底部边缘环和中部边缘环的制作方法

本公开涉及衬底处理系统中的可移动的边缘环。

背景技术：

1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的描述的各方面中描述的范围内的当前指定的发明人的工作既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

2、衬底处理系统可用于处理诸如半导体晶片之类的衬底。可以在衬底上执行的示例性处理包括但不限于化学气相沉积(cvd)、原子层沉积(ald)、导体蚀刻和/或其他蚀刻、沉积或清洁工艺。衬底可以布置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上，衬底支撑件例如基座、静电卡盘(esc)等。在蚀刻期间，可以将包括一种或多种前体的气体混合物引入处理室，并且可以使用等离子体来引发化学反应。

3、衬底支撑件可包括布置成支撑晶片的陶瓷层。例如，晶片可以在处理期间被夹持到陶瓷层上。衬底支撑件可包括围绕衬底支撑件的外部部分(例如，周边的外部和/或邻近周边)布置的边缘环。可以提供边缘环以将等离子体约束在衬底上方的体积中，保护衬底支撑件免受等离子体引起的侵蚀等。

技术实现思路

1、一种底部环被配置为支撑可移动的边缘环。所述边缘环被配置为相对于衬底支撑件升高和降低。所述底部环包括：上表面，所述上表面是台阶状的；环形内径；环形外径；下表面；和多个竖直引导通道，其穿过底部环从所述底部环的所述下环表面到所述上表面提供。所述引导通道中的每一个包括直径小于所述引导通道的第一区域，并且所述引导通道被配置为接收用于使所述边缘环升高和降低的相应的升降销。

2、在其他特征中，所述引导通道的直径介于0.063英寸和0.067英寸之间。所述引导通道中的每一个包括位于所述底部环的所述下表面上的腔，其中所述腔具有大于所述引导通道的直径的直径。所述引导通道和所述腔之间的过渡部被倒角。所述倒角的过渡部的高度和宽度介于0.020英寸和0.035英寸之间，角度介于40°和50°之间。所述上表面中的台阶的内径至少为13.0英寸。

3、在其他特征中，所述底部环还包括从所述底部环的所述上表面向上延伸的引导特征。所述引导通道穿过所述引导特征。所述引导特征包括所述引导通道的所述第一区域。所述上表面包括内环形凸缘，并且其中所述引导特征和所述内环形凸缘限定凹槽。所述引导特征的高度大于所述内环形凸缘的高度。所述引导特征的第一上部拐角和第二上部拐角中的至少一个被倒角。所述上表面包括内环形凸缘和外环形凸缘，其中所述引导特征和所述内环形凸缘限定第一凹槽，并且其中所述引导特征和所述外环形凸缘限定第二凹槽。

4、在其他特征中，所述上表面包括至少两个方向变化。所述上表面包括至少五个方向变化。所述上表面包括至少五个交替的竖直和水平路径。所述底部环具有第一外径和大于所述第一外径的第二外径。所述底部环包括从所述底部环的外径径向向外延伸的环形唇缘。所述下表面包括多个腔，所述腔被配置为与所述衬底支撑件的基板中的螺栓孔对准。

5、一种中部环被配置为布置在底部环上并且用于支撑可移动的边缘环。所述边缘环被配置为相对于衬底支撑件升高和降低。所述中部环包括：上表面，其是台阶状的；环形内径；环形外径；下表面；限定所述环形外径的引导特征；限定所述环形内径的内环形凸缘；和在所述引导特征和所述内环形凸缘之间限定的凹槽。

6、在其他特征中，所述引导特征的第一上部拐角和第二上部拐角中的至少一个被倒角。所述中部环是″u″形的。所述上表面包括至少四个方向变化。所述上表面包括至少五个交替的竖直和水平表面。

7、根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。

技术特征：

1.一种底部环，其被配置为支撑衬底支撑件的可移动的边缘环，所述底部环包括：

2.根据权利要求1所述的底部环，其中所述水平部分距所述竖直部分的顶部比距所述竖直部分的底部更近。

3.根据权利要求1所述的底部环，其中在所述水平部分下方的所述竖直部分的宽度大于在所述水平部分上方的所述竖直部分的宽度。

4.根据权利要求1所述的底部环，其中所述多个竖直引导通道从所述底部环的所述上表面向所述下表面延伸。

5.根据权利要求1所述的底部环，其中所述多个竖直引导通道中的每一个包括窄区域，所述窄区域的直径小于所述多个竖直引导通道中的对应一者的其余部分的直径。

6.根据权利要求1所述的底部环，其中所述多个竖直引导通道延伸穿过所述倒置的″l″形的从所述竖直部分径向向内延伸的所述水平部分。

7.根据权利要求1所述的底部环，其中所述底部环的外角被倒角。

8.根据权利要求1所述的底部环，其中所述上表面包括至少两个方向变化。

9.根据权利要求1所述的底部环，其还包括从所述上表面向上延伸的的引导特征。

10.根据权利要求9所述的底部环，其中所述引导特征为凸起环形凸缘。

11.根据权利要求10所述的底部环，其中所述引导特征在所述上表面中限定至少一个凹槽。

12.根据权利要求11所述的底部环，其中所述多个竖直引导通道延伸穿过在所述至少一个凹槽下方的所述水平部分。

技术总结一种底部环被配置为支撑可移动的边缘环。所述边缘环被配置为相对于衬底支撑件升高和降低。所述底部环包括：上表面，所述上表面是台阶状的；环形内径；环形外径；下表面；和多个竖直引导通道，其穿过底部环从所述底部环的所述下环表面到所述上表面提供。所述引导通道中的每一个包括直径小于所述引导通道的第一区域，并且所述引导通道被配置接收用于使所述边缘环升高和降低的相应的升降销。技术研发人员：希兰·拉吉塔·拉斯那星赫,肖恩·E·S·东海林,乔恩·麦克切斯尼受保护的技术使用者：朗姆研究公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25