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一种磁场下高比能纳米缺陷Co3O4负极材料的制备方法及应用

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:06:01

本发明属于材料制备领域与储能器件领域,具体涉及一种磁场下高比能纳米缺陷co3o4负极材料的制备方法及应用。

背景技术:

1、锂离子电容器结合锂离子电池和超级电容器二者的储能机制,正极与超级电容器正极相同,负极与锂离子电池负极相同,同时利用正极的双电层电容反应机理与负极的氧化还原反应机理,理论上具有高能量密度、高功率密度、长循环寿命和高安全性等优势,拥有良好的应用前景,是当前储能领域研究热点方向之一。然而,正极快速的法拉第过程和负极缓慢的非法拉第过程,这两种动力学过程的不匹配是影响锂离子电容器性能的关键因素。为了将锂离子电容器进行商业化应用,需要寻找一种高效、高性能的电池型电极,尤其是具有增强动力学的电池型电极。

2、过渡金属氧化物(tmos)因其高理论容量、低成本等优势成为锂离子电容器的最具潜力的负极材料之一。co3o4作为tmos的代表,涉及八电子反应,具有890mah/g的高理论容量,但作为负极材料应用于锂离子电容器仍需解决如下两个关键问题:(1)电导率低导致锂离子/电子迁移缓慢,从而影响锂离子电容器的功率密度;(2)电化学循环过程中的锂离子嵌入/脱出会引起co3o4巨大的体积变化,从而降低锂离子电容器的循环寿命。

3、目前,研究人员已经探究出各种方法可以缓解co3o4的上述缺点,提高其锂存储性能。一种有效的策略是将co3o4纳米化。纳米结构提供了开放的孔道,可以有效地促进li+的扩散,缓解体积膨胀和颗粒团聚。另一种有效的策略是在晶格中产生空位,这可以从本质上改变材料的物理化学性质。研究表明,氧空位的引入可以提高电导率,增加活性位点,这有利于显著提高锂的存储能力。但是这些方法往往受到实际条件的限制,复杂且成本高昂。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足,本发明提供了一种磁场下高比能纳米缺陷co3o4负极材料的制备方法及应用,具体涉及一种纳米缺陷co3o4的制备方法,以及该材料在锂离子电池和锂离子电容器中的应用,其作为锂离子电池负极材料使用具有高可逆容量和倍率性能,与活性炭组装的ac//co3o4锂离子电容器具有高能量密度和功率密度。所解决的技术问题为:缓解co3o4在充放电过程中,巨大的体积变化和颗粒团聚导致的容量快速衰减的问题,促进锂离子在电解液中的扩散,提升电极反应动力学。

2、为实现上述目的,本发明所采用的技术方案如下:

3、一种磁场下高比能纳米缺陷co3o4负极材料的制备方法,具体包括以下步骤:

4、(1)称取2-甲基咪唑与六水合硝酸钴分别溶于溶剂中,经超声处理充分溶解后,将2-甲基咪唑的溶液称为a液,六水合硝酸钴的溶液称为b液;

5、(2)将b液迅速倾倒在a液中,混合均匀后置于匀强磁场中静置,得到混合液;

6、(3)将步骤(2)处理后的混合液进行离心、洗涤、干燥,获得紫色粉末,进行煅烧处理,自然冷却后取出,得到纳米缺陷co3o4。

7、其中:

8、所述步骤(1)中,2-甲基咪唑和六水合硝酸钴均为固体,二者的摩尔比为(4~16):1。

9、所述步骤(1)中,溶剂选自无水甲醇、去离子水和无水乙醇中的一种。

10、所述步骤(1)中,超声处理时间为5~10min。

11、所述步骤(1)中,a液中2-甲基咪唑的浓度为0.09~0.4mol/l,b液中六水合硝酸钴的浓度为0.024~0.048mol/l。

12、所述步骤(2)中,磁场强度为0.1~2t,静置时间为2~24h。

13、所述步骤(3)中,混合液离心的转速为5000~10000r/min,离心时间为3~10min。

14、所述步骤(3)中,离心后采用甲醇、去离子水或乙醇洗涤3~5次。

15、所述步骤(3)中,洗涤后的产物在60~100℃的温度下干燥12~24h。

16、所述步骤(3)中,煅烧处理具体为:在空气中以1~10℃/min的加热速率升温至300~500℃,保温时间为2~12h。

17、上述纳米缺陷co3o4负极材料在锂离子电池中的应用,具体包括以下步骤:

18、将纳米缺陷co3o4、乙炔黑和聚偏二氟乙烯(pvdf)与n-甲基-2-吡咯烷酮(nmp)混合制备浆料,涂覆在铜箔的粗糙面上,烘干后裁剪得到负极片,并以商业锂片为对电极,按照正极壳→锂片→隔膜→负极→钢片→垫片→负极壳的顺序组装锂离子电池。

19、其中:

20、所述co3o4、乙炔黑和pvdf为固体,co3o4与乙炔黑、pvdf的质量比为(7~9):(1~2):1,三者总质量为20~40mg;nmp的用量为5~15μl。

21、所述负极片的直径为12~16mm。

22、所述锂离子电池在0.2a/g电流密度下进行充放电测试,循环300圈后,其比容量≥1500mah/g。

23、上述纳米缺陷co3o4负极材料在锂离子电容器中的应用,具体包括以下步骤:

24、将上述锂离子电池中的负极片预锂化,同时将活性炭与乙炔黑、pvdf和n-甲基-2-吡咯烷酮(nmp)混合制备浆料,涂覆在铝箔的粗糙面上,烘干后裁剪得到正极片,按照正极壳→正极片→隔膜→预理化负极→钢片→垫片→负极壳的顺序组装锂离子电容器。

25、其中:

26、所述负极片预锂化时间为10~60min。

27、所述活性炭、乙炔黑和pvdf为固体,活性炭、乙炔黑和pvdf的质量比为(7~9):(1~2):1,三者总质量为20~40mg;nmp的用量为5~15μl。

28、所述正极片的直径为12~16mm。

29、所述负极片中co3o4与正极片中的活性炭的质量比为1:(1~5)。

30、所述锂离子电容器在功率密度为300~5000w/kg时,其能量密度为80~400wh/kg,在1a/g电流密度下对co3o4//ac锂离子电容器进行循环稳定性测试,测试温度为30~50℃,充放电电压范围为0~4v,进行3000次充放电后,该锂离子电容器的容量保持率≥60%。

31、与现有技术相比,本发明的有益效果在于:

32、1.本发明所提供的方法简单、成本低、重复性好;

33、2.本发明制得的纳米缺陷co3o4材料可提高电极材料的电导率,促进锂离子/电子的迁移,提升电极反应动力学;还可细化晶粒并减少co3o4纳米颗粒的团聚,增大材料的比表面积,获得高的比容量;进一步可以缓解co3o4在充放电过程中的体积变化,提高电极的循环稳定性。

34、3.本发明制得的纳米缺陷co3o4材料组装锂离子电容器后获得了超高的能量密度。

技术特征:

1.一种磁场下高比能纳米缺陷co3o4负极材料的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种磁场下高比能纳米缺陷co3o4负极材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,2-甲基咪唑和六水合硝酸钴均为固体,二者的摩尔比为(4~16):1;

3.根据权利要求1所述的一种磁场下高比能纳米缺陷co3o4负极材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,磁场强度为0.1~2t,静置时间为2~24h。

4.根据权利要求1所述的一种磁场下高比能纳米缺陷co3o4负极材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,混合液离心的转速为5000~10000r/min,离心时间为3~10min;离心后采用甲醇、去离子水或乙醇洗涤3~5次,洗涤后的产物在60~100℃的温度下干燥12~24h。

5.根据权利要求1所述的一种磁场下高比能纳米缺陷co3o4负极材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,煅烧处理具体为:在空气中以1~10℃/min的加热速率升温至300~500℃,保温时间为2~12h。

6.一种磁场下高比能纳米缺陷co3o4负极材料,其特征在于,采用权利要求1所述的制备方法制得。

7.权利要求6所述的磁场下高比能纳米缺陷co3o4负极材料在锂离子电池中的应用,其特征在于,具体包括以下步骤:

8.根据权利要求7所述的磁场下高比能纳米缺陷co3o4负极材料在锂离子电池中的应用,其特征在于,所述锂离子电池在0.2a/g电流密度下进行充放电测试,循环300圈后,其比容量≥1500mah/g。

9.权利要求6所述的磁场下高比能纳米缺陷co3o4负极材料在锂离子电容器中的应用,其特征在于,具体包括以下步骤:

10.根据权利要求9所述的磁场下高比能纳米缺陷co3o4负极材料在锂离子电容器中的应用,其特征在于,所述锂离子电容器在功率密度为300~5000w/kg时,其能量密度为80~400wh/kg,在1a/g电流密度下对co3o4//ac锂离子电容器进行循环稳定性测试,测试温度为30~50℃,充放电电压范围为0~4v,进行3000次充放电后,该锂离子电容器的容量保持率≥60%。

技术总结一种磁场下高比能纳米缺陷Co<subgt;3</subgt;O<subgt;4</subgt;负极材料的制备方法及应用,属于材料制备领域与储能器件领域,在Co‑ZIF‑67前驱体的生长过程中引入磁场,通过磁场对材料生长的影响,煅烧后获得一种纳米级的介孔缺陷Co<subgt;3</subgt;O<subgt;4</subgt;,以此为负极组装锂离子电容器。具体方法为:2‑甲基咪唑与六水合硝酸钴分别充分溶解于溶剂中,将二者混合后置于磁场中静置;混合液离心、洗涤、干燥后获得紫色粉末并进行煅烧处理,待自然冷却后取出,以此为负极,活性碳为正极,组装锂离子电容器。本发明的方法能提高Co<subgt;3</subgt;O<subgt;4</subgt;的比表面积和氧空位含量,达到了增多活性位点并改善反应动力学的目的,极大提高了材料容量和循环性能,组装电容器后具有超高的能量密度。技术研发人员:袁双,吕福森,刘家岐,谭新佳,刘铁,王强受保护的技术使用者:东北大学技术研发日:技术公布日:2024/7/29

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