一种改良联结结构的MEMS芯片的制作方法

本技术涉及一种mems芯片封装技术，尤其涉及一种针对mems芯片隔绝底部残余应力变形、优化输出特性的联结结构。

背景技术：

1、mems芯片是指微机电系统（micro-electro-mechanical systems）芯片，也被称为微机电系统集成电路。它通过微纳制造技术将微小的机械部件制造在芯片表面上，并与电路元件相互连接。这些微小的机械结构可以实现感应、测量、控制和执行等功能。mems芯片的应用非常广泛，涉及移动设备、汽车领域、医疗设备、工业控制、消费电子、环境监测等，其中mems声学器件也用于扬声器和麦克风等音频设备中，提供更好的音频体验。

2、为实现上述应用所设计的各项功能，在相关器件的电路板中，mems芯片需要与asic芯片及衬底基板双向连接并固化成一体。如图1所示，现有常规工艺中普遍利用胶水4高温固化联结asic芯片3、mems芯片2与衬底基板1。这样容易产生较大的残余应力，影响mems芯片的温度特性；另一方面其中所用胶水为高分子材料，在长期使用过程中易产生老化效应，从而引起mems芯片的输出特性漂移。这些都极大地限制了mems芯片在各行各业的推广应用。

技术实现思路

1、本实用新型的目的旨在提出一种改良联结结构的mems芯片，旨在优化mems芯片封装后的抗变形能力。

2、本实用新型实现上述目的的技术解决方案是，一种改良联结结构的mems芯片，与mems芯片、衬底基板及asic芯片一体封装相关联，其特征在于：在所述mems芯片的底部生成有一个以上凸点，并以凸点为联结点，与衬底基板相连成一体。

3、进一步地，所述凸点为mems芯片底部局部保留并周边刻蚀减薄而成型的部分本体。

4、进一步地，所述凸点为mems芯片底部局部生长的多晶硅。

5、进一步地，对应单颗mems芯片的封装，mems芯片底部所设一个以上凸点至少通过胶粘或共晶焊接与衬底基板平面联结。

6、进一步地，对应两颗以上mems芯片的复合封装，全部mems芯片顶部通过胶粘共联于一个asic芯片之下，每个mems芯片底部所设一个以上凸点至少通过胶粘或共晶焊接与衬底基板平面联结。

7、应用本实用新型的mems芯片结构微调，所具备的技术效果为：通过mems芯片底部生成凸点并与衬底基板平面联结，且固结点强度接近芯片材料本身特性，提高了联结可靠性，降低了胶水粘接及衬底基板热膨胀系数差异导致的残余应力对芯片变形及输出特性的影响。

技术特征：

1.一种改良联结结构的mems芯片，与mems芯片、衬底基板及asic芯片一体封装相关联，其特征在于：在所述mems芯片的底部生成有一个以上凸点，并以凸点为联结点，与衬底基板相连成一体。

2.根据权利要求1所述改良联结结构的mems芯片，其特征在于：所述凸点为mems芯片底部局部保留并周边刻蚀减薄而成型的部分本体。

3.根据权利要求1所述改良联结结构的mems芯片，其特征在于：所述凸点为mems芯片底部局部生长的多晶硅。

4.根据权利要求1所述改良联结结构的mems芯片，其特征在于：对应单颗mems芯片的封装，mems芯片底部所设一个以上凸点至少通过胶粘或共晶焊接与衬底基板平面联结。

5.根据权利要求1所述改良联结结构的mems芯片，其特征在于：对应两颗以上mems芯片的复合封装，全部mems芯片顶部通过胶粘共联于一个asic芯片之下，每个mems芯片底部所设一个以上凸点至少通过胶粘或共晶焊接与衬底基板平面联结。

技术总结本技术揭示了一种改良联结结构的MEMS芯片，与MEMS芯片、衬底基板及ASIC芯片一体封装相关联，特别在该MEMS芯片的底部生成有一个以上凸点，并以凸点为联结点，与衬底基板相连成一体。应用本MEMS芯片的结构微调，并使固结点强度接近芯片材料本身特性，提高了联结可靠性，降低了胶水粘接及衬底基板热膨胀系数差异导致的残余应力对芯片变形及输出特性的影响。技术研发人员：周俊受保护的技术使用者：苏州感测通信息科技有限公司技术研发日：20231031技术公布日：2024/5/29