发光二极管芯片及其检测方法、芯片检测及转移装置与流程

本发明涉及显示，尤其涉及一种发光二极管芯片及其检测方法、芯片检测及转移装置。

背景技术：

1、微型发光二极管(micro-led)芯片的巨量转移以及检测修复工艺是制约其量产化的最大问题点。

2、然而，在micro-led芯片的制备工艺流程中，由于芯片的数量庞大，因此芯片的检测及修复的难度非常大，且检测及修复的效率较低。

3、因此，如何提高芯片的检测及修复效率，进而提高芯片的巨量转移效率，是亟需解决的问题。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光二极管芯片及其检测方法、芯片检测及转移装置，旨在解决如何提高芯片的检测及修复效率，进而提高芯片的巨量转移效率及良率。

2、本申请实施例提供一种发光二极管芯片，包括：外延结构、第一电极以及第二电极。外延结构包括：沿第一方向层叠的第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层。第一电极设置于第一型半导体层背离多量子阱层的一侧，且沿第二方向伸出于外延结构两侧；第二方向与第一方向正交。第二电极设置于第二型半导体层背离多量子阱层的一侧，且沿第二方向伸出于外延结构两侧。其中，第一电极和第二电极伸出于外延结构同一侧的长度不同。

3、本申请实施例中，发光二极管芯片的第一电极和第二电极伸出于外延结构同一侧的长度不同，方便于从发光二极管芯片的两侧分别对第一电极和第二电极施加电压，以驱动发光二极管芯片发光，从而进行发光二极管芯片的缺陷检测。如此，在将发光二极管芯片键合至驱动背板之前，即可一次性实现对所有待键合的发光二极管芯片的缺陷检测，以提高发光二极管芯片的检测及修复效率。进而，可以针对已通过缺陷检测的发光二极管芯片进行巨量转移，以利于提高发光二极管芯片的巨量转移效率及良率。

4、可选地，发光二极管芯片还包括包覆结构。包覆结构包覆外延结构和第一电极、第二电极，且包覆结构在第二方向上的第一侧暴露出第一电极的一端，在第二方向上的第二侧暴露出第二电极的一端。

5、可选地，包覆结构的宽度沿第二方向呈线性变化。包覆结构的宽度为包覆结构在第一方向上的尺寸。

6、基于同样的发明构思，本申请还提供了一种芯片检测及转移装置，包括暂存基板。暂存基板具有多个芯片嵌合孔。芯片嵌合孔用于嵌合如前述实施例中任一项所述的发光二极管芯片。其中，暂存基板的厚度方向为第二方向，暂存基板的厚度小于第一电极和/或第二电极在第二方向上的尺寸。

7、本申请实施例中，暂存基板具有芯片嵌合孔，以用于嵌合发光二极管芯片。如此，利用暂存基板可以对嵌入的发光二极管芯片起到固定作用，使得所有待键合的发光二极管芯片固定和排布在同一平面上，以便于一次性实现对所有待键合的发光二极管芯片的缺陷检测，且便于异常芯片的去除和修补，从而提高发光二极管芯片的检测及修复效率。

8、可选地，芯片检测及转移装置还包括：第一电压板以及第二电压板。第一电压板用于接触第一电极暴露于暂存基板外侧的端面，以向第一电极提供第一电压。第二电压板用于接触第二电极暴露于暂存基板外侧的端面，以向第二电极提供第二电压。

9、本申请实施例中，第一电压板向第一电极提供第一电压，第二电压板向第二电极提供第二电压，以驱动所有发光二极管芯片发光。如此，可以通过记录未能被点亮的发光二极管芯片(即异常芯片)的位置，将异常芯片移除并在暂存基板上嵌入新的发光二极管芯片(即补位芯片)，进而提高了发光二极管芯片的检测及修复效率。

10、基于同样的发明构思，本申请还提供了一种发光二极管芯片的检测方法，包括以下步骤：提供暂存基板，暂存基板具有多个芯片嵌合孔。于芯片嵌合孔内嵌合如前述实施例中任一项所述的发光二极管芯片，并使第一电极的一端和第二电极的一端分别暴露于暂存基板的两侧。向第一电极暴露于暂存基板外侧的一端施加第一电压，向第二电极暴露于暂存基板外侧的一端施加第二电压，以点亮发光二极管芯片，并于发光二极管芯片未能被点亮时，确定发光二极管芯片为异常芯片。

11、本申请实施例中，首先采用具有芯片嵌合孔的暂存基板嵌合发光二极管芯片，可以对嵌入的发光二极管芯片起到固定作用。其次，发光二极管芯片中的第一电极的一端和第二电极的一端分别暴露于暂存基板的两侧，可以实现同时分别对第一电极和第二电极施加电压。最后，通过第一电压板向第一电极提供第一电压，第二电压板向第二电极提供第二电压，以驱动所有发光二极管芯片发光，便于一次性实现对所有待键合的发光二极管芯片的缺陷检测，且便于后续异常芯片的去除和修补。如此，提高了发光二极管芯片的检测及修复效率，进而有利于提高发光二极管芯片的巨量转移效率。

12、可选地，发光二极管芯片的检测方法还包括以下步骤：移除异常芯片。于移除异常芯片后的芯片嵌合孔内重新嵌合发光二极管芯片作为补位芯片，以重新点亮补位芯片，并于补位芯片能被点亮时保留补位芯片于芯片嵌合孔内。

13、基于同样的发明构思，本申请还提供了一种发光二极管芯片的巨量转移方法，包括以下步骤：提供暂存基板，暂存基板具有多个芯片嵌合孔。于芯片嵌合孔内嵌合如前述实施例中任一项所述的发光二极管芯片，并使发光二极管芯片在第二方向上的两端分别暴露于暂存基板的第一侧和第二侧。于暂存基板的第一侧形成封装层；封装层覆盖发光二极管芯片暴露于第一侧的端部。研磨发光二极管芯片暴露于第二侧的端部，以暴露出第一电极和第二电极位于第二侧的端面。去除暂存基板，得到待转移结构。

14、本申请实施例中，发光二极管芯片的巨量转移采用如上方法，该发光二极管芯片的巨量转移所能实现的技术效果与前述实施例中发光二极管芯片所能具有的技术效果相同，此处不再详述。

15、可选地，发光二极管芯片的巨量转移方法还包括以下步骤：将待转移结构中暴露出的第一电极和第二电极对应键合至驱动背板。于封装层和驱动背板之间形成隔离层，隔离层填充相邻发光二极管芯片之间的空隙并隔离相邻发光二极管芯片。

16、可选地，于暂存基板的第一侧形成封装层之前，发光二极管芯片的巨量转移方法还包括：对各发光二极管芯片执行如前述实施例中任一项所述的发光二极管芯片的检测方法。

技术特征：

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括：

3.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述包覆结构的宽度沿所述第二方向呈线性变化；所述包覆结构的宽度为所述包覆结构在所述第一方向上的尺寸。

4.一种芯片检测及转移装置，其特征在于，包括：

5.如权利要求4所述的芯片检测及转移装置，其特征在于，还包括：

6.一种发光二极管芯片的检测方法，其特征在于，包括：

7.如权利要求6所述的发光二极管芯片的检测方法，其特征在于，还包括：

8.一种发光二极管芯片的巨量转移方法，其特征在于，包括：

9.如权利要求8所述的发光二极管芯片的巨量转移方法，其特征在于，还包括：

10.如权利要求8所述的发光二极管芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述于所述暂存基板的第一侧形成封装层之前，还包括：

技术总结本发明涉及一种发光二极管芯片及其检测方法、芯片检测及转移装置。所述发光二极管芯片包括：外延结构、第一电极以及第二电极。外延结构包括：沿第一方向层叠的第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层。第一电极设置于第一型半导体层背离多量子阱层的一侧，且沿第二方向伸出于外延结构两侧；第二方向与第一方向正交。第二电极设置于第二型半导体层背离多量子阱层的一侧，且沿第二方向伸出于外延结构两侧。其中，第一电极和第二电极伸出于外延结构同一侧的长度不同。上述发光二极管芯片利于提高检测及修复效率，进而提高巨量转移效率及良率。技术研发人员：潘飞,刘政明受保护的技术使用者：重庆康佳光电科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29