括振动组件,所述振动组件设置于所述pcb上,并位于所述第一腔室内;
7、所述振动组件能够感测外部的振动信号,并通过所述第一asic芯片和第一mems芯片将所述振动信号转换为电信号输出。
8、可选地,所述振动组件包括内壳、支撑部、振膜和质量块;
9、所述支撑部设置于所述pcb上,所述内壳固定于所述支撑部上,且所述支撑部、所述内壳与所述pcb形成第二腔室;
10、所述振膜的边缘固定设置于所述内壳和所述支撑部之间,所述质量块设置于所述振膜上以使所述质量块悬置,所述振膜、所述质量块和所述第一mems芯片均位于所述第二腔室内。
11、可选地,所述第一asic芯片位于所述第一mems芯片的正下方。
12、可选地,所述支撑部和所述质量块采用黄铜、锌白铜或不锈钢材料制成。
13、可选地,所述质量块、振膜和所述支撑部之间分别通过胶水粘接固定。
14、可选地,所述外壳上设置有与外部连通的通气孔,所述第二mems芯片能够通过所述通气孔感测外部的气压信号,并通过所述第二asic芯片转换为电信号输出。
15、可选地,所述第二asic芯片位于所述第二mems芯片的正下方。
16、可选地,所述pcb内层设置有第一凹槽和第二凹槽,所述第一asic芯片和所述第二asic芯片分别粘接固定在所述第一凹槽和所述第二凹槽内。
17、根据本实用新型的第二方面,提供一种电子设备,包括第一方面所述的组合传感器。
18、本实用新型的一个技术效果在于,本申请通过将第一mems芯片和第二mems芯片集成在pcb和外壳形成的第一腔室内,使得组合传感器能够实现两种感测功能,并且将第一asic芯片和第二asic芯片分别埋设于pcb的内层,降低了产品的装配难度,减小了产品的尺寸。
19、通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述,本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。
技术特征:1.一种组合传感器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的组合传感器,其特征在于,还包括振动组件,所述振动组件设置于所述pcb上,并位于所述第一腔室内;
3.根据权利要求2所述的组合传感器,其特征在于,所述振动组件包括内壳、支撑部、振膜和质量块;
4.根据权利要求3所述的组合传感器,其特征在于,所述第一asic芯片位于所述第一mems芯片的正下方。
5.根据权利要求3所述的组合传感器,其特征在于,所述支撑部和所述质量块采用黄铜、锌白铜或不锈钢材料制成。
6.根据权利要求3所述的组合传感器,其特征在于,所述质量块、振膜和所述支撑部之间分别通过胶水粘接固定。
7.根据权利要求1所述的组合传感器,其特征在于,所述外壳上设置有与外部连通的通气孔,所述第二mems芯片能够通过所述通气孔感测外部的气压信号,并通过所述第二asic芯片转换为电信号输出。
8.根据权利要求7所述的组合传感器,其特征在于,所述第二asic芯片位于所述第二mems芯片的正下方。
9.根据权利要求1所述的组合传感器,其特征在于,所述pcb内层设置有第一凹槽和第二凹槽,所述第一asic芯片和所述第二asic芯片分别粘接固定在所述第一凹槽和所述第二凹槽内。
10.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1-9任意一项所述的组合传感器。
技术总结本技术涉及一种组合传感器和电子设备。所述组合传感器,包括:PCB、外壳、第一ASIC芯片、第一MEMS芯片、第二ASIC芯片和第二MEMS芯片,所述外壳固定在所述PCB的一侧,并与所述PCB形成第一腔室;所述第一ASIC芯片埋设于所述PCB内层,所述第一MEMS芯片设置于所述PCB上,并位于所述第一腔室内,所述第一ASIC芯片和所述第一MEMS芯片连接;所述第二ASIC埋设于所述PCB内层,所述第二MEMS芯片设置于所述PCB上,并位于所述第一腔室内,所述第二ASIC芯片和所述第二MEMS芯片连接。本技术提供的组合传感器具有多种感测功能,且装配难度低,尺寸小,适用于具有小型化需求的电子设备。技术研发人员:齐利克,周中恒,闫文明受保护的技术使用者:歌尔微电子股份有限公司技术研发日:20230530技术公布日:2024/1/15本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240726/124571.html
版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容, 请发送邮件至 YYfuon@163.com 举报,一经查实,本站将立刻删除。