用于防止辉光放电和点火的基板支撑件间隙泵送的制作方法

本公开内容的实施方式总体涉及基板处理装备。

背景技术：

1、基板处理系统通常包括工艺腔室，用于对设置在所述工艺腔室中的一个或多个基板执行期望的工艺，诸如蚀刻工艺。通常在蚀刻工艺中使用射频(rf)功率，例如，需要深宽比非常高的孔来制作触点(contact)或深沟槽以铺设电气通路的基础结构。rf功率可用于等离子体生成及/或用于在正在处理的基板上产生偏压以从主体等离子体(bulk plasma)吸引离子。

2、基板支撑件设置在基板处理腔室中并且经配置以支撑被处理的基板。然而，如果暴露于等离子体或者如果间隙/空腔中存在足够高的局部电场时，则不处于真空压力下的基板支撑件中的任何间隙或空腔可能倾向于辉光放电(glow discharge)和点火(light-up)。相应地，发明人提供了改进的基板支撑件的实施方式。

技术实现思路

1、本文提供用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件包括：基座，具有经配置以支撑基板的第一侧和与第一侧相对的第二侧；多个基板升降杆，延伸穿过基座，其中多个第一间隙设置在多个基板升降杆与在基座中的多个基板升降杆开口的相应基板升降杆开口之间；及真空管线，从多个基板升降杆开口延伸并且经配置以抽空多个基板升降杆开口。

2、在一些实施方式中，一种用于处理基板的工艺腔室包括：腔室主体，在所述腔室主体中限定处理容积；基板支撑件，设置在腔室主体中且具有暴露于处理容积的上表面，基板支撑件包含：基座，具有经配置以支撑基板的第一侧和与第一侧相对的第二侧；和多个基板升降杆，延伸穿过基座，其中多个第一间隙设置在多个基板升降杆与基座中的多个基板升降杆开口的相应基板升降杆开口之间；及真空泵，经由延伸至多个基板升降杆开口的真空管线耦合至多个第一间隙的每一个第一间隙，真空泵经配置以抽空多个第一间隙而不抽空处理容积。

3、在一些实施方式中，一种用于处理基板的工艺腔室包括：腔室主体，在所述腔室主体中限定处理容积；基板支撑件，设置在腔室主体中并且具有暴露于处理容积的上表面，其中基板支撑件包含：基座，具有介电板和冷却板，介电板包括电极，冷却板耦合到介电板；及多个基板升降杆，延伸穿过介电板并且穿过冷却板，其中多个第一间隙设置在多个基板升降杆与介电板和冷却板中的多个基板升降杆开口的相应基板升降杆开口之间；真空泵，耦合到多个第一间隙的每一个第一间隙并且经配置以将多个第一间隙抽空至第一压力；及第二真空泵，耦合至腔室主体且经配置以将处理容积抽空至工艺压力，其中第一压力小于工艺压力。

4、在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括以下步骤；将工艺腔室的处理容积抽空至工艺压力；及将设置在多个基板升降杆周围的多个第一间隙抽空至小于工艺压力的第一压力。

5、下面描述本公开内容的其他和进一步的实施方式。

技术特征：

1.一种用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件，包含：

2.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述基座包括介电板和冷却板，所述介电板具有嵌入在所述介电板中的电极，所述冷却板耦合到所述介电板，并且其中所述冷却板包括经配置以使冷却剂循环的冷却通道。

3.如权利要求1所述的基板支撑件，进一步包含多个工艺配件升降杆，所述工艺配件升降杆延伸穿过所述基座并且设置在所述多个基板升降杆的径向外侧，其中多个第二间隙设置在所述多个工艺配件升降杆及多个工艺配件升降杆开口的相应工艺配件升降杆开口之间，并且其中这些真空管线经配置以抽空所述多个第二间隙。

4.如权利要求3所述的基板支撑件，其中这些真空管线包括设置在所述基板支撑件中的接合部，这些接合部将这些真空管线分成延伸到所述多个第一间隙的一个第一间隙的第一排放管线和延伸到所述多个第二间隙的一个第二间隙的第二排放管线。

5.如权利要求1所述的基板支撑件，进一步包含：

6.如权利要求5所述的基板支撑件，其中所述基座包括耦合到冷却板的绝缘体板，其中所述通道设置在所述绝缘体板中。

7.如权利要求1至6任一项所述的基板支撑件，进一步包含真空泵，所述真空泵耦合到这些真空管线以抽空所述多个基板升降杆开口。

8.如权利要求1至6任一项所述的基板支撑件，其中所述多个基板升降杆具有向外成锥形的上部，以在所述多个基板升降杆处于较低位置时提供与所述基座的密封。

9.如权利要求1至6任一项所述的基板支撑件，其中这些真空管线延伸至所述多个基板升降杆开口的多个侧壁。

10.一种用于处理基板的工艺腔室，包含：

11.如权利要求10所述的工艺腔室，进一步包含第二真空泵，所述第二真空泵流体地耦合到所述处理容积并且经配置以抽空所述处理容积。

12.如权利要求11所述的工艺腔室，其中所述腔室主体限定设置于所述基板支撑件下方且流体耦合到所述处理容积的第二容积，其中所述第二容积在所述第二真空泵的上游。

13.如权利要求12所述的工艺腔室，其中所述真空泵排放到所述第二容积中。

14.如权利要求11所述的工艺腔室，进一步包含粗管线，且其中所述真空泵在第一位置处排放到所述粗管线中并且所述第二真空泵在不同于所述第一位置的第二位置处排放到所述粗管线中。

15.一种用于处理基板的工艺腔室，包含：

16.如权利要求15所述的工艺腔室，其中所述第一真空泵排放到在所述第二真空泵上游的第二容积或排放到独立于所述第二真空泵的粗管线。

17.如权利要求15所述的工艺腔室，进一步包含多个工艺配件升降杆，所述工艺配件升降杆延伸穿过所述基座并且设置在所述多个基板升降杆的径向外侧，其中多个第二间隙设置在所述多个工艺配件升降杆与多个工艺配件升降杆开口的相应工艺配件升降杆开口之间，并且其中所述第一真空泵耦合到所述多个第二间隙的每一个第二间隙并且经配置以抽空所述多个第二间隙。

18.如权利要求15所述的工艺腔室，其中所述基座包括介电板和冷却板，所述介电板具有嵌入在所述介电板中的电极，所述冷却板耦接到所述介电板，并且所述工艺腔室进一步包含环绕所述介电板设置的下边缘环，其中第三间隙设置在所述下边缘环与所述介电板之间，且其中所述第一真空泵经由通道流体耦合至所述第三间隙。所述基座进一步包含环绕所述介电板设置的下边缘环，其中第三间隙设置在所述下边缘环与所述介电板之间，且其中所述第一真空泵经由通道流体耦合至所述第三间隙。

19.如权利要求18所述的工艺腔室，进一步包含：

20.如权利要求15所述的工艺腔室，其中所述腔室主体限定设置在所述基板支撑件下方的下部容积，其中所述第一真空泵设置在所述下部容积中。

技术总结本文提供用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件包括：基座，具有经配置以支撑基板的第一侧和与第一侧相对的第二侧；多个基板升降杆，延伸穿过基座，其中多个第一间隙设置在多个基板升降杆与基座中的多个基板升降杆开口的相应基板升降杆开口之间；及真空管线，从多个基板升降杆开口延伸并且经配置以抽空多个基板升降杆开口。技术研发人员：詹姆斯·大卫·卡杜奇,肯尼思·S·柯林斯,迈克尔·R·赖斯,卡提克·雷马斯瓦米,西尔韦斯特·安东尼·罗德里格斯,杨扬受保护的技术使用者：应用材料公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29