半导体封装及其制造方法与流程

本揭露是有关一种半导体封装及其制造方法。

背景技术：

1、由于各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在很大程度上，这种集成密度的提高来自于反复减小最小特征尺寸(例如，将半导体工艺节点缩小到次纳米节点)，这允许将更多部件整合到给定区域中。随着对小型化、更高速度和更大带宽、更低功耗和更低延迟的需求增长，越来越需要更小、更有创意的半导体晶粒的封装技术。

技术实现思路

1、根据本揭露的一些实施例，一种制造半导体封装的方法包括在第一基板上形成包含多个装置的半导体晶粒，其中第一基板包含第一浓度的掺杂剂。此方法包括将第一基板的背面接合至第二基板，其中第二基板包含大于第一浓度的第二浓度的掺杂剂。此方法包括分割半导体晶粒以形成半导体封装。此方法还包括修整半导体封装，使得第一基板具有第一宽度并且第二基板具有第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度。

2、根据本揭露的一些实施例，一种制造半导体封装的方法。此方法包括在第一基板上形成包括多个装置特征的半导体晶粒，其中第一基板包含第一浓度的掺杂剂。此方法包括将第一基板的背面与第二基板熔合，其中第二基板包含大于第一浓度的第二浓度的掺杂剂。此方法包括在切割接合至第二基板的半导体晶粒以形成半导体封装。此方法还包括蚀刻半导体封装的多个侧壁，其中蚀刻此些侧壁的步骤包含相对于第二基板选择性地蚀刻第一基板。

3、根据本揭露的一些实施例，一种半导体封装包括晶粒，此晶粒包含在第一基板上的多个装置，其中第一基板包含第一浓度的掺杂剂，并且其中第一基板沿水平方向具有第一宽度。此半导体封装还包括第二基板，此第二基板与第一基板熔合，其中第二基板包含大于第一浓度的第二浓度的掺杂剂。第二基板沿水平方向具有第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度。

技术特征：

1.一种半导体封装的制造方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一基板包含具有正交晶体结构的一第一半导体材料，并且该第二基板包含具有单斜晶体结构的一第二半导体材料。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中修整该半导体封装的步骤包含：

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在执行修整的步骤之后执行一湿蚀刻工艺。

5.一种半导体封装的制造方法，其特征在于，包括：

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中该第一基板和该第二基板包含掺杂硼的硅。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中该半导体封装还包含在所述多个装置特征之上的一硬遮罩，并且其中蚀刻所述多个侧壁的步骤将该硬遮罩从该半导体封装移除。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中蚀刻所述多个侧壁的步骤包含循环执行等向性蚀刻工艺、沉积工艺及异向性蚀刻工艺。

9.一种半导体封装，其特征在于，包括：

10.如权利要求9所述的半导体封装，其特征在于，其中所述多个装置包含至少一个微机电系统装置。

技术总结一种半导体封装及其制造方法，半导体封装包括晶粒，此晶粒包含在第一基板上的多个装置，其中第一基板包含第一浓度的掺杂剂，并且其中第一基板沿水平方向具有第一宽度。此半导体封装还包括第二基板，此第二基板与第一基板熔合，其中第二基板包含大于第一浓度的第二浓度的掺杂剂。第二基板沿水平方向具有第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度。技术研发人员：毛隆凯,吕文雄,李培玮,李思宪,冯玠宁受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/6