图像传感器的制作方法

本发明构思涉及图像传感器，并且更具体地，涉及包括驱动器晶体管的图像传感器。

背景技术：

1、图像传感器是将光学图像转换成电信号的装置。图像传感器包括电荷耦合器件(ccd)型和互补型金属氧化物半导体(cmos)型。cmos型图像传感器(cis)具有多个二维布置的像素。像素均包括光电二极管。光电二极管将入射光转换成电信号。

2、随着电子工业的进步，多个二维布置的像素的数量在增加并且每个像素的大小在减小。正在进行研究，以有效地形成设置在每个像素上用以提供像素电路的元件。

技术实现思路

1、本发明构思的一些实施例提供了一种能够减少从像素产生的噪声的图像传感器。

2、本发明构思的一些实施例提供了一种可靠性增加的图像传感器。

3、根据本发明构思的实施例，一种图像传感器包括具有像素部分的衬底。分隔图案设置在所述衬底中。所述分隔图案围绕所述像素部分。所述分隔图案包括第一子分隔图案，所述第一子分隔图案在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸。第二子分隔图案在与所述第一方向相交并且与所述衬底的上表面平行的第二方向上延伸。所述像素部分包括限定了所述像素部分中的有源区的器件隔离图案。至少一个栅极图案位于所述有源区上。所述至少一个栅极图案沿着第三方向从所述第一子分隔图案经过所述有源区和所述器件隔离图案延伸到所述第二子分隔图案。所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向相交，并且平行于所述衬底的上表面。所述至少一个栅极图案具有彼此相反的第一表面和第二表面。所述第一表面从所述第一子分隔图案直线地延伸到所述第二子分隔图案。

4、根据本发明构思的实施例，一种图像传感器包括像素部分。所述像素部分包括位于所述像素部分中的有源区。所述有源区包括第一杂质区和第二杂质区。栅极图案位于所述有源区上。所述栅极图案具有彼此相反的第一表面和第二表面。所述栅极图案位于所述第一杂质区和所述第二杂质区之间。所述第一表面靠近所述第一杂质区并且直线地延伸。所述第一杂质区的面积小于所述第二杂质区的面积。

5、根据本发明构思的实施例，一种图像传感器包括衬底，所述衬底包括多个像素部分。分隔图案位于所述衬底中并且位于所述多个像素部分的相邻像素之间。所述分隔图案包括第一子分隔图案，所述第一子分隔图案在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸。第二子分隔图案在与所述第一方向相交并且与所述衬底的上表面平行的第二方向上延伸。所述多个像素部分包括在所述第一方向上彼此相邻的第一像素部分和第二像素部分。第三像素部分在所述第二方向上与所述第一像素部分相邻；第四像素部分在所述第二方向上与所述第二像素部分相邻并且在所述第一方向上与所述第三像素部分相邻。所述第一像素部分至所述第四像素部分均包括器件隔离图案，所述器件隔离图案限定了所述第一像素部分至第四像素部分中的有源区。晶体管对应于所述第一像素部分至第四像素部分中的每一者。所述有源区包括彼此间隔开的第一杂质区和第二杂质区。所述有源区包括分别位于所述第一像素部分至第四像素部分中的第一有源区至第四有源区。所述晶体管包括：所述第一杂质区和所述第二杂质区；以及位于所述第一杂质区与所述第二杂质区之间的栅极图案。所述栅极图案包括分别设置在所述第一像素部分至第四像素部分中的第一栅极图案至第四栅极图案。所述第一栅极图案和所述第四栅极图案沿着第三方向从所述第一子分隔图案延伸到所述第二子分隔图案。所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向中的每一者相交，并且平行于所述衬底的上表面。所述第二栅极图案和所述第三栅极图案沿着第四方向从所述第二子分隔图案延伸到所述第一子分隔图案。所述第四方向与所述第一方向至所述第三方向相交，并且平行于所述衬底的上表面。所述第一栅极图案至所述第四栅极图案在所述分隔图案上彼此直接接触。彼此直接接触的所述第一栅极图案至所述第四栅极图案的组合具有菱形形状的内表面和八边形形状的外表面。

技术特征：

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中：

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一子表面平行于所述第一表面。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中：

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中：

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中：

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述至少一个晶体管是源极跟随器晶体管。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中：

9.根据权利要求8所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：

10.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括位于所述有源区上的掩埋栅极图案，

11.根据权利要求6所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：

12.一种包括像素部分的图像传感器，其中，所述像素部分包括：

13.根据权利要求12所述的图像传感器，其中，所述第二表面靠近所述第二杂质区，所述第二杂质区包括第一子表面、第二子表面和第三子表面，所述第二杂质区还包括所述第一子表面与所述第二子表面彼此相交的第一角部以及所述第一子表面与所述第三子表面彼此相交的第二角部。

14.根据权利要求12所述的图像传感器，其中，所述第二杂质区包括：

15.根据权利要求14所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：

16.根据权利要求15所述的图像传感器，其中，所述第二有源接触位于所述第二杂质区的中央部分上。

17.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

18.根据权利要求17所述的图像传感器，所述图像传感器还包括彼此相邻的第五像素部分和第六像素部分，所述第五像素部分和所述第六像素部分中的每一者包括栅极图案，所述栅极图案包括分别位于所述第五像素部分和所述第六像素部分中的第五栅极图案和第六栅极图案，

19.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，并且还包括位于所述衬底中的光电转换区，所述第一有源区至所述第四有源区与所述第二表面相邻，

20.根据权利要求19所述的图像传感器，其中，所述衬底还包括位于所述衬底中的接地区，

技术总结一种图像传感器包括：包括像素部分的衬底和设置在所述衬底中并且围绕所述像素部分的分隔图案。所述分隔图案包括在第一方向上延伸的第一子分隔图案和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的第二子分隔图案。所述像素部分包括限定所述像素部分中的有源区的器件隔离图案和位于所述有源区上的至少一个栅极图案。所述栅极图案沿着第三方向从所述第一子分隔图案经过所述有源区和所述器件隔离图案延伸到所述第二子分隔图案。所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向相交。所述栅极图案具有彼此相反的第一表面和第二表面。所述第一表面从所述第一子分隔图案直线地延伸到所述第二子分隔图案。技术研发人员：金善玉,吴官泳,金亨彩,张东宁受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/29