一种MEMS器件的制作方法

本技术属于半导体，具体涉及一种mems器件。

背景技术：

1、mems封装主要包括金属封装、陶瓷封装以及晶圆级封装。晶圆级封装由于成本低、尺寸小，近年逐渐成为主要研究方向。由于芯片焊盘尺寸和间距都很小，一般无法直接引出信号，晶圆级封装只是将真空封装做到了芯片级别，但仍需要通过引线键合到基板上才能实现外部电学互连。

2、现有晶圆级芯片10的互连结构如图1所示，通过引线键合将信号引出到基板20，再通过基板20的底部焊盘50引出。由于引线40比较脆弱，通常需要保护盖30进行保护，不仅尺寸大，且工序繁杂；而且晶圆级封装仍需要进行后道封装，加上基板20以及保护盖30的厚，尺寸仍比较大，无法满足市场对产品小型化产品的需求。

技术实现思路

1、为了克服上述现有技术存在的不足，本实用新型的目的是提供一种mems器件，能够减小mems器件的结构尺寸。

2、为实现上述目的，本实用新型的技术方案为一种mems器件，包括晶圆级芯片，还包括盖板，所述盖板盖设于所述晶圆级芯片上；所述晶圆级芯片上设置有与其读出电路电连接的第一导电连接件，所述盖板上面向所述晶圆级芯片的一面设置有第二导电连接件以及用于与外部器件电连接的第三导电连接件，所述第二导电连接件与所述第一导电连接件直接接触电连接，所述第三导电连接件与所述第二导电连接件连接，且所述第三导电连接件位于所述晶圆级芯片在所述盖板上的正投影范围外。

3、作为实施方式之一，所述盖板上面向所述晶圆级芯片的一面设置有金属化布线，所述第三导电连接件通过所述金属化布线与所述第二导电连接件连接。

4、作为实施方式之一，所述晶圆级芯片包括芯片以及设置于所述芯片上的盖帽，所述第一导电连接件设置于所述芯片上且位于所述盖帽的外侧；所述盖板包括基体，所述基体上设置有开槽，所述盖帽伸至所述开槽内。

5、作为实施方式之一，所述盖帽与所述开槽间隙配合。

6、作为实施方式之一，所述晶圆级芯片与所述盖板之间设置有胶粘剂，所述胶粘剂至少位于所述第二导电连接件与所述第一导电连接件的连接区域。

7、作为实施方式之一，所述晶圆级芯片上设置有若干第一加固连接件，所述盖板上设置有若干第二加固连接件，各所述第一加固连接件和各所述第二加固连接件一一对应连接。

8、作为实施方式之一，所述第一加固连接件与所述第二加固连接件的连接区域设置有胶粘剂。

9、作为实施方式之一，所述第一导电连接件为第一焊盘且有多个，所述第二导电连接件为第二焊盘且有多个，所述第三导电连接件为第三焊盘且有多个，各所述第一焊盘与各所述第二焊盘一一对应连接，各所述第二焊盘与各所述第三焊盘一一对应连接。

10、作为实施方式之一，所述第三焊盘的尺寸大于所述第一焊盘的尺寸，相邻所述第三焊盘的间距大于相邻的所述第一焊盘的间距。

11、作为实施方式之一，所述第一导电连接件上设置有第一金属层，所述第二导电连接件上设置有第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层通过金属间化合物层连接。

12、与现有技术相比，本实用新型的有益效果：

13、(1)本实用新型将晶圆级芯片上的第一导电连接件与盖板的第二导电连接件互连，并将第二导电连接件与晶圆级芯片在盖板上正投影范围外的第三导电连接件互连，最终实现盖板与晶圆级芯片的电学互连，通过第三导电连接件可直接与外部器件进行电学互连，无需另外设计基板进行引线键合，使得mems器件的结构尺寸更小；

14、(2)本实用新型通过盖板的设计，将晶圆级芯片上的小焊盘转化成盖板上对外的大焊盘，无需后道封装工艺，用户可直接使用。

技术特征：

1.一种mems器件，包括晶圆级芯片，其特征在于：还包括盖板，所述盖板盖设于所述晶圆级芯片上；所述晶圆级芯片上设置有与其读出电路电连接的第一导电连接件，所述盖板上面向所述晶圆级芯片的一面设置有第二导电连接件以及用于与外部器件电连接的第三导电连接件，所述第二导电连接件与所述第一导电连接件直接接触电连接，所述第三导电连接件与所述第二导电连接件连接，且所述第三导电连接件位于所述晶圆级芯片在所述盖板上的正投影范围外。

2.如权利要求1所述的mems器件，其特征在于：所述盖板上面向所述晶圆级芯片的一面设置有金属化布线，所述第三导电连接件通过所述金属化布线与所述第二导电连接件连接。

3.如权利要求1所述的mems器件，其特征在于：所述晶圆级芯片包括芯片以及设置于所述芯片上的盖帽，所述第一导电连接件设置于所述芯片上且位于所述盖帽的外侧；所述盖板包括基体，所述基体上设置有开槽，所述盖帽伸至所述开槽内。

4.如权利要求3所述的mems器件，其特征在于：所述盖帽与所述开槽间隙配合。

5.如权利要求1所述的mems器件，其特征在于：所述晶圆级芯片与所述盖板之间设置有胶粘剂，所述胶粘剂至少位于所述第二导电连接件与所述第一导电连接件的连接区域。

6.如权利要求1所述的mems器件，其特征在于：所述晶圆级芯片上设置有若干第一加固连接件，所述盖板上设置有若干第二加固连接件，各所述第一加固连接件和各所述第二加固连接件一一对应连接。

7.如权利要求6所述的mems器件，其特征在于：所述第一加固连接件与所述第二加固连接件的连接区域设置有胶粘剂。

8.如权利要求1所述的mems器件，其特征在于：所述第一导电连接件为第一焊盘且有多个，所述第二导电连接件为第二焊盘且有多个，所述第三导电连接件为第三焊盘且有多个，各所述第一焊盘与各所述第二焊盘一一对应连接，各所述第二焊盘与各所述第三焊盘一一对应连接。

9.如权利要求8所述的mems器件，其特征在于：所述第三焊盘的尺寸大于所述第一焊盘的尺寸，相邻所述第三焊盘的间距大于相邻的所述第一焊盘的间距。

10.如权利要求1所述的mems器件，其特征在于：所述第一导电连接件上设置有第一金属层，所述第二导电连接件上设置有第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层通过金属间化合物层连接。

技术总结本技术属于半导体封装技术领域，具体涉及一种MEMS器件，包括晶圆级芯片和盖板，晶圆级芯片上设置有与其读出电路电连接的第一导电连接件，盖板上面向晶圆级芯片的一面设有第二导电连接件以及用于与外部器件电连接的第三导电连接件，第二导电连接件与第一导电连接件直接接触电连接，第三导电连接件与第二导电连接件连接，且第三导电连接件位于晶圆级芯片在盖板上的正投影范围外。本技术将晶圆级芯片上的第一导电连接件与盖板的第二导电连接件互连，并将第二导电连接件与第三导电连接件互连，实现盖板与晶圆级芯片的电学互连，通过第三导电连接件可与外部器件进行电学互连，无需另外设计基板进行引线键合，使得MEMS器件的结构尺寸更小。技术研发人员：黄晟,黄立,周黄鹤,孙爱发,张严,王春水受保护的技术使用者：武汉高芯科技有限公司技术研发日：20231031技术公布日：2024/5/29