双极型集成电路及其制造方法和驱动器与流程

本发明涉及集成电路制造，尤其是涉及一种双极型集成电路及其制造方法和驱动器。

背景技术：

1、驱动器是由两组完全相同的数字逻辑电路以对称形式排列而成，这样就能达到平衡驱动的目的。采用低功耗肖特基工艺制造的驱动器具有5v单电源供电、兼容ttl电平、互补输出、电源断开时器件处于高阻态等特点，其三态输出具有驱动双扭线或平行线传输线这类平衡传输显得大电流输出，并能在电源断开时呈高阻态。低功耗肖特基可在不牺牲速度的情况下降低功耗，广泛应用于便携计算机、电池供电系统、电源发生器、终端、调制解调器等电子设备中。

2、采用普通双极型集成电路制造工艺生产驱动器时，经过清洗、外延、氧化、基区扩散、发射区扩散、光刻、金属化、钝化等工艺后，驱动器测试时会出现高电平输出电压voh偏低、静态高阻电流（high impedance currents, ioz，包括高电平电流iozh及低电平电流iozl）偏大现象。voh偏低，则驱动器应用时，当器件处于高电平状态时输出管脚上的最低电压无法保证应用需求；而ioz偏大则驱动器工作时，管脚处于高阻态时器件阻抗不能满足设计要求、管脚漏电流过高。

3、有鉴于此，特提出本发明。

技术实现思路

1、本发明的目的之一在于提供一种双极型集成电路的制造方法，以缓解现有的技术中电参数高电平输出电压voh偏低和电参数静态高阻电流偏大技术问题。

2、为解决上述技术问题，本发明特采用如下技术方案：

3、本发明的提供了一种双极型集成电路的制造方法，包括：

4、在双极型集成电路的制造过程中循环执行以下步骤：

5、基于当前的工艺参数制造双极型集成电路，所述工艺参数包括第一温度和第一时间，其中，制造双极型集成电路的工艺包括对硅片进行基区预扩散、对经过所述基区预扩散后的硅片进行基区再扩散、对硅片进行发射区预扩散以及对经过发射区预扩散的硅片进行发射区再扩散；

6、所述第一温度用于控制对经过所述基区预扩散后的硅片进行基区再扩散时的温度，所述对硅片进行发射区预扩散的工艺包括通过小氮进行磷预扩散；

7、所述第一时间用于表征对硅片进行发射区预扩散时磷预扩散的时长；

8、对所述双极型集成电路进行voh测试和/或ioz测试；

9、当所述双极型集成电路的voh测试结果或ioz测试结果不满足预设要求时，按照预设规则对所述工艺参数中的第一温度和/或第一时间进行修改，得到新的所述工艺参数，将新的所述工艺参数作为当前的所述工艺参数。

10、在第一方面的可选实施方式中，还包括：

11、当所述双极型集成电路的voh测试结果或ioz测试结果满足预设要求时，维持当前的所述工艺参数。

12、在第一方面的可选实施方式中，所述双极型集成电路的voh测试结果或ioz测试结果不满足预设要求时包括：

13、所述双极型集成电路的voh测试结果小于所述voh测试高电平输出电压的第一阈值；

14、或，所述双极型集成电路的ioz测试结果大于所述ioz测试高阻电流的第二阈值。

15、在第一方面的可选实施方式中，所述预设规则包括：

16、第一参数与第二参数的第一正相关函数关系；

17、第三参数与第四参数的第二正相关函数关系；

18、所述第一参数用于指示voh测试结果与所述第一阈值的差值的绝对值；

19、所述第三参数用于指示ioz测试结果与所述第二阈值的差值的绝对值；

20、所述第二参数和第四参数分别用于指示调整步长；

21、所述按照预设规则对所述工艺参数中的第一温度和第一时间进行修改，包括：

22、基于所述双极型集成电路的voh测试结果确定第一差值，基于所述双极型集成电路的ioz测试结果确定第二差值；

23、基于所述第一差值和所述第一正相关函数关系确定第一调整步长；

24、基于所述第二差值和所述第二正相关函数关系确定第二调整步长；

25、基于所述第一调整步长和所述第二调整步长确定目标调整步长；

26、基于当前的所述工艺参数以及所述目标调整步长，确定新的所述工艺参数。

27、在第一方面的可选实施方式中，所述双极型集成电路的voh测试结果或ioz测试结果满足预设要求时包括：

28、所述双极型集成电路的voh测试结果不小于所述第一阈值；

29、且，所述双极型集成电路的ioz测试结果不大于所述第二阈值。

30、在第一方面的可选实施方式中，在基于当前的工艺参数制造双极型集成电路之前，所述方法还包括：

31、确定初始的工艺参数；所述初始的工艺参数包括：在基区再扩散时，将基区预扩散处理后的硅片依次在干氧、湿氧、干氧气氛中在第一温度下进行热处理；

32、所述第一温度为1040℃~1060℃；

33、基于初始的所述工艺参数制造双极型集成电路；

34、对所述双极型集成电路进行voh测试和/或ioz测试；

35、当所述双极型集成电路的voh测试结果或ioz测试结果不满足预设要求时，按照预设规则对初始的所述工艺参数中的第一温度进行修改，得到新的所述工艺参数，将新的所述工艺参数作为当前的所述工艺参数。

36、在第一方面的可选实施方式中，在基于当前的工艺参数制造双极型集成电路之前，所述方法还包括：

37、确定初始的工艺参数；所述初始的工艺参数包括：在发射区预扩散时，将基区再扩散后的硅片按照第一时间进行磷预扩散；

38、所述第一时间为3min~6min；

39、基于初始的所述工艺参数制造双极型集成电路；

40、对所述双极型集成电路进行voh测试和/或ioz测试；

41、当所述双极型集成电路的voh测试结果或ioz测试结果不满足预设要求时，按照预设规则对初始的所述工艺参数中的第一时间进行修改，得到新的所述工艺参数，将新的所述工艺参数作为当前的所述工艺参数。

42、在第一方面的可选实施方式中，当所述双极型集成电路的voh测试结果或ioz测试结果不满足预设要求时，通过voh测试结果与所述第一阈值确定第一参数；

43、通过ioz测试结果与所述第二阈值确定所述第二参数；

44、基于所述双极型集成电路的voh测试结果确定第一差值，基于所述双极型集成电路的ioz测试结果确定第二差值；

45、基于所述第一差值和所述第一正相关函数关系确定第一调整步长；

46、基于所述第二差值和所述第二正相关函数关系确定第二调整步长；

47、基于所述第一调整步长和所述第二调整步长确定目标调整步长；

48、重新设置所述基区再扩散热处理的第一温度或所述发射区预扩散时磷扩散的第一时间，直到所述双极型集成电路的voh测试结果和/或ioz测试结果满足预设要求。

49、在第一方面的可选实施方式中，所述voh测试的预设要求为voh≥2.75v，第一阈值为2.75v；

50、所述ioz测试的预设要求为≤10μa，第二阈值为10μa。

51、本发明第二方面提供了一种驱动器，包括第一方面所述制造方法制成的双极型集成电路。

52、与现有技术相比，本发明至少具有如下有益效果：

53、本发明提供的双极型集成电路的制造方法，通过voh测试结果或ioz测试结果来修正第一温度和/或第一时间，增加基极结深，进而提高voh值，同时因为基区结深发生显影的变化，基区扩散的变化直接影响发射区扩散，需要提高磷扩散通源时间，使得制造得到的双极型集成电路提高了电参数高电平输出电压voh，降低了电参数静态高阻电流。将该双极型集成电路应用于驱动器时，确保了驱动器的正常使用。