激光退火的方法与流程

本发明涉及半导体，特别是涉及一种激光退火的方法。

背景技术：

1、随着半导体技术不断发展，cmos器件的尺寸不断地缩小，结深也越来越浅，而为了更少的热扩散，出现了激光退火工艺，激光退火拥有着温度高、停留时间短的优势。然而，在利用激光进行退火时，激光有入射角度(该入射角为布鲁斯特角，且该角无法改变)，对于具有长条形多晶硅栅(poly)的产品来说，激光退火时会产生热点，使得多晶硅栅的热量有梯度，从而导致多晶硅栅的电阻不均匀。具体来说，如图1所示，有源区aa的四周形成有条形的多晶硅栅，当激光入射角从上向下的方向入射(图中实线箭头所指方向)，位于有源区aa下方的多晶硅栅的电阻会随着多晶硅栅与有源区aa的距离变远而变大；当激光入射角从右向左入射(图中虚线箭头所指方向)，位于有源区aa左侧的多晶硅栅的电阻会随着多晶硅栅与有源区aa的距离变远而变大，从而导致多晶硅栅的电阻不均匀。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种激光退火的方法，用于解决现有的激光退火时因激光发生散射形成热梯度而导致多晶硅栅电阻不均匀的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种激光退火的方法，所述方法包括：

3、提供一晶圆，将其置于激光退火装置内，其中，所述激光退火装置产生的激光束能够扫描预设范围的晶圆，且所述预设范围具有预设长度；

4、以所述预设长度对晶圆进行第一次扫描以进行第一次激光退火；

5、在晶圆完成所述第一次激光退火后，将晶圆旋转一定的角度，并以所述预设长度为步长对晶圆进行第二次扫描以进行第二次激光退火。

6、可选地，在对晶圆进行所述第二次激光退火时，晶圆旋转角度为180°。

7、可选地，所述预设长度为6mm～8mm。

8、可选地，所述预设范围为长条形，此时，所述预设范围还具有预设宽度，所述预设宽度为60μm～80μm。

9、可选地，在进行所述第一次扫描及所述第二次扫描时，激光束扫描次数均为30条～40条。

10、可选地，每条激光束停留时间为200μs～800μs。

11、可选地，在进行所述第一次激光退火及所述第二次激光退火时，均以弧形扫描的方式对晶圆进行扫描。

12、可选地，对晶圆进行扫描时，由左到右扫描或从右到左扫描。

13、可选地，在进行所述第一次激光退火及所述第二激光退火时，退火温度包括1000℃～1200℃。

14、可选地，适用的技术节点小于等于40nm。

15、如上所述，本发明的激光退火的方法，通过采用两次激光退火，在第一次激光退火之后，将晶圆旋转180°再进行第二次激光退火，且在两次激光退火过程中，形成能够扫描晶圆预设范围的激光束，并以预设范围的预设长度为步长进行扫描，通过上述方式能够降低激光热点效应对多晶硅栅的影响，使得激光退火均匀度得到提升，避免多晶硅栅电阻不均匀。

技术特征：

1.一种激光退火的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的激光退火的方法，其特征在于，在对晶圆进行所述第二次激光退火时，晶圆旋转角度为180°。

3.根据权利要求1所述的激光退火的方法，其特征在于，所述预设长度为6mm～8mm。

4.根据权利要求3所述的激光退火的方法，其特征在于，所述预设范围为长条形，此时，所述预设范围还具有预设宽度，所述预设宽度为60μm～80μm。

5.根据权利要求1所述的激光退火的方法，其特征在于，在进行所述第一次扫描及所述第二次扫描时，激光束扫描次数均为30条～40条。

6.根据权利要求5所述的激光退火的方法，其特征在于，每条激光束停留时间为200μs～800μs。

7.根据权利要求1所述的激光退火的方法，其特征在于，在进行所述第一次激光退火及所述第二次激光退火时，均以弧形扫描的方式对晶圆进行扫描。

8.根据权利要求7所述的激光退火的方法，其特征在于，对晶圆进行扫描时，由左到右扫描或从右到左扫描。

9.根据权利要求1所述的激光退火的方法，其特征在于，在进行所述第一次激光退火及所述第二激光退火时，退火温度包括1000℃～1200℃。

10.根据权利要求1所述的激光退火的方法，其特征在于，适用的技术节点小于等于40nm。

技术总结本发明提供一种激光退火的方法，所述方法包括：提供一晶圆，将其置于激光退火装置内，其中，所述激光退火装置产生的激光束能够扫描预设范围的晶圆，且所述预设范围具有预设长度；以所述预设长度为步长对晶圆进行第一次扫描以进行第一次激光退火；在晶圆完成所述第一次激光退火后，将晶圆旋转一定的角度，并以所述预设长度为步长对晶圆进行第二次扫描以进行第二次激光退火。通过本发明解决了现有的激光退火时因激光发生散射形成热梯度而导致多晶硅栅电阻不均匀的问题。技术研发人员：沈耀庭受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25