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具有发光二极管阵列的显示器及其制造方法与流程

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:02:10

本发明涉及一种显示器及其制造方法,且特别是涉及一种具有发光二极管阵列的显示器及其制造方法。

背景技术:

1、随着发光二极管(led)技术的成熟与演进,直接利用led达到自发光显示像素的全彩led显示器或微型(micro)led显示器的技术也正蓬勃发展中,其应用领域相较于tft-lcd更为广泛,包含软性、透明显示器,为一可行性高的次世代平面显示器技术。然而在商业化上,仍有不少的成本与技术瓶颈存在,亟待克服。例如,已知的一主动(有源)式发光二极管阵列的显示器,利用于电极上制作接点(bumps)来电连接一驱动基板与一发光二极管阵列。然而,此连接方式不但制作工艺困难,接点与发光二极管的电极之间的对位也不容易。再者没有底材支撑于驱动基板与发光二极管阵列之间,因此用以形成发光二极管阵列的基板(例如蓝宝石基板)无法移除。而基板的存在会影响像素之间光信号,造成互相干扰(cross-talk),影响显示品质。

技术实现思路

1、本发明有关于一种具有发光二极管阵列的显示器及其制造方法,实施例中,利用于一驱动基板和一发光二极管阵列之间形成粘结层,使原先用以形成发光二极管阵列的长晶基板可以在设置粘结层之后移除,因而解决像素之间光信号互相干扰的问题。

2、根据一实施例,提出一种显示器,包括具有多个电控元件的一基板;一发光二极管阵列(led array),包括一半导体层和多个发光单元形成于半导体层上;形成于半导体层上的多个第一电极;形成于基板和发光二极管阵列之间的一粘结层;和多个波长转换元件,形成于半导体层上并与发光单元位于半导体层的不同侧,波长转换元件的位置与发光单元之位置相对应,其中波长转换元件彼此相距一距离。

3、根据一实施例,提出一种显示器,包括:具有多个电控元件的一基板;一发光二极管阵列(led array),包括一半导体层和多个发光单元形成于半导体层上;形成于半导体层上的多个第一电极;和一粘结层,包括一粘结材料和多个连接金属位于粘结材料中,粘结材料填充于基板和发光二极管阵列之间,连接金属包括:分别对应发光单元的多个第一部分,和对应于第一电极的至少一部分的多个第二部分,其中,该些第一部分的高度不同于该些第二部分的高度。

4、根据一实施例,提出一种显示器的制造方法,包括:提供一基板,基板具有多个电控元件;形成多个连接导体于基板上,其中连接导体包括多个第一部分和多个第二部分;提供一发光二极管阵列,此发光二极管阵列包括一半导体层和多个发光单元形成于半导体层上;对组发光二极管阵列和基板;形成一粘结层于基板和发光二极管阵列之间;和形成多个波长转换元件于半导体层上,且波长转换元件与发光单元位于该半导体层的不同侧,其中波长转换元件的位置与发光单元的位置相对应,且波长转换元件彼此相距一距离。而前述形成粘结层的步骤可以在对组发光二极管阵列和基板的步骤之前或之后进行。

5、为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解,下文特举实施例,并配合所附的附图详细说明如下:

技术特征:

1.一种显示器,包括:

2.如权利要求1所述的显示器,其中该发光二极管阵列和该多个波长转换元件之间没有长晶基板。

3.如权利要求1所述的显示器,其中,该粘结层包括粘结材料以及多个连接金属,该多个连接金属被该粘结材料围绕。

4.如权利要求3所述的显示器,其中,该粘结材料填充于该多个连接金属、该基板、以及该发光二极管阵列之间。

5.如权利要求1所述的显示器,还包括透明层位于该多个波长转换元件之上。

6.如权利要求1所述的显示器,其中,该多个活性层具有一个活性层未被该多个波长转换元件覆盖。

7.如权利要求1所述的显示器,还包括金属层,形成于该多个活性层中的两相邻的活性层之间,并位于该第一半导体层之下。

8.如权利要求1所述的显示器,还包括多个连接金属,分别覆盖该多个接垫;

9.如权利要求1所述的显示器,其中,该第一电极与该多个第二电极具有不同的电性,且该第一电极较该多个第二电极具有较大的厚度。

技术总结本发明公开一种具有发光二极管阵列的显示器及其制造方法,其中该显示器,包括具有多个电控元件的一基板;一发光二极管阵列,包括一半导体层和多个发光单元形成于半导体层上;形成于半导体层上的多个第一电极;形成于基板和发光二极管阵列之间的一粘结层;和多个波长转换元件,形成于半导体层上并与发光单元位于半导体层的不同侧,波长转换元件的位置与发光单元的位置相对应,其中波长转换元件彼此相距一距离。技术研发人员:谢明勋受保护的技术使用者:晶元光电股份有限公司技术研发日:技术公布日:2024/7/29

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