一种晶圆表面处理方法与流程

本发明涉及半导体，尤其涉及一种晶圆表面处理方法。

背景技术：

1、由于晶圆的第一表面和晶圆载台有间隙，导致在晶圆正面外延生长薄膜时，气体沿着晶圆的第一表面和载台间隙进入晶圆的第一表面，进而在晶圆的第一表面长有一圈外延薄膜。晶圆正面外延生产薄膜生长得越厚，的第一表面的薄膜也越明显，这种晶圆的第一表面异常情况会导致后续的光刻工艺尺寸异常，进而导致良率异常。

2、目前晶圆的第一表面异常薄膜是通过对晶圆的第一表面进行化学机械抛光(cmp)，把一圈外延薄膜去除，由于cmp工艺是整体打磨，不能定点打磨，导致打磨后晶圆整体的厚度差异变大，同样会影响后续光刻工艺。

技术实现思路

1、本发明提供了一种晶圆表面处理方法，以在去除或减薄晶圆的第一表面的薄膜的同时，不影响晶圆的第一表面其他区域的厚度，不影响后续光刻工艺。

2、根据本发明的一方面，提供了一种晶圆表面处理方法，包括：

3、将设置有透光狭缝的挡光板设置于晶圆的第一表面一侧；

4、采用光电化学刻蚀工艺去除所述晶圆的第一表面的薄膜，或者，采用光电化学刻蚀工艺减薄所述晶圆的第一表面的薄膜，使所述薄膜远离所述晶圆的一侧上任意位置与所述第一表面的高度差小于预设值；

5、其中，所述晶圆的第一表面和晶圆的第二表面相对设置，所述晶圆的第二表面为所述晶圆设置外延层的表面；所述挡光板用于遮挡光电化学刻蚀工艺中光源出射的光，使光源出射的光通过所述透光狭缝照射到第一区域，所述第一区域至少部分覆盖所述的第一表面的薄膜。

6、可选的，采用光电化学刻蚀工艺去除所述晶圆的第一表面的薄膜，或者，采用光电化学刻蚀工艺减薄所述晶圆的第一表面的薄膜，使所述薄膜远离所述晶圆的一侧上任意位置与所述第一表面的高度差小于预设值，包括：

7、移动所述晶圆或者移动所述挡光板，使透过所述透光狭缝的光照射到第二区域，所述第二区域和所述第一区域不完全相同。

8、可选的，所述第二区域至少部分覆盖所述薄膜。

9、可选的，所述薄膜为环形薄膜；

10、移动所述晶圆或者移动所述挡光板，使透过所述透光狭缝的光照射到第二区域包括：

11、旋转所述晶圆或者旋转所述挡光板，使透过所述透光狭缝的光照射到第二区域。

12、可选的，采用光电化学刻蚀工艺去除所述晶圆的第一表面的薄膜，或者，采用光电化学刻蚀工艺减薄所述晶圆的第一表面的薄膜，使所述薄膜远离所述晶圆的一侧上任意位置与所述第一表面的高度差小于预设值之后，还包括：

13、对所述晶圆的第一表面进行化学机械抛光处理。

14、可选的，采用光电化学刻蚀工艺去除所述晶圆的第一表面的薄膜，或者，采用光电化学刻蚀工艺减薄所述晶圆的第一表面的薄膜，使所述薄膜远离所述晶圆的一侧上任意位置与所述第一表面的高度差小于预设值，包括：

15、将所述晶圆和所述薄膜浸泡于刻蚀液中，或者，通过喷嘴向所述晶圆的第一表面的薄膜喷洒刻蚀液。

16、可选的，采用光电化学刻蚀工艺去除所述晶圆的第一表面的薄膜，或者，采用光电化学刻蚀工艺减薄所述晶圆的第一表面的薄膜，使所述薄膜远离所述晶圆的一侧上任意位置与所述第一表面的高度差小于预设值之前，还包括：

17、在所述晶圆的第一表面设置第一电极；

18、采用光电化学刻蚀工艺去除所述晶圆的第一表面的薄膜，或者，采用光电化学刻蚀工艺减薄所述晶圆的第一表面的薄膜，使所述薄膜远离所述晶圆的一侧上任意位置与所述第一表面的高度差小于预设值，包括：

19、向所述第一电极输入第一电位信号，向所述晶圆的第二表面输入第二电位信号；其中，所述第一电位信号小于所述第二电位信号；

20、采用光电化学刻蚀工艺去除所述晶圆的第一表面的薄膜，或者，采用光电化学刻蚀工艺减薄所述晶圆的第一表面的薄膜，使所述薄膜远离所述晶圆的一侧上任意位置与所述第一表面的高度差小于预设值之后，还包括：

21、去除所述第一电极。

22、可选的，去除所述第一电极，包括：

23、采用湿法刻蚀去除所述第一电极。

24、可选的，所述第一电极采用的材料包括铂、金、玻碳和钌钛中的至少一种。

25、可选的，所述晶圆的材料包括硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓或金刚石；

26、所述光源包括紫外光源；

27、所述挡光板的材料包括聚氨酯。

28、可选的，所述刻蚀液包括氢氟酸、氢氧化钾、硫酸、硝酸、过二硫酸钾和过硫酸氢钾复合盐中的至少一种。

29、本发明实施例采用光电化学刻蚀工艺刻蚀晶圆的第一表面的薄膜，并通过将设置有透光狭缝的挡光板设置于晶圆的第一表面一侧，对晶圆进行遮挡，使得光源出射的光通过透光狭缝仅照射到晶圆的第一表面的薄膜，使得光电化学刻蚀工艺可以精准的去除或减薄薄膜，而不会影响晶圆的第一表面的其他区域的厚度，从而不会影响后续光刻工艺。

30、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

技术特征：

1.一种晶圆表面处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，采用光电化学刻蚀工艺去除所述晶圆的第一表面的薄膜，或者，采用光电化学刻蚀工艺减薄所述晶圆的第一表面的薄膜，使所述薄膜远离所述晶圆的一侧上任意位置与所述第一表面的高度差小于预设值，包括：

3.根据权利要求2所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述第二区域至少部分覆盖所述薄膜。

4.根据权利要求2所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述薄膜为环形薄膜；

5.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，采用光电化学刻蚀工艺去除所述晶圆的第一表面的薄膜，或者，采用光电化学刻蚀工艺减薄所述晶圆的第一表面的薄膜，使所述薄膜远离所述晶圆的一侧上任意位置与所述第一表面的高度差小于预设值之后，还包括：

6.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，采用光电化学刻蚀工艺去除所述晶圆的第一表面的薄膜，或者，采用光电化学刻蚀工艺减薄所述晶圆的第一表面的薄膜，使所述薄膜远离所述晶圆的一侧上任意位置与所述第一表面的高度差小于预设值，包括：

7.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，采用光电化学刻蚀工艺去除所述晶圆的第一表面的薄膜，或者，采用光电化学刻蚀工艺减薄所述晶圆的第一表面的薄膜，使所述薄膜远离所述晶圆的一侧上任意位置与所述第一表面的高度差小于预设值之前，还包括：

8.根据权利要求7所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，去除所述第一电极，包括：

9.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，

10.根据权利要求6所述的晶圆表面处理方法，其特征在于：

技术总结本发明公开了一种晶圆表面处理方法，包括：将设置有透光狭缝的挡光板设置于晶圆的第一表面一侧；采用光电化学刻蚀工艺去除晶圆的第一表面的薄膜，或者，采用光电化学刻蚀工艺减薄晶圆的第一表面的薄膜，使薄膜远离晶圆的一侧上任意位置与第一表面的高度差小于预设值；其中，晶圆的第一表面和晶圆的第二表面相对设置，晶圆的第二表面为晶圆设置外延层的表面；挡光板用于遮挡光电化学刻蚀工艺中光源出射的光，使光源出射的光通过透光狭缝照射到第一区域，第一区域至少部分覆盖的第一表面的薄膜本发明实施例可以在去除或减薄晶圆的第一表面的薄膜的同时，不影响晶圆的第一表面其他区域的厚度，不影响后续光刻工艺。技术研发人员：陈帮,李刚,韩商标受保护的技术使用者：长飞先进半导体（武汉）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25