MEMS传感器的制作方法

本发明涉及一种mems(microelectromechanical system，微机电系统)传感器。

背景技术：

1、专利文献1揭示一种mems传感器，其具备腔体、及形成在腔体上的硅隔膜。在密封腔体的硅隔膜形成有压电电阻。通过伴随腔体内的压力变动而产生的硅隔膜的移动来使压电电阻的值发生变化。

2、[现有技术文献]

3、[专利文献]

4、[专利文献1]日本专利特开2021-025966号公报

技术实现思路

1、[发明所要解决的问题]

2、本发明的一实施方式提供一种可良好地检测加速度的mems传感器。

3、[解决问题的技术手段]

4、本发明的一实施方式提供一种mems传感器，其包含：衬底，形成有加速度传感器用的第1传感器区域；第1腔体，在所述第1传感器区域形成在所述衬底中；第1锤部，包含形成在所述第1腔体上的第1膜片；梁部，支撑所述第1锤部；及压电电阻，形成在所述梁部。而且，所述第1锤部的与所述第1腔体对向的第1对向面、和所述梁部的与所述第1腔体对向的第2对向面形成在同一平面上。

5、[发明的效果]

6、根据本发明的一实施方式的mes传感器，在支撑包含第1膜片的第1锤部的梁部形成压电电阻，第1锤部的第1对向面与梁部的第2对向面形成在同一平面上。第1锤部受到作用于第1腔体内的加速度而变形，梁部伸长/收缩，从而压电电阻的输出发生变化。由于第1锤部的第1对向面不比梁部的第2对向面更向第1腔体的底部侧突出，因此第1锤部的第1对向面不易接触到第1腔体的底部。由此，可良好地检测加速度。

技术特征：

1.一种mems传感器，包含：

2.根据权利要求1所述的mems传感器，其进而包含形成在所述第1膜片上的第2锤部。

3.根据权利要求2所述的mems传感器，其中所述第2锤部是多晶硅、金属、氧化膜及氮化膜中的任一种。

4.根据权利要求2或3所述的mems传感器，其中所述第1锤部比所述第2锤部厚。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的mems传感器，其中所述梁部支撑所述第1锤部且使之可在所述衬底的厚度方向上变形。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的mems传感器，其中所述压电电阻包含第1压电电阻及第2压电电阻，且

7.根据权利要求6所述的mems传感器，其中所述桥接电路的输出用于利用加速度传感器来进行的所述衬底的厚度方向的加速度的检测。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的mems传感器，其中所述梁部是单数。

9.根据权利要求8所述的mems传感器，其中所述压电电阻包含第1压电电阻及第2压电电阻。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的mems传感器，其中所述梁部包含多个梁部。

11.根据权利要求10所述的mems传感器，其中所述压电电阻包含第1压电电阻及第2压电电阻，

12.根据权利要求10所述的mems传感器，其中所述第1锤部形成为俯视四边形状，

13.根据权利要求1至12中任一项所述的mems传感器，其中在所述衬底形成压力传感器用的第2传感器区域，且所述mems传感器包含：

14.根据权利要求13所述的mems传感器，其中所述第1腔体的深度与所述第2腔体的深度不同。

15.根据权利要求13所述的mems传感器，其中所述第1腔体的深度与所述第2腔体的深度相同。

技术总结本发明提供一种可良好地检测加速度的MEMS传感器。MEMS传感器包含：衬底，形成有加速度传感器用的第1传感器区域；第1腔体，在第1传感器区域形成在衬底中；第1锤部，包含形成在第1腔体上的第1膜片；梁部，支撑第1锤部；及压电电阻，形成在梁部。第1锤部的对向面与梁部的对向面形成在同一平面上。技术研发人员：樱木正広受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/11