MEMS传感器及MEMS传感器的制造方法与流程

本发明涉及一种mems(micro electro mechanical system，微机电系统)传感器及mems传感器的制造方法。

背景技术：

1、专利文献1公开了具备模腔、及堵塞模腔上的可动部的mems传感器。基于伴随模腔内的压力变动而产生的可动部的移动，检测mems传感器上产生的压力。

2、[现有技术文献]

3、[专利文献]

4、[专利文献1]日本专利特开2021-025966号公报

技术实现思路

1、[发明要解决的问题]

2、本发明的一实施方式提供一种能够良好地检测压力的静电电容型的mems传感器及mems传感器的制造方法。

3、[解决问题的技术手段]

4、本发明的一实施方式提供一种mems传感器，包含：半导体衬底，具有第1面及所述第1面的相反侧的第2面，且具有模腔；薄膜，在所述第1面上，将所述模腔密闭；第1导电型的第1区域，形成在所述模腔的底部；以及第2导电型的第2区域，形成在所述薄膜，且隔着所述模腔而与所述第1区域对向。

5、本发明的一实施方式提供一种mems传感器的制造方法，包含：第1扩散层形成工序，通过对具有第1面及所述第1面的相反侧的第2面的半导体衬底的所述第1面导入第1导电型杂质，而形成第1导电型的第1扩散层；模腔形成工序，在所述第1扩散层的内部，形成由所述第1扩散层包围周围的模腔，且形成将所述模腔密闭的薄膜；以及第2扩散层形成工序，通过对所述薄膜导入第2导电型杂质，而以与所述模腔的底部的所述第1扩散层对向的方式，形成第2导电型的扩散层。

6、[发明的效果]

7、根据本发明的一实施方式的mems传感器，形成在薄膜的第2导电型的第2区域与形成在模腔的底部的第1导电型的第1区域隔着模腔对向。当薄膜从第1面侧受到压力时，由于在模腔的内部与外部之间产生差压而使薄膜在半导体衬底的厚度方向上变形。因薄膜的变形而使第1区域与第2区域的间隔变化，第1区域与第2区域之间的静电电容变化。由于利用薄膜将模腔密闭，所以能够将模腔内保持为真空，能够防止水分等湿气向模腔内部渗入。因此，能够防止因水分等引起的第1区域与第2区域的贴附。通过将导电型互不相同的第1区域及第2区域用作电极部，能够基于这些电极部之间的静电电容的变化，良好地检测压力。

技术特征：

1.一种mems传感器，包含：

2.根据权利要求1所述的mems传感器，其中所述半导体衬底为第2导电型，

3.根据权利要求2所述的mems传感器，其中在所述第1区域中，形成所述模腔的所述底部的部分的浓度、与形成所述模腔的所述侧部的部分的浓度相等。

4.根据权利要求2所述的mems传感器，其中所述第1区域包含形成所述模腔的所述底部的第1浓度的第1部分、及形成在所述模腔的所述侧部且比所述第1浓度更低浓度的第2部分。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的mems传感器，其中在所述第1区域中形成所述模腔的所述侧部的部分包围所述第2区域的周围。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的mems传感器，其中所述第2区域在所述第1面露出，

7.根据权利要求6所述的mems传感器，其中还包含：

8.根据权利要求1所述的mems传感器，其中所述半导体衬底为第1导电型。

9.一种mems传感器的制造方法，包含：

10.根据权利要求9所述的mems传感器的制造方法，其中所述模腔形成工序包含：

11.根据权利要求10所述的mems传感器的制造方法，其中还包含：

12.根据权利要求11所述的mems传感器的制造方法，其中在所述蚀刻工序之后，还包含第2保护膜去除工序，该第2保护膜去除工序从所述多个孔的所述侧壁去除所述保护膜。

13.根据权利要求9至12中任一项所述的mems传感器的制造方法，其中

14.根据权利要求13所述的mems传感器的制造方法，其中所述模腔形成工序包含：

15.根据权利要求9所述的mems传感器的制造方法，其中所述模腔形成工序包含：

技术总结本发明涉及一种MEMS传感器及MEMS传感器的制造方法。本发明提供一种能够良好地检测压力的静电电容型的MEMS传感器。MEMS传感器包含：半导体衬底，具有第1面及第2面，且具有模腔；薄膜，在第1面上，将模腔密闭；第1导电型的第1区域，形成在模腔的底部；以及第2导电型的第2区域，形成在薄膜，且隔着模腔而与第1区域对向。半导体衬底为第2导电型。第1区域不仅形成在模腔的底部，而且也形成在模腔的侧部。技术研发人员：樱木正広受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/11