一种减少氮气用量的装置的制作方法

本技术涉及半导体，特别是一种减少氮气用量的装置。

背景技术：

1、半导体晶圆在不同工艺搬运过程中需要贴上一层保护胶，用以防止晶圆表面金属化区域损坏和前后工序间方便搬运，而保护胶需要在完成各种工艺后去除干净，表面不得有一丝残留。这一步通常是通过解胶机来完成。

2、解胶机在对晶圆解胶的过程中，通常需先将晶圆放置在一个密封的腔体或容器或保护区域内，并向该腔体或容器或保护区域内充满大量氮气，用于在解胶的过程中保护晶圆。但是现有的设备由于放置晶圆的腔体或容器或保护区域空间较大，进出料时需要开门，环境相对开放，因此在解胶的过程中所使用的氮气量也较大，约为15m³/h，比较浪费资源，成本较高。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了解决上述问题，设计了一种减少氮气用量的装置，解决了现有的设备在解胶过程中氮气用量大、导致成本增高等问题。

2、实现上述目的本实用新型的技术方案为，一种减少氮气用量的装置，包括：

3、底座，其中间位置具有一用于放置晶圆片的晶圆放置区；

4、密封压板，其设置于所述底座的上方并能够上下自由升降，并且在所述密封压板的底面设置有与晶圆片的形状相适配的凹槽，所述密封压板能够盖在底座上，并能够在密封压板底面的凹槽与放置在晶圆放置区内的晶圆片之间形成密闭的氮气空间；

5、其中所述密封压板的中心位置设置有与凹槽连通的氮气入口，所述密封压板的底面设置有至少一个排气槽，所述排气槽的一端自凹槽的圆周延伸至密封压板的边沿。

6、优选的，所述排气槽设置有多个，并沿着凹槽的圆周方向均匀分布。

7、优选的，所述排气槽沿着凹槽的径向方向自凹槽的圆周延伸至密封压板的边沿。

8、优选的，所述晶圆放置区为上下贯通的通孔，并且在通孔的内壁上沿着圆周方向上设置有用于承载晶圆片的承载部。

9、优选的，所述凹槽的直径小于所述通孔的孔径。

10、优选的，所述底座上沿着晶圆放置区的周向上设置有一圈阻隔槽。

11、优选的，所述密封压板的至少一侧设置有一用于控制密封压板升降的升降气缸，所述底座上设置有气缸支架，所述升降气缸竖直安装固定在气缸支架上，且升降气缸的输出端通过连接板与所述密封压板连接。

12、与现有技术相比，其有益效果在于：

13、本实用新型中晶圆片放置在底座上的晶圆放置区内，并在密封压板的底面设置有凹槽，通过控制密封压板上下升降，使得密封压板盖在底座上，并在晶圆片与凹槽之间形成密闭的充氮空间，通过氮气入口向充氮空间内充置氮气，充氮空间内多余的气体从排气槽排出，该装置只对保护区域充氮，减少氮气用量，氮气用量比起现有设备节省了80%以上，约为2-3m³/h，并且通过减少充氮空间的大小，氮气能均匀的对晶圆起到保护作用。

技术特征：

1.一种减少氮气用量的装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种减少氮气用量的装置，其特征在于，所述排气槽(203)设置有多个，并沿着凹槽(202)的圆周方向均匀分布。

3.根据权利要求2所述的一种减少氮气用量的装置，其特征在于，所述排气槽(203)沿着凹槽(202)的径向方向自凹槽(202)的圆周延伸至密封压板(2)的边沿。

4.根据权利要求1所述的一种减少氮气用量的装置，其特征在于，所述晶圆放置区为上下贯通的通孔(101)，并且在通孔(101)的内壁上沿着圆周方向上设置有用于承载晶圆片(6)的承载部(102)。

5.根据权利要求4所述的一种减少氮气用量的装置，其特征在于，所述凹槽(202)的直径小于所述通孔(101)的孔径。

6.根据权利要求1所述的一种减少氮气用量的装置，其特征在于，所述底座(1)上沿着晶圆放置区的周向上设置有一圈阻隔槽（103）。

7.根据权利要求1所述的一种减少氮气用量的装置，其特征在于，所述密封压板(2)的至少一侧设置有一用于控制密封压板(2)升降的升降气缸(4)，所述底座(1)上设置有气缸支架(3)，所述升降气缸(4)竖直安装固定在气缸支架(3)上，且升降气缸(4)的输出端通过连接板(5)与所述密封压板(2)连接。

技术总结本技术公开了一种减少氮气用量的装置，包括：底座，其中间位置具有一用于放置晶圆片的晶圆放置区；密封压板，其设置于所述底座的上方并能够上下自由升降，并且在所述密封压板的底面设置有与晶圆片的形状相适配的凹槽，所述密封压板能够盖在底座上，并能够在密封压板底面的凹槽与放置在晶圆放置区内的晶圆片之间形成密闭的氮气空间；其中所述密封压板的中心位置设置有与凹槽连通的氮气入口，所述密封压板的底面设置有至少一个排气槽。该装置只对保护区域充氮，减少氮气用量，氮气用量比起现有设备节省了80%以上，约为2‑3m³/H，并且通过减少充氮空间的大小，氮气能均匀的对晶圆起到保护作用。技术研发人员：李宏伟受保护的技术使用者：常熟五临天光电科技有限公司技术研发日：20231114技术公布日：2024/7/25