MEMS芯片封装结构及电子设备的制作方法

本申请涉及芯片封装，尤其涉及一种mems芯片封装结构及电子设备。

背景技术：

1、常用技术中的mems(micro-electro-mechanical system，微机电系统)芯片封装一般采用塑封材料进行封装，由封装引入的机械应力是由封装的塑封材料和mems芯片的热膨胀系数不同，导致温度变化引起mems芯片与封装材料间的不等量体积变化而引起的应力。热应力的引入会导致对应力敏感的mems结构产生不正常形变，从而抑制mems器件的分辨率、灵敏度和稳定性等性能参数；特别严重时会导致器件失效。

2、因此，需要对现有技术进行改进。

技术实现思路

1、本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种mems芯片封装结构及电子设备。

2、根据本申请的一方面，本申请提供一种mems芯片封装结构，包括：基板、壳体、mems芯片以及asic芯片，所述基板与所述壳体固定连接以形成腔体，所述mems芯片和所述asic芯片均位于所述腔体内；

3、其中，所述基板面向所述壳体的一侧设置有支撑结构，所述支撑结构包括支撑部和连接部，在所述基板的厚度方向上，所述支撑部与所述基板之间具有间隙，所述支撑部连接在所述连接部的远离所述基板的一侧，所述mems芯片与所述支撑部固定连接，所述asic芯片位于所述支撑部与所述基板之间的间隙内。

4、进一步地，所述支撑结构的材质为硅。

5、可选地，所述支撑结构为悬臂梁结构或者支架结构。

6、进一步地，所述支撑结构通过粘接剂与所述基板固定连接。

7、进一步地，在所述基板的厚度方向上，所述mems芯片和所述asic芯片的投影交叠。

8、进一步地，所述asic芯片上设置有植球，所述asic芯片通过植球焊接的方式与所述基板电连接。

9、进一步地，所述植球的排布设置呈中心对称。

10、进一步地，所述基板为pcb基板。

11、进一步地，所述基板上设置有第一焊盘，所述mems芯片上设置有第一输出端子，所述第一输出端子通过金属引线键合的方式与所述基板上的第一焊盘电连接，所述asic芯片通过布设在所述基板上的走线与所述第一焊盘电连接。

12、进一步地，所述mems芯片为惯性传感器芯片。

13、进一步地，所述壳体为金属壳体。

14、进一步地，在所述支撑部的朝向mems芯片的一侧表面设置有应力释放槽，其中，所述应力释放槽包括十字梁结构或者环形结构。

15、根据本申请的另一方面，提供一种电子设备，包括前述任一所述的mems芯片封装结构。

16、采用本申请实施例提供的mems芯片封装结构及电子设备能够减少mems芯片与pcb基板之间的接触面积，因此，一定程度上减少高过载冲击带来的应力传递，提高mems芯片整体抗高过载能力。

技术特征：

1.一种mems芯片封装结构，其特征在于，包括：基板、壳体、mems芯片以及asic芯片，所述基板与所述壳体固定连接以形成腔体，所述mems芯片和所述asic芯片均位于所述腔体内；

2.如权利要求1所述的mems芯片封装结构，其特征在于，

3.如权利要求1所述的mems芯片封装结构，其特征在于，

4.如权利要求1所述的mems芯片封装结构，其特征在于，

5.如权利要求1所述的mems芯片封装结构，其特征在于，

6.如权利要求5所述的mems芯片封装结构，其特征在于，

7.如权利要求6所述的mems芯片封装结构，其特征在于，

8.如权利要求1所述的mems芯片封装结构，其特征在于，

9.如权利要求8所述的mems芯片封装结构，其特征在于，

10.如权利要求1所述的mems芯片封装结构，其特征在于，

11.如权利要求1所述的mems芯片封装结构，其特征在于，

12.如权利要求1所述的mems芯片封装结构，其特征在于，

13.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至12中任意一项所述的mems芯片封装结构。

技术总结本申请公开了一种MEMS芯片封装结构及电子设备。包括：基板、壳体、MEMS芯片以及ASIC芯片，所述基板与所述壳体固定连接以形成腔体，所述MEMS芯片和所述ASIC芯片均位于所述腔体内；其中，所述基板面向所述壳体的一侧设置有支撑结构，所述支撑结构包括支撑部和连接部，在所述基板的厚度方向上，所述支撑部与所述基板之间具有间隙，所述支撑部连接在所述连接部的远离所述基板的一侧，所述MEMS芯片与所述支撑部固定连接，所述ASIC芯片位于所述支撑部与所述基板之间的间隙内。采用本申请提供的技术方案，减少了MEMS芯片与基板之间的接触面积，可在一定程度上减少高过载冲击带来的应力传递，提高了MEMS芯片整体抗高过载能力。技术研发人员：庄瑞芬,胡维,李刚受保护的技术使用者：苏州敏芯微电子技术股份有限公司技术研发日：20230815技术公布日：2024/2/19