芯片结构及其制备方法与流程

本公开涉及集成电路，特别是涉及一种芯片结构及其制备方法。

背景技术：

1、在芯片制备过程中，常需要在晶圆上形成多层不同材料的膜层。在加热等工艺中，不同材料的热膨胀系数不同，这导致膜层之间产生应力，进而使得晶圆出现翘曲现象。

2、过度翘曲会导致晶圆分层、裂片或者加工时无法固定等情况。因此，目前亟需一种能够降低晶圆翘曲角度的方法。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对现有技术中晶圆翘曲角度较大的问题提供一种芯片结构及其制备方法。

2、为了实现上述目的，一方面，提供了一种芯片结构，包括：

3、芯片本体，包括第一面以及与所述第一面连接的外周表面；

4、预封装层，至少包围所述芯片本体的外周表面；

5、塑封层，覆盖所述第一面以及所述预封装层。

6、在其中一个实施例中，所述预封装层位于所述芯片本体的第一面和所述塑封层之间。

7、在其中一个实施例中，所述预封装层的材料与所述塑封层的材料一致。

8、另一方面，提供了一种芯片结构的制备方法，包括如下步骤：

9、提供第一载板，所述第一载板上具有多个芯片本体；

10、形成覆盖所述第一载板且包围所述芯片本体的预封装层；

11、去除所述第一载板，并获得多个预封装芯片，所述预封装芯片包括芯片本体以及所述预封装层；

12、将多个所述预封装芯片转移至第二载板；

13、形成覆盖所述第二载板和所述预封装芯片的塑封层。

14、在其中一个实施例中，所述提供第一载板，包括：

15、于所述第一载板上形成第一粘合层；

16、于所述第一粘合层上形成所述多个芯片本体；

17、所述去除所述第一载板，并获得多个预封装芯片，包括：

18、剥离所述第一粘合层以去除所述第一载板。

19、在其中一个实施例中，所述第一粘合层的材料包括热玻璃膜，所述剥离所述粘合层以去除所述第一载板，包括：

20、加热所述第一载板，以剥离所述热玻璃膜。

21、在其中一个实施例中，所述剥离所述第一粘合层以去除所述第一载板之后，包括：

22、对所述预封装层和所述芯片本体进行划片处理，获得多个所述预封装芯片。

23、在其中一个实施例中，所述形成覆盖所述第一载板且包围所述芯片本体的预封装层，包括：

24、形成覆盖所述第一载板和所述芯片本体的预封装材料层；

25、于所述芯片本体远离所述预封装材料层的一侧形成保护层；

26、研磨去除部分远离所述保护层的所述预封装材料层，形成包围所述芯片本体的预封装层；

27、剥离所述保护层。

28、在其中一个实施例中，所述形成覆盖所述第二载板和所述预封装芯片的塑封层，包括：

29、于所述第二载板上形成第二粘合层；

30、于所述第二粘合层上形成多个所述预封装芯片；

31、形成覆盖所述第二载板和所述预封装芯片的所述塑封层。

32、在其中一个实施例中，所述形成覆盖所述第二载板和所述预封装芯片的所述塑封层之后，包括：

33、剥离所述第二粘合层以去除所述第二载板。

34、本说明书的芯片结构及其制备方法具有如下有益效果：通过先设置预封装层包围芯片结构，再后续制备塑封层时，预封装层减少了塑封层与芯片结构的接触面积，这减小了塑封层与芯片结构之间的应力。而且，在此过程中，预封装层几乎不会发生形变，这进一步减少了塑封层与芯片结构之间热膨胀形变因素，二者共同降低了塑封层的翘曲角度。同时，加热时预封装层和塑封层的材料相近使得二者可以融合，进一步消除了芯片本体与塑封层之间产生的应力，最终使得芯片结构具有平坦的表面。此后，可以在平坦的表面上形成其他稳定的结构。

技术特征：

1.一种芯片结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述预封装层位于所述芯片本体的第一面和所述塑封层之间。

3.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述预封装层的材料与所述塑封层的材料一致。

4.一种芯片结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

5.根据权利要求4所述的芯片结构的制备方法，其特征在于，所述提供第一载板，包括：

6.根据权利要求5所述的芯片结构的制备方法，其特征在于，所述第一粘合层的材料包括热玻璃膜，所述剥离所述粘合层以去除所述第一载板，包括：

7.根据权利要求5所述的芯片结构的制备方法，其特征在于，所述剥离所述第一粘合层以去除所述第一载板之后，包括：

8.根据权利要求4所述的芯片结构的制备方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第一载板且包围所述芯片本体的预封装层，包括：

9.根据权利要求4所述的芯片结构的制备方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第二载板和所述预封装芯片的塑封层，包括：

10.根据权利要求9所述的芯片结构的制备方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第二载板和所述预封装芯片的所述塑封层之后，包括：

技术总结本公开涉及一种芯片结构及其制备方法，芯片结构包括：芯片本体，包括第一面以及与第一面连接的外周表面；预封装层，至少包围芯片本体的外周表面；塑封层，覆盖第一面以及预封装层。通过先设置预封装层包围芯片结构，再后续制备塑封层时，预封装层减少了塑封层与芯片结构的接触面积，这减小了塑封层与芯片结构之间的应力。而且，在此过程中，预封装层几乎不会发生形变，这进一步消除了塑封层与芯片结构之间膨胀形变因素，降低了塑封层的翘曲角度。同时，加热时预封装层和塑封层的材料相近使得二者可以融合，进一步消除了芯片本体与塑封层之间产生的应力，最终使得芯片结构具有平坦的表面。此后，可以在平坦的表面上形成其他稳定的结构。技术研发人员：陈飞洋,林煜斌,孙群峰,冯京,周美根,吕忠宏受保护的技术使用者：长电集成电路（绍兴）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29