一种封装结构及射频模组的制作方法

本技术涉及射频模组封装，尤其涉及一种封装结构及射频模组。

背景技术：

1、射频(radio frequency，rf)模组(module)是一种将滤波器(filter)、双工/多工器(diplexer/duplexer/multiplexer)、低噪声放大器(low noise amplifier，lna)、功率放大器(power amplifier，pa)以及射频开关(switch)中的两种或者两种以上分立器件，集成在同一个模组中的设计方案，可以提高射频芯片的集成度并使其进一步小型化。

2、近年来，射频前端模组中各组件之间的距离越来越小，导致组件之间的相互干扰问题日益严重。为了降低封装模组中各组件/子系统之间的相互干扰，模组制造过程中通常会采用分区屏蔽的方式实现对敏感组件/子系统的电磁屏蔽。

3、当前的封装屏蔽结构通常在敏感组件周围接地焊盘上打屏蔽线弧，并将其与共形屏蔽层连接的方式进行分区屏蔽，从而有效改善模组中组件间的相互干扰。但是，该种屏蔽方式所用的线弧高度较高，导致打线作业难度较大，线弧稳定性差，同时屏蔽线弧通常为分立的间隔线弧，屏蔽效果较差。

4、因此，如何降低封装屏蔽结构的复杂度，是本技术方案所要解决的关键问题。

技术实现思路

1、为了解决背景技术中提到的至少一个技术问题，本实用新型的目的在于提供一种封装结构及射频模组，可以降低封装屏蔽结构的复杂度。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

3、第一方面，本实用新型实施例提供了一种封装结构，包括基板、射频器件、第一覆盖层、第二覆盖层和塑封层；

4、所述基板内部设有接地衬垫，所述接地衬垫沿第一方向穿透所述基板，裸露于所述基板的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

5、所述射频器件焊接在所述基板的第一表面，相邻的所述射频器件之间具有至少一个所述接地衬垫；

6、所述第一覆盖层覆盖所述射频器件的表面和所述基板的第一表面，但不覆盖相邻的所述射频器件之间的至少一个所述接地衬垫；

7、所述第二覆盖层覆盖所述第一覆盖层；每个所述射频器件表面的所述第二覆盖层与相邻的所述接地衬垫连接；所述第二覆盖层是通过溅镀工艺设置在所述第一覆盖层和所述接地衬垫上的金属膜；

8、所述塑封层填充在所述第二覆盖层的上方，且完全覆盖所述射频器件和所述基板。

9、进一步的，相邻的所述射频器件之间设有一个接地衬垫，所述第二覆盖层与所述射频器件两端的接地衬垫连接。

10、进一步的，相邻的所述射频器件之间具有两个所述接地衬垫；每个所述射频器件表面的所述第二覆盖层与两侧较相邻的所述接地衬垫连接。

11、进一步的，所述第一覆盖层为塑封薄膜或隔离膜。

12、进一步的，所述塑封层采用环氧塑封料。

13、进一步的，所述射频器件包括第一类器件和/或第二类器件，所述第一类器件为不能底填的器件，所述第二类器件为需要底填的器件。

14、进一步的，所述基板的第一表面还设有至少一个焊盘，所述射频器件通过所述焊盘焊接在所述基板的第一表面。

15、第二方面，本实用新型实施例还提供了一种射频模组，包括上述任一种封装结构。

16、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

17、相邻射频器件之间设有一个接地衬垫，每个射频器件表面的第二覆盖层与该射频器件两端的接地衬垫电连接，能够实现对多个射频器件的共腔屏蔽，达到较好的屏蔽效果；

18、相邻射频器件之间设有至少两个接地衬垫，每个射频器件表面的第二覆盖层与距离其最近的露出的接地衬垫电连接，能够实现对多个射频器件的分腔屏蔽，屏蔽效果更佳；

19、相比于传统的屏蔽方式，本实用新型提供的封装结构没有复杂的内部屏蔽结构，没有特殊工艺流程即可实现所有的芯片之间，或芯片与外部之间的屏蔽。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，包括基板、射频器件、第一覆盖层、第二覆盖层和塑封层；

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，相邻的所述射频器件之间设有一个接地衬垫，所述第二覆盖层与所述射频器件两端的所述接地衬垫连接。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，相邻的所述射频器件之间具有两个所述接地衬垫；每个所述射频器件表面的所述第二覆盖层与两侧较相邻的所述接地衬垫连接。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述第一覆盖层为塑封薄膜或隔离膜。

5.根据权利要求1-3中任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述塑封层采用环氧塑封料。

6.根据权利要求1-3中任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述射频器件包括第一类器件和/或第二类器件，所述第一类器件为不能底填的器件，所述第二类器件为需要底填的器件。

7.根据权利要求1-3中任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述基板的第一表面还设有至少一个焊盘，所述射频器件通过所述焊盘焊接在所述基板的第一表面。

8.一种射频模组，其特征在于，所述射频模组包括如权利要求1-7中任一项所述的封装结构。

技术总结本技术公开了一种封装结构及射频模组，涉及射频模组封装技术领域。相邻射频器件之间设有一个接地衬垫，每个射频器件表面的第二覆盖层与该射频器件两端的接地衬垫电连接，能够实现对多个射频器件的共腔屏蔽，达到较好的屏蔽效果；相邻射频器件之间设有至少两个接地衬垫，每个射频器件表面的第二覆盖层与距离其最近的露出的接地衬垫电连接，能够实现对多个射频器件的分腔屏蔽，屏蔽效果更佳；相比于传统的屏蔽方式，本技术提供的封装结构没有复杂的内部屏蔽结构，没有特殊工艺流程即可实现所有的芯片之间，或芯片与外部之间的屏蔽。技术研发人员：周勇,高安明,郑磊,姜伟受保护的技术使用者：浙江星曜半导体有限公司技术研发日：20231129技术公布日：2024/7/25