具有反射率重新分布的微LED的制作方法

本公开总体上涉及发光二极管(led)和led阵列，并且更具体地涉及修改微led内的反射。

背景技术：

1、微发光二极管(微led)阵列领域是照明和显示行业中的新兴技术。微led阵列通常包括数千到数百万个微型发光二极管(led)像素，这些像素可以发射光并且可以被单独控制或以像素组(例如5×5像素组)被控制。与其他照明技术和显示技术相比，微led阵列可以提供更高的明度和更好的能量效率，这可以使得微led阵列合期望于多种不同的应用，诸如电视、机动车头灯、和移动电话等等。

技术实现思路

技术特征：

1.一种微发光二极管(微led)结构包括：

2.根据权利要求1所述的微led结构，其中所述结构包括设置在所述掺杂外延半导体层之一的蚀刻凹槽中的纳米球。

3.根据权利要求2所述的微led结构，其中所述纳米球是设置在n掺杂的gan表面的蚀刻凹槽中的二氧化硅纳米球。

4.根据权利要求1所述的微led结构，其中所述结构包括设置在所述光学透明介质和与所述光学透明介质相反的所述掺杂外延半导体层之一之间的层上的空心纳米球。

5.根据权利要求4所述的微led结构，其中所述空心纳米球为设置在单层中的si空心纳米球。

6.根据权利要求1所述的微led结构，其中所述结构包括所述光学透明介质的粗糙化层，所述粗糙化层具有选自包括周期性结构、波纹状结构和随机结构的结构中的至少一种结构。

7.根据权利要求1所述的微led结构，其中所述结构包括设置在所述掺杂外延半导体层之一上的层中的自组装周期性纳米球。

8.根据权利要求1所述的微led结构，其中所述结构包括与所述光学透明介质相反的所述掺杂外延半导体层之一的蚀刻凹槽。

9.根据权利要求8所述的微led结构，其中所述掺杂外延半导体层之一是n掺杂的gan，并且所述微led是薄膜倒装芯片结构。

10.根据权利要求1所述的微led结构，其中所述结构包括在所述微led的图案化蓝宝石衬底上的电镀的aln。

11.根据权利要求1所述的微led结构，其中所述结构包括邻近于所述微led的顶表面或底表面的分布式布拉格反射器(dbr)，所述dbr包括多个纳米多孔层。

12.根据权利要求1所述的微led结构，其中所述结构包括光刻结构化表面。

13.根据权利要求1所述的微led结构，其中：

14.一种微发光二极管(微led)系统包括：

15.根据权利要求14所述的微led系统，其中所述结构包括以下中的至少一项：

16.根据权利要求14所述的微led系统，其中所述结构包括以下中的至少一项：

17.一种制作包括多个微发光二极管(led)的微led阵列的方法，对于每个微led，所述方法包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中制作微led包括通过以下中的至少一种形成所述结构：

19.根据权利要求17所述的方法，其中制作微led包括通过以下中的至少一种形成所述结构：

20.根据权利要求17所述的方法，其中制作微led包括通过以下中的至少一种形成所述结构：

技术总结描述了微LED的结构和方法。微LED具有GaN半导体结构，该GaN半导体结构包含被配置为发射可见光波长范围的光的多量子阱有源区以及通过在微LED的一个或多个界面处提供散射来增加环境光的镜面反射的结构。界面包括空气‑密封剂界面、半导体‑密封剂界面、或半导体‑接触界面。技术研发人员：N·B·菲佛,A·G·范德赛德,A·洛佩兹朱莉娅受保护的技术使用者：亮锐有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29