一种MEMS传感器嵌入式封装结构的制作方法

本技术涉及传感器，具体涉及一种mems传感器嵌入式封装结构。

背景技术：

1、随着物联网技术的蓬勃发展，传感器的应用逐步普及，mems传感器(加速度传感器，陀螺仪，压力传感器等等)在诸如消费领域，工业类及汽车电子领域的应用越来越广泛。但是，相较于其它ic芯片，mems芯片有如下两点特殊性(1)mems产品内部存在可移动的活动部件，导致其易受应力(如封装工艺中的磨片工序)的影响；(2)mems芯片多为多层第一芯片的键合结构，磨片过程中易造成分层及失效的风险，综合以上两点，mems的第一芯片无法磨片到很薄；与此同时，半导体的封装越来越朝着轻，薄，小的方向发展，由于mems芯片磨片厚度的限制，封装体尺寸无法做到更薄，不利于产品的应用，尤其对消费类领域的应用影响颇大。

2、基于上述情况，本实用新型提出了一种mems传感器嵌入式封装结构，可有效解决以上问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种mems传感器嵌入式封装结构。本实用新型的mems传感器嵌入式封装结构使用方便，通过将mems传感器，嵌入到基板内部，一方面可以降低当mems圆片磨片太薄时，其内部可移动结构易损坏及键合结构易分层的风险；另一方面，也可以有效降低封装体的厚度，减小封装体积，应用前景更广泛。

2、本实用新型通过下述技术方案实现：

3、一种mems传感器嵌入式封装结构，包括第一芯片、封装盖、第二芯片和底座，所述第一芯片上设有第一空腔，所述第一空腔内连接有可移动结构部件，所述第一芯片一侧设有第一金属焊盘，所述封装盖上设有第二空腔，所述封装盖与第一芯片通过连接件固定连接，且所述第一空腔和第二空腔组合形成密闭腔体，所述底座上设有第三空腔，所述第一芯片粘接于第三空腔内，所述第二芯片粘接于封装盖顶部，所述底座上设有第二金属焊盘，所述第二芯片顶部分别设有第三金属焊盘和第四金属焊盘，所述第一金属焊盘通过导电件与第四金属焊盘电连接，所述第二金属焊盘通过导电件与第三金属焊盘电连接，所述底座、第一芯片、封装盖、第二芯片顶部覆盖有molding材料。

4、本实用新型的目的在于提供一种mems传感器嵌入式封装结构。本实用新型的mems传感器嵌入式封装结构使用方便，通过将mems传感器，嵌入到基板内部，一方面可以降低当mems圆片磨片太薄时，其内部可移动结构易损坏及键合结构易分层的风险；另一方面，也可以有效降低封装体的厚度，减小封装体积，应用前景更广泛。

5、优选的，所述连接件为胶水有机物、无机物或金属中的一种。

6、优选的，所述底座为基板或硅片。

7、优选的，所述导电件为金丝、铜丝或铝丝中的一种。

8、本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

9、本实用新型的mems传感器嵌入式封装结构使用方便，通过将mems传感器，嵌入到基板内部，一方面可以降低当mems圆片磨片太薄时，其内部可移动结构易损坏及键合结构易分层的风险；另一方面，也可以有效降低封装体的厚度，减小封装体积，应用前景更广泛。

技术特征：

1.一种mems传感器嵌入式封装结构，其特征在于：包括第一芯片、封装盖、第二芯片和底座，所述第一芯片上设有第一空腔，所述第一空腔内连接有可移动结构部件，所述第一芯片一侧设有第一金属焊盘，所述封装盖上设有第二空腔，所述封装盖与第一芯片通过连接件固定连接，且所述第一空腔和第二空腔组合形成密闭腔体，所述底座上设有第三空腔，所述第一芯片粘接于第三空腔内，所述第二芯片粘接于封装盖顶部，所述底座上设有第二金属焊盘，所述第二芯片顶部分别设有第三金属焊盘和第四金属焊盘，所述第一金属焊盘通过导电件与第四金属焊盘电连接，所述第二金属焊盘通过导电件与第三金属焊盘电连接，所述底座、第一芯片、封装盖、第二芯片顶部覆盖有molding材料。

2.根据权利要求1所述的mems传感器嵌入式封装结构，其特征在于：所述连接件为胶水有机物、无机物或金属中的一种。

3.根据权利要求1所述的mems传感器嵌入式封装结构，其特征在于：所述底座为基板或硅片。

4.根据权利要求1所述的mems传感器嵌入式封装结构，其特征在于：所述导电件为金丝、铜丝或铝丝中的一种。

技术总结本技术公开了一种MEMS传感器嵌入式封装结构，包括第一芯片、封装盖、第二芯片和底座，所述第一芯片上设有第一空腔，所述第一空腔内连接有可移动结构部件，所述第一芯片一侧设有第一金属焊盘，所述封装盖上设有第二空腔，所述封装盖与第一芯片通过连接件固定连接，且所述第一空腔和第二空腔组合形成密闭腔体，所述底座上设有第三空腔，所述第一芯片粘接于第三空腔内，所述第二芯片粘接于封装盖顶部，所述底座上设有第二金属焊盘。本技术的MEMS传感器嵌入式封装结构通过将MEMS传感器，嵌入到基板内部，一方面可以降低当MEMS圆片磨片太薄时，其内部可移动结构易损坏及键合结构易分层的风险；另一方面，也可以有效降低封装体的厚度，减小封装体积，应用前景更广泛。技术研发人员：郭亚,钟锐,彭际结受保护的技术使用者：汉希科特半导体技术（平湖）有限公司技术研发日：20231031技术公布日：2024/6/13