探测器及其制备方法与流程

本申请涉及探测器，尤其涉及一种探测器及其制备方法。

背景技术：

1、探测器已被广泛运用于医疗成像，金属缺陷检查等领域。但现有技术中的探测器都是平面集成，导致占用面积大，从而导致分辨率低。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种探测器及其制备方法，旨在减小探测器的占用面积，提高探测器的分辨率。

2、一方面，本申请提供一种探测器，所述探测器包括：

3、衬底，

4、薄膜晶体管，设置在所述衬底的一侧，所述薄膜晶体管包括有源层、栅绝缘层和栅极层，所述栅绝缘层覆盖所述有源层，所述栅极层设置在所述栅绝缘层远离所述有源层的一侧；

5、光敏器件层，设置在所述栅极层远离所述衬底的一侧；

6、电极层，设置在所述光敏器件层远离所述栅极层的一侧。

7、在一些实施例中，所述光敏器件层包括：

8、第一光敏层，设置在所述栅极层远离所述有源层的一侧；

9、第二光敏层，设置在所述第一光敏层远离所述栅极层的一侧；

10、第三光敏层，设置在所述第二光敏层远离所述第一光敏层的一侧。

11、在一些实施例中，所述第一光敏层包括n型氢化非晶硅，所述第二光敏层包括本征氢化非晶硅，所述第三光敏层包括p型氢化非晶硅。

12、在一些实施例中，所述光敏器件层在所述衬底上的正投影位于所述栅极层在所述衬底上的正投影内。

13、在一些实施例中，所述电极层在所述衬底上的正投影与所述光敏器件层在所述衬底上的正投影重合。

14、在一些实施例中，所述探测器还包括：

15、保护层，覆盖所述电极层、所述栅极层和所述栅绝缘层；

16、金属层，设置在所述保护层远离所述衬底的一侧；

17、其中，所述金属层包括源极和漏极，所述源极和漏极分别通过第一过孔和第二过孔与所述有源层沿第一方向的两侧连接，所述第一过孔和所述第二过孔贯穿所述保护层和所述栅绝缘层。

18、在一些实施例中，所述金属层还包括：

19、阴极，通过第三过孔与所述栅极层沿所述第一方向的一侧连接，所述第三过孔贯穿所述保护层；

20、阳极，通过第四过孔与所述电极层连接，所述第四过孔贯穿所述保护层。

21、在一些实施例中，所述探测器还包括：

22、缓冲层，覆盖所述金属层和所述保护层；

23、闪烁体，覆盖所述缓冲层。

24、在一些实施例中，所述衬底包括柔性衬底。

25、另一方面，本申提供一种探测器的制备方法，所述探测器的制备方法包括：

26、形成衬底；

27、在所述衬底的一侧形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、栅绝缘层和栅极层，所述栅绝缘层覆盖所述有源层，所述栅极层设置在所述栅绝缘层远离所述有源层的一侧；

28、在所述栅极层远离所述有源层的一侧形成光敏器件层；

29、在所述光敏器件层远离所述栅极层的一侧形成电极层。

30、本申请提供一种探测器及其制备方法，该探测器包括衬底、薄膜晶体管、光敏器件层和电极层，薄膜晶体管设置在所述衬底的一侧，所述薄膜晶体管包括有源层、栅绝缘层和栅极层，所述栅绝缘层覆盖所述有源层，所述栅极层设置在所述栅绝缘层远离所述有源层的一侧。光敏器件层设置在所述栅极层远离所述衬底的一侧，电极层设置在所述光敏器件层远离所述栅极层的一侧。由此光敏器件层和电极层设置在薄膜晶体管远离衬底的一侧，实现了纵向集成，因此可以减小器件的占用面积，提高集成密度，从而可以提高分辨率。另外，栅极层和电极层位于光敏器件层的两侧，因此栅极层不仅作为薄膜晶体管的栅极，还作为光敏器件层的另一个电极，因此可以简化结构。

技术特征：

1.一种探测器，其特征在于，所述探测器包括：

2.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述光敏器件层包括：

3.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述第一光敏层包括n型氢化非晶硅，所述第二光敏层包括本征氢化非晶硅，所述第三光敏层包括p型氢化非晶硅。

4.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述光敏器件层在所述衬底上的正投影位于所述栅极层在所述衬底上的正投影内。

5.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述电极层在所述衬底上的正投影与所述光敏器件层在所述衬底上的正投影重合。

6.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述探测器还包括：

7.根据权利要求6所述的探测器，其特征在于，所述金属层还包括：

8.根据权利要求6所述的探测器，其特征在于，所述探测器还包括：

9.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述衬底包括柔性衬底。

10.一种探测器的制备方法，其特征在于，所述探测器的制备方法包括：

技术总结本申请提供一种探测器及其制备方法，该探测器包括衬底、薄膜晶体管、光敏器件层和电极层，薄膜晶体管设置在所述衬底的一侧，所述薄膜晶体管包括有源层、栅绝缘层和栅极层，所述栅绝缘层覆盖所述有源层，所述栅极层设置在所述栅绝缘层远离所述有源层的一侧。光敏器件层设置在所述栅极层远离所述衬底的一侧，电极层设置在所述光敏器件层远离所述栅极层的一侧。由此光敏器件层和电极层设置在薄膜晶体管远离衬底的一侧，实现了纵向集成，因此可以减小器件的占用面积，提高集成密度，从而可以提高分辨率。另外，栅极层和电极层位于光敏器件层的两侧，因此栅极层不仅作为薄膜晶体管的栅极，还作为光敏器件层的另一个电极，因此可以简化结构。技术研发人员：周志超,谭志威受保护的技术使用者：TCL华星光电技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25