用于半导体封装的精密元件电连接优化方法与流程

本申请涉及半导体，尤其涉及用于半导体封装的精密元件电连接优化方法。

背景技术：

1、半导体封装将半导体芯片与外部电路连接起来，以实现芯片的功能。在半导体封装过程中，精密元件电连接是一个关键步骤，它直接影响到封装的质量和可靠性。因此，研究用于半导体封装的精密元件电连接优化方法具有重要的实际意义。随着半导体技术的不断发展，芯片的尺寸越来越小，封装密度越来越高，对电连接的要求也越来越高。传统的电连接方法已经无法满足现代半导体封装的需求，因此需要寻找新的优化方法来提高电连接的质量和可靠性。

2、目前，现有的热超声键合技术主要依赖于操作人员的经验和直觉来调整键合参数，这往往导致不一致的键合质量，限制了生产效率和产品可靠性。

3、综上所述，现有技术由于缺乏精确的键合参数优化方法，导致热超声键合过程中的电连接强度不稳定，进一步影响半导体封装的可靠性。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供用于半导体封装的精密元件电连接优化方法，用以解决现有技术由于缺乏精确的键合参数优化方法，导致热超声键合过程中的电连接强度不稳定，进一步影响半导体封装的可靠性的技术问题。

2、鉴于上述问题，本申请提供了用于半导体封装的精密元件电连接优化方法。

3、本申请提供了用于半导体封装的精密元件电连接优化方法，其中，所述方法包括：构建当前进行电连接的精密元件的焊盘三维模型，其中，所述电连接通过采用热超声键合进行；采集当前进行热超声键合电连接的键合控制参数，其中，所述键合控制参数包括移动控制参数和键合控制参数；根据所述移动控制参数叠加移动控制误差噪声生成移动键合区域，在所述焊盘三维模型内索引获得键合焊盘区域，并根据所述键合焊盘区域内每个焊盘位置坐标的坐标形貌和误差移动概率，生成键合位置分布；根据所述键合位置分布，以提升键合电连接强度和降低对焊盘的损伤为目的，对所述键合控制参数进行优化，获得最优键合控制参数；采用所述最优键合控制参数和移动控制参数，作为优化结果，进行精密元件的热超声键合电连接。

4、本申请中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

5、通过构建当前进行电连接的精密元件的焊盘三维模型，其中，所述电连接通过采用热超声键合进行；采集当前进行热超声键合电连接的键合控制参数，其中，所述键合控制参数包括移动控制参数和键合控制参数；根据所述移动控制参数叠加移动控制误差噪声生成移动键合区域，在所述焊盘三维模型内索引获得键合焊盘区域，并根据所述键合焊盘区域内每个焊盘位置坐标的坐标形貌和误差移动概率，生成键合位置分布；根据所述键合位置分布，以提升键合电连接强度和降低对焊盘的损伤为目的，对所述键合控制参数进行优化，获得最优键合控制参数；采用所述最优键合控制参数和移动控制参数，作为优化结果，进行精密元件的热超声键合电连接，有效解决了现有技术由于缺乏精确的键合参数优化方法，导致热超声键合过程中的电连接强度不稳定，进一步影响半导体封装的可靠性的技术问题，提高了半导体封装过程中精密元件电连接的质量和效率。

6、上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本申请的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本申请的范围。本申请的其他特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

技术特征：

1.用于半导体封装的精密元件电连接优化方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的用于半导体封装的精密元件电连接优化方法，其特征在于，构建当前进行电连接的精密元件的焊盘的焊盘三维模型，包括：

3.根据权利要求1所述的用于半导体封装的精密元件电连接优化方法，其特征在于，采集当前进行热超声键合电连接的键合控制参数，包括：

4.根据权利要求1所述的用于半导体封装的精密元件电连接优化方法，其特征在于，根据所述移动控制参数叠加移动控制误差噪声生成移动键合区域，在所述焊盘三维模型内索引获得键合焊盘区域，并根据所述键合焊盘区域内每个焊盘位置坐标的坐标形貌和误差移动概率，生成键合位置分布，包括：

5.根据权利要求4所述的用于半导体封装的精密元件电连接优化方法，其特征在于，采用所述移动键合区域在所述焊盘三维模型内进行索引，获得键合焊盘区域，并根据所述键合焊盘区域内每个焊盘位置坐标的坐标形貌和误差移动概率，生成键合位置分布包括：

6.根据权利要求1所述的用于半导体封装的精密元件电连接优化方法，其特征在于，根据所述键合位置分布，以提升键合电连接强度和降低对焊盘的损伤为目的，对所述键合控制参数进行优化，包括：

7.根据权利要求6所述的用于半导体封装的精密元件电连接优化方法，其特征在于，根据所述键合控制参数空间和电连接函数，对所述键合控制参数进行优化，获得最优键合控制参数，包括：

8.根据权利要求7所述的用于半导体封装的精密元件电连接优化方法，其特征在于，根据所述第一键合控制参数，结合所述键合位置分布内多个焊盘位置坐标的坐标形貌，预测获得多个第一键合电连接强度和多个第一焊盘损伤概率，包括：

技术总结本申请提供了用于半导体封装的精密元件电连接优化方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：构建焊盘三维模型以模拟热超声键合过程，采集键合控制参数，叠加移动控制误差生成移动键合区域。索引获得键合焊盘区域，生成键合位置分布。以提升键合强度和降低焊盘损伤为目的，优化键合控制参数，获得最优参数。采用这些参数进行精密元件的热超声键合电连接。通过本申请可以解决现有技术由于缺乏精确的键合参数优化方法，导致热超声键合过程中的电连接强度不稳定，进一步影响半导体封装的可靠性的技术问题，提高了半导体封装过程中精密元件电连接的质量和效率。技术研发人员：郑剑华,苏建国,张元元,孙彬,朱建受保护的技术使用者：南通华隆微电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29