热桥内插器结构的制作方法

1.本公开的各方面通常涉及包括结合有半导体器件的电子设备的装置，并且更具体地但不排他地涉及内插器和桥接件及它们的制造技术。2.相关技术描述无线通信系统已经发展了许多代，包括第一代模拟无线电话服务(1g)、第二代(2g)数字无线电话服务(包括过渡的2.5g和2.75g网络)、第三代(3g)高速数据、具有互联网能力的无线服务和第四代(4g)服务(例如，长期演进(lte)或wimax)。目前有许多不同类型的无线通信系统在使用，包括蜂窝和个人通信服务(pcs)系统。已知的蜂窝系统的示例包括蜂窝模拟高级移动电话系统(amps)，以及基于码分多址(cdma)、频分多址(fdma)、时分多址(tdma)、全球移动通信系统(gsm)等的数字蜂窝系统。被称为新无线电(nr)的第五代(5g)无线标准实现更高的数据传送速度、更多数量的连接和更好的覆盖以及其他改善。根据下一代移动网络联盟，5g标准被设计成提供与先前标准相比更高的数据率、更准确的定位和其他技术增强。集成电路技术已经通过组件的小型化在推进计算能力方面实现了巨大进步，并且已经实现前述无线通信系统及其组件的实际实施和商业化。各种集成电路技术和封装技术(例如，包括内插器/桥接件)可以在许多电子设备中找到，包括处理器、服务器、射频(rf)集成电路等。先进的封装技术在高引脚数设备中变得高性价比。先进的封装技术和处理技术允许片上系统(soc)器件，其可包括多个功能块，其中每个功能块被设计成执行特定功能，诸如例如微处理器功能、图形处理器(gpu)功能、通信功能(例如，蜂窝、wi-fi、蓝牙和其他通信)等。因此，需要克服具有内插器和/或桥接件的常规集成电路技术和封装技术的缺陷的系统、装置和方法，包括本文在以下公开内容中所提供的方法、系统和装置。

背景技术：

技术实现思路

1、以下呈现与本文所公开的一个或多个方面相关的简化技术实现要素：。由此，以下发明内容既不应被认为是与所有构想的方面相关的详尽纵览，也不应被认为标识与所有构想的方面相关的关键性或决定性元素或描绘与任何特定方面相关联的范围。因此，以下发明内容的唯一目的是在以下呈现的具体实施方式之前以简要形式呈现与涉及本文所公开的机制的一个或多个方面有关的某些概念。

2、根据本文所公开的各个方面，至少一个方面包括一种装置，该装置包括半导体器件，其中该半导体器件包括：管芯；导热接合部，该导热接合部包括热桥内插器(thbi)结构；和基板。该管芯通过该导热接合部联接到该基板，并且该管芯的至少一部分通过该thbi结构联接到该基板。

3、根据本文所公开的各个方面，至少一个方面包括一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：提供管芯；形成导热接合部，可以包括形成热桥内插器(thbi)结构；以及将该导热接合部联接到该管芯和基板，其中该管芯的至少一部分通过该thbi结构联接到该基板。

4、基于附图和详细描述，与本文所公开的各装置和方法相关联的其他目的、特征和优点对本领域技术人员而言将是明显的。

技术特征：

1.一种装置，所述装置包括半导体器件，其中所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述thbi结构包括陶瓷层和穿过所述陶瓷层设置的多个导电贯穿过孔。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述多个导电贯穿过孔包含铜。

4.根据权利要求2所述的装置，其中所述陶瓷层包含氧化铝陶瓷。

5.根据权利要求2所述的装置，其中所述陶瓷层包含具有在30瓦特/米开尔文(w/mk)至40瓦特/米开尔文(w/mk)的范围内的热导率的材料。

6.根据权利要求2所述的装置，其中所述导热接合部还包括嵌入在模塑料中的多个导电柱。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述多个导电柱和所述多个导电贯穿过孔在所述导热接合部的邻近所述基板的第一侧上共面。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述多个导电柱在所述导热接合部的邻近所述管芯的第二侧上延伸超出所述多个导电贯穿过孔。

9.根据权利要求7所述的装置，其中所述多个导电贯穿过孔的一部分在所述导热接合部的所述第一侧上延伸经过所述陶瓷层。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述多个导电贯穿过孔的所述部分嵌入在所述模塑料中。

11.根据权利要求7所述的装置，其中所述多个导电柱和所述多个导电贯穿过孔在所述导热接合部的邻近所述管芯的第二侧上共面。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述多个导电柱和所述多个导电贯穿过孔共面，并且在所述第二侧上通过混合键合而联接到所述管芯。

13.根据权利要求7所述的装置，其中所述导热接合部还包括：

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述多个焊盘具有相同的间距和相同的尺寸。

15.根据权利要求13所述的装置，其中所述导热接合部还包括：

16.根据权利要求2所述的装置，其中所述thbi结构还包括：

17.根据权利要求16所述的装置，其中所述thbi结构还包括：

18.根据权利要求2所述的装置，其中所述thbi结构包括至少一个金属化结构，所述至少一个金属化结构联接到穿过所述陶瓷层设置的所述多个导电贯穿过孔。

19.根据权利要求1所述的装置，还包括：

20.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置选自由以下项组成的组：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、物联网(iot)设备、膝上型计算机、服务器、接入点、基站以及机动车辆中的设备。

21.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述thbi结构包括陶瓷层和穿过所述陶瓷层设置的多个导电贯穿过孔。

23.根据权利要求22所述的方法，其中所述陶瓷层包含氧化铝陶瓷。

24.根据权利要求22所述的方法，其中所述陶瓷层包含具有在30瓦特/米开尔文(w/mk)至40瓦特/米开尔文(w/mk)的范围内的热导率的材料。

25.根据权利要求22所述的方法，其中所述导热接合部还包括嵌入在模塑料中的多个导电柱。

26.根据权利要求25所述的方法，其中所述多个导电柱和所述多个导电贯穿过孔共面，并且在所述导热接合部的邻近所述管芯的第二侧上通过混合键合而联接到所述管芯。

27.根据权利要求25所述的方法，还包括：

28.根据权利要求22所述的方法，其中形成所述thbi结构还包括：

29.根据权利要求28所述的方法，其中形成所述thbi结构还包括：

30.根据权利要求21所述的方法，还包括：

技术总结公开了用于制造包括半导体器件的装置的装置和技术。该半导体器件可以包括：管芯；包括热桥内插器(THBI)结构的导热接合部；和基板。该管芯通过该导热接合部联接到该基板，并且该管芯的至少一部分通过该THBI结构联接到该基板。技术研发人员：J-H·兰,金钟海,R·达塔受保护的技术使用者：高通股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29