一种晶圆胶水涂布方法与流程

本发明涉及晶圆加工，尤其涉及一种晶圆胶水涂布方法。

背景技术：

1、在晶圆加工领域中，芯片完成彩胶工艺后，需用粘着剂(ocr胶水)贴一片cg(玻璃)，其目的是保护彩胶和有机发光层不受外力破坏，同时覆盖一层cg可以隔绝大气中的水和氧气，以防止彩胶和有机发光材料与之发生化学反应。现有的晶圆贴片工艺主要采用syringe(针筒)工艺涂布，胶水涂布在产品中间，贴合后胶水扩散至产品边缘需要较长时间(3min左右)，导致产品边缘胶较薄而中间胶较厚，进而影响晶圆的可靠性测试性能，如产品边缘水气侵入。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种晶圆胶水涂布方法，所述晶圆胶水涂布方法保证了胶厚的均匀性，减小胶水扩散的时间。

2、为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：

3、本发明提供了一种晶圆胶水涂布方法，包括以下步骤：

4、采用压电喷射打点的方式，将胶水点涂在晶圆表面后，依次进行贴合、胶水扩散、脱泡和光固化，得到融合硅晶圆。

5、优选的，所述点涂得到的点胶个数为30～100个；

6、所述点胶的排列方式为点胶阵列。

7、优选的，所述点胶阵列为：在水平方向上，相邻两点胶之间的最短间距为2～5mm，边缘处的点胶与所述晶圆的边缘之间的最短距离为1.15～2.5mm；

8、在垂直于所述水平方向上，相邻两点胶之间的最短间距为1～3mm，边缘处的点胶与所述晶圆的边缘之间的最短距离为0.9～2.5mm。

9、优选的，所述压电喷射打点采用的喷嘴直径为0.15～0.4mm，上升时间为0.8～1.2ms，开阀时间为0.3ms，下降时间为0.05～0.2ms，下降力度为60～85％，延迟时间为1～1.5ms。

10、优选的，所述贴合的压力为120～210g。

11、优选的，所述胶水扩散的时间为1～30s。

12、优选的，所述脱泡的方式为高压脱泡；

13、所述高压脱泡的压强为0.3～0.6mpa。

14、优选的，所述光固化为uv光固化；

15、所述uv光固化采用的紫外线波长为365nm或395nm，所述uv光固化的时间为30～60s。

16、本发明提供了一种晶圆胶水涂布方法，包括以下步骤：采用压电喷射打点的方式，将胶水点涂在晶圆表面后，依次进行贴合、胶水扩散、脱泡和光固化，得到融合硅晶圆。本发明所述晶圆胶水涂布方法采用压电喷射打点方式涂布，能均匀的将胶水涂布在产品表面，产品中心与边缘的胶水扩散速度基本一致，从而保证了胶厚的均匀性。且所述压电喷射打点方式的胶水扩散时间能够控制在30s内，大大减少了胶水扩散时间。

技术特征：

1.一种晶圆胶水涂布方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述晶圆胶水涂布方法，其特征在于，所述点涂得到的点胶个数为30～100个；

3.如权利要求2所述晶圆胶水涂布方法，其特征在于，所述点胶阵列为：在水平方向上，相邻两点胶之间的最短间距为2～5mm，边缘处的点胶与所述晶圆的边缘之间的最短距离为1.15～2.5mm；

4.如权利要求1～3任一项所述晶圆胶水涂布方法，其特征在于，所述压电喷射打点采用的喷嘴直径为0.15～0.4mm，上升时间为0.8～1.2ms，开阀时间为0.3ms，下降时间为0.05～0.2ms，下降力度为60～85％，延迟时间为1～1.5ms。

5.如权利要求1所述晶圆胶水涂布方法，其特征在于，所述贴合的压力为120～210g。

6.如权利要求1或5所述晶圆胶水涂布方法，其特征在于，所述胶水扩散的时间为1～30s。

7.如权利要求1所述晶圆胶水涂布方法，其特征在于，所述脱泡的方式为高压脱泡；

8.如权利要求1所述晶圆胶水涂布方法，其特征在于，所述光固化为uv光固化；

技术总结本发明涉及晶圆加工技术领域，尤其涉及一种晶圆胶水涂布方法。本发明提供了一种晶圆胶水涂布方法，包括以下步骤：采用压电喷射打点的方式，将胶水点涂在晶圆表面后，依次进行贴合、胶水扩散、脱泡和光固化，得到融合硅晶圆。所述晶圆胶水涂布方法保证了胶厚的均匀性，减小胶水扩散的时间。技术研发人员：殷丹华,王健波,吴迪,王绍华受保护的技术使用者：湖畔光电科技（江苏）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25