具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板制备方法与流程

本发明涉及掩膜版，具体涉及一种具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板制备方法。

背景技术：

1、在平板显示领域，薄膜晶体管是制作显示装置的关键器件，而在制作薄膜晶体管的过程中，掩膜版是一个必不可少的工具。掩膜版，业内又称为光罩或掩模板，该产品是由石英玻璃作为衬底，在其上面镀上一层金属铬和感光胶，成为一种感光材料，把已设计好的电路图形通过电子激光设备曝光在感光胶上，被曝光的区域会被显影出来，在金属铬上形成电路图形，成为类似曝光后的底片的光掩模版，然后应用于对集成电路进行投影定位，通过集成电路光刻机对所投影的电路进行光蚀刻，是ic制作的过程中必不可少的工具。

2、在阵列基板上的各功能层构图工艺中常利用掩膜版形成相应的图案。通常，掩膜版的图案与欲形成的功能层的图案相对应，掩膜版包括透光区和不透光区，在透光区，光线可以全部透过以进行曝光，从而将此区的光刻胶全部去除；不透光区的光刻胶保留，经过刻蚀后，即可得到功能层的相应图案。

技术实现思路

1、发明目的：针对现有技术中的不足之处，本发明提供了一种具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板制备方法。

2、技术方案：本发明所提供的具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板制备方法，包括如下步骤：

3、步骤1，首先在gan外延片上利用mocvd系统外延生长n-gan层，然后利用等离子体增强化学气相沉积技术在表面沉积sio2层；然后在样品表面旋涂一层正性光刻胶；

4、步骤2，经掩模板曝光后，再浸入显影液去除曝光区域的光刻胶，紧接着，利用电子束蒸发在样品表面蒸镀一层厚的金属镍，去胶过程完成后，沉积在曝光区域的金属镍则留在样品表面，并具有和掩模板一样的图案；

5、步骤3，将这一图案作为掩模板，采用反应离子刻蚀对金属镍下的sio2和样品进行干法刻蚀，在sio2层上制备出微米尺寸的孔洞阵列，使得n-gan层完全暴露在微米孔洞的底部，至此，用于外延生长半极性微米柱阵列的模板制作完成。

6、具体的，步骤1中，所述的n-gan层厚度为0.8-1.2μm。

7、具体的，步骤1中，载流子浓度约为3×1018cm-3。

8、具体的，步骤1中，所述的sio2层厚度为450-550nm。

9、具体的，步骤1中，所述正性光刻胶的厚度为0.8-1.2μm。

10、具体的，步骤2中，所述的金属镍厚度为45-55nm。

11、具体的，所述的步骤3需要控制刻蚀深度，控制刻蚀深度在550-650nm。

12、进一步的，本发明所述的具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板制备方法的一个典型方案为：

13、步骤1，首先在gan外延片上利用mocvd系统外延生长n-gan层，所述的n-gan层厚度为1μm，载流子浓度约为3×1018cm-3，然后利用等离子体增强化学气相沉积技术在表面沉积sio2层，所述的sio2层厚度为500nm；然后在样品表面旋涂一层正性光刻胶，所述正性光刻胶的厚度为1μm；

14、步骤2，经掩模板曝光后，再浸入显影液去除曝光区域的光刻胶，紧接着，利用电子束蒸发在样品表面蒸镀一层厚的金属镍，所述的金属镍厚度为50nm，去胶过程完成后，沉积在曝光区域的金属镍则留在样品表面，并具有和掩模板一样的图案；

15、步骤3，将这一图案作为掩模板，采用反应离子刻蚀对金属镍下的sio2和样品进行干法刻蚀，在sio2层上制备出微米尺寸的孔洞阵列，需要控制刻蚀深度，控制刻蚀深度在600nm，使得n-gan层完全暴露在微米孔洞的底部，至此，用于外延生长半极性微米柱阵列的模板制作完成。

16、有益效果：本发明所提供的方法可以得到具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板，具有在相关领域应用的前景。

技术特征：

1.一种具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板制备方法，其特征在于，步骤1中，所述的n-gan层厚度为0.8-1.2μm。

3.根据权利要求1所述的具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板制备方法，其特征在于，步骤1中，载流子浓度约为3×1018cm-3。

4.根据权利要求1所述的具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板制备方法，其特征在于，步骤1中，所述的sio2层厚度为450-550nm。

5.根据权利要求1所述的具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板制备方法，其特征在于，步骤1中，所述正性光刻胶的厚度为0.8-1.2μm。

6.根据权利要求1所述的具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板制备方法，其特征在于，步骤2中，所述的金属镍厚度为45-55nm。

7.根据权利要求1所述的具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板制备方法，其特征在于，所述的步骤3需要控制刻蚀深度，控制刻蚀深度在550-650nm。

8.根据权利要求1所述的具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

技术总结本申请公开了一种具有微米级氧化物绝缘层孔洞阵列的模板制备方法。首先在GaN外延片上利用MOCVD系统外延生长n‑GaN层，然后在表面沉积SiO<subgt;2</subgt;层；然后在样品表面旋涂一层正性光刻胶；经掩模板曝光后，再浸入显影液去除曝光区域的光刻胶，在样品表面蒸镀一层厚的金属镍，去胶过程完成后，沉积在曝光区域的金属镍则留在样品表面，对金属镍下的SiO<subgt;2</subgt;和样品进行干法刻蚀，在SiO<subgt;2</subgt;层上制备出微米尺寸的孔洞阵列，使得n‑GaN层完全暴露在微米孔洞的底部，至此，用于外延生长半极性微米柱阵列的模板制作完成。技术研发人员：张韵,乔华剑受保护的技术使用者：扬州华彩光电有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/13