正装LED芯片及改善芯片电极粗糙的方法与流程

本发明涉及led生产，尤其涉及一种正装led芯片及改善芯片电极粗糙的方法。

背景技术：

1、发光二极管，简称为led，是一种常用的发光器件，其通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用广泛，led最初用于仪器仪表的指示性照明，随后扩展到交通信号灯。再到景观照明、车用照明和手机键盘及背光源。后来发展出微型发光二极管(micro-led)的新技术，其将原本发光二极管的尺寸大幅缩小，用可独立发光的红、蓝、绿微型发光二极管成阵列排列形成显示阵列用于显示技术领域，而随着发光二极管体积的减小，其生产成本的也大幅增加，产品的良率对生产成本的影响较大，因此提升产品的良率产出变得越来越重要。

2、随着产品尺寸越来越小，相对的金属电极所占的比例会越来越大，这时电极表面的凹坑会变得更加明显，该问题常常导致下游应用商无法正常对芯片进行pr识别(模式识别)，影响产品的正常使用，导致产品的外观良率较低，因此，提高微型发光二极管的外观良率，以降低生产成本，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

3、基于此，现有技术仍然有待改进。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本发明实施例提出一种正装led芯片及改善芯片电极粗糙的方法，以解决现有技术的电极表面粗糙而导致的一系列问题。

2、为解决上述技术问题，一方面，本发明一些实施例公开了一种改善芯片电极粗糙的方法，在形成有金属电极结构的芯片中间体上覆盖牺牲层后，进行熔合退火处理，确保金属电极与半导体之间形成欧姆接触，然后蚀刻掉牺牲层。

3、一些实施例中，牺牲层通过等离子体化学气相沉积的方式形成。

4、一些实施例中，牺牲层为二氧化硅膜层或氮化硅膜层。

5、一些实施例中，牺牲层的厚度为1000±100a。

6、一些实施例中，牺牲层的生长温度为100±1℃。

7、一些实施例中，在芯片中间体上覆盖牺牲层之前，需要对芯片中间体进行清洗操作。

8、一些实施例中，清洗操作包括使用丙酮清洗后，使用异丙醇沥水后甩干，使表面洁净且无水渍。

9、一些实施例中，蚀刻掉牺牲层为采用氟化铵溶液进行蚀刻。

10、一些实施例中，形成有金属电极结构的芯片中间体的制备包括：

11、在外延片表面生长氧化硅层，氧化硅层上光刻形成电流阻挡层，在电流阻挡层上蒸镀多层金属，形成镜面反射镜结构后进行熔合退火处理并清洗后，得到欧姆接触良好的第一中间体；

12、在硅片表面蒸镀一层金属，得到第二中间体；

13、将第一中间体和第二中间体进行键合，得到第三中间体；

14、使用化学溶液去除掉第三中间体的外延结构的生长衬底及截止层后，进行光刻处理，做出外延导电层的图形后，并使用化学溶液去除掉表面的光刻胶掩膜；

15、在去除掉表面的光刻胶掩膜的第三中间体上形成金属电极。

16、另一方面，本发明一些实施例还公开了一种正装led芯片，其采用上述的方法制得。

17、采用上述技术方案，本发明至少具有如下有益效果：

18、本发明提供的一种正装led芯片及改善芯片电极粗糙的方法，在做出金属电极后增加牺牲层覆盖的工序，将sio2或sinx沉积在电极表面，再进行熔合退火，之后通过湿蚀刻的方式去除该层牺牲层。金属电极在熔合时因表面及侧壁被牺牲层包覆，因此在去除应力时金属元素无法自由的向各个方向运动，在去掉表面的牺牲层后仍可保持电极表面及侧壁有较光滑的形貌，达到降低电极表面粗糙度的目的。

技术特征：

1.一种改善芯片电极粗糙的方法，其特征在于，在形成有金属电极结构的芯片中间体上覆盖牺牲层后，进行熔合退火处理，确保金属电极与半导体之间形成欧姆接触，然后蚀刻掉所述牺牲层。

2.根据权利要求1所述的改善芯片电极粗糙的方法，其特征在于，所述牺牲层通过等离子体化学气相沉积的方式形成。

3.根据权利要求1所述的改善芯片电极粗糙的方法，其特征在于，所述牺牲层为二氧化硅膜层或氮化硅膜层。

4.根据权利要求1所述的改善芯片电极粗糙的方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为1000±100a。

5.根据权利要求1所述的改善芯片电极粗糙的方法，其特征在于，所述牺牲层的生长温度为100±1℃。

6.根据权利要求1所述的改善芯片电极粗糙的方法，其特征在于，在所述芯片中间体上覆盖牺牲层之前，对所述芯片中间体进行清洗操作。

7.根据权利要求6所述的改善芯片电极粗糙的方法，其特征在于，所述清洗操作包括使用丙酮清洗后，使用异丙醇沥水后甩干，使表面洁净且无水渍。

8.根据权利要求1所述的改善芯片电极粗糙的方法，其特征在于，蚀刻掉所述牺牲层为采用氟化铵溶液进行蚀刻。

9.根据权利要求1所述的改善芯片电极粗糙的方法，其特征在于，形成有金属电极结构的芯片中间体的制备包括：

10.一种正装led芯片，其特征在于，采用权利要求1-9任意一项所述的改善芯片电极粗糙的方法制得。

技术总结本发明公开了一种正装LED芯片及改善芯片电极粗糙的方法，在形成有金属电极结构的芯片中间体上覆盖牺牲层后，进行熔合退火处理，确保金属电极与半导体之间形成欧姆接触，然后蚀刻掉所述牺牲层。本发明在做出金属电极后增加牺牲层覆盖的工序，例如将SiO<subgt;2</subgt;或SiN<subgt;x</subgt;沉积在电极表面，再进行熔合退火，之后通过湿蚀刻的方式去除该层牺牲层。金属电极在熔合时因表面及侧壁被牺牲层包覆，因此在去除应力时金属元素无法自由的向各个方向运动，在去掉表面的牺牲层后仍可保持电极表面及侧壁有较光滑的形貌，达到降低电极表面粗糙度的目的。技术研发人员：朱合意,贾钊,窦志珍,胡恒广受保护的技术使用者：青岛旭芯互联科技研发有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29