一种半导体封装方法及形成的半导体封装结构与流程

本申请涉及一种半导体封装结构；更具体地涉及一种具有空腔结构的扇出半导体结构。本申请还涉及一种采用牺牲层来制造所述半导体封装结构的方法，以防止在减薄或研磨过程中芯片产生破裂，从而制造出所述具有空腔结构的扇出半导体结构。

背景技术：

1、减薄工艺是指减少半导体晶圆或重组面板的厚度的半导体制造工艺。减薄工艺通常是通过使用砂轮从半导体晶圆或重组面板的背面去除一部分来进行的，因此也称为背面研磨工艺。

2、然而，当前的背面研磨工艺面临着芯片破裂的潜在风险，特别是对于碳化硅(sic)和氮化镓(gan)等下一代半导体材料，因为它们比硅(si)具有更高的硬度和脆性。

3、因此，本申请公开了一种解决重组面板在背磨过程中芯片开裂问题的方法，以及采用所述方法制造的扇出半导体结构。

技术实现思路

1、作为本申请的第一方面，公开了一种半导体结构，其包括：至少一个芯片，其具有位于彼此相对的芯片有源面和芯片背面之间的芯片厚度，其中芯片有源面包括芯片焊垫；在芯片有源面上形成的一保护层，其中在所述保护层中形成预通孔，以将所述芯片焊垫从所述预通孔中露出；一模塑层，以封装所述至少一个芯片和保护层，其中芯片背面从所述模塑层中露出，并且所述模塑层的模塑厚度大于所述芯片厚度和所述保护层的厚度之和，以形成一个空腔轮廓；以及与所述空腔轮廓共形地形成的一传导层，用于形成所述导电层的凹形轮廓。

2、作为本申请的第二方面，公开了一种制造半导体结构的方法，其包括：提供至少一个芯片，其具有彼此相对的芯片有源面和芯片背面，其中所述芯片有源面包括芯片焊垫，以及形成在芯片背面上的一牺牲层；形成一模塑层，用于封装所述至少一个芯片和牺牲层；去除所述模塑层的一部分，用于将所述牺牲层从所述模塑层中露出；从所述芯片背面去除所述牺牲层，以形成一空腔轮廓；以及与所述空腔轮廓共形地形成一传导层，以形成所述传导层的凹形轮廓。

3、作为本申请的第三方面，公开了一种制造半导体结构的方法，其包括：提供一半导体晶圆，其具有彼此相对的晶圆有源面和晶圆背面，其中所述半导体晶圆包括多个未分割的芯片；在所述晶圆背面上形成一牺牲层；将所述半导体晶圆分割成多个芯片，其中所述牺牲层位于所述芯片的芯片背面；将所述多个芯片放置在一载体之上，其中所述牺牲层远离所述载体；在所述载体上形成一模塑层，用于封装所述芯片和牺牲层；去除所述模塑层的一部分，用于将所述牺牲层从所述模塑层中露出；从所述芯片背面去除所述牺牲层，以形成一空腔轮廓；以及共形地与所述空腔轮廓形成一传导层，以形成所述传导层的凹形轮廓。

技术特征：

1.一种半导体结构，其特征在于，该结构包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该结构还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述至少一个芯片包括两个或多个芯片，被封装在所述模塑层内，用于形成多芯片模块mcm，其中所述两个或多个芯片电耦合至所述构建层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该结构还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该结构还包括：

6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述多芯片模块mcm的两个或多个芯片中的至少一个芯片被完全封装在所述模塑层内。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该结构还包括：

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该结构还包括：

9.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，该方法包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

14.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，该方法包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

19.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

20.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

技术总结本申请公开了一种半导体封装方法及形成的半导体封装结构，其中半导体结构包括：至少一个芯片，其具有位于彼此相对的芯片有源面和芯片背面之间的芯片厚度，其中芯片有源面包括芯片焊垫；在芯片有源面上形成的一保护层，其中在所述保护层中形成预通孔，以将所述芯片焊垫从所述预通孔中露出；一模塑层，以封装所述至少一个芯片和保护层，其中芯片背面从所述模塑层中露出，并且所述模塑层的模塑厚度大于所述芯片厚度和所述保护层的厚度之和，以形成一个空腔轮廓；以及与所述空腔轮廓共形地形成的一传导层，用于形成所述导电层的凹形轮廓。本申请还公开了一种制造半导体结构的方法，用于制造所述的半导体结构。技术研发人员：周辉星受保护的技术使用者：PEP创新私人有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29