薄膜晶体管及其制备方法与流程

本申请半导体，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。

背景技术：

1、非晶氧化物半导体薄膜晶体管(amorphous oxide-semiconductor thin filmtransistor——ostft)由于其拥有低泄漏电流，低温简单的制备工艺，在显示、存储领域都有着较大的前景。

2、目前薄膜晶体管器件结构主要包含平面结构和垂直沟道结构两种。平面结构器件工艺较为成熟但占用面积较大，垂直沟道器件占用面积较小但由于沟道层在垂直侧壁上淀积较为困难导致产品良率较低。因此现有技术中的薄膜晶体管器件较难实现占用面积与制备良率的兼顾。

技术实现思路

1、本申请的目的是至少解决薄膜晶体管较难实现占用面积与制备良率的兼顾的问题。该目的是通过以下技术方案实现的：

2、本申请的第一方面提出了一种薄膜晶体管，包括：

3、第一导电层；

4、隔离层，形成于所述第一导电层一侧，所述隔离层包括连续设置的本体部和缓冲部，所述本体部包括背离所述第一导电层的第一表面，所述第一表面平行于所述第一导电层，所述缓冲部的厚度由靠近所述本体部一侧向远离所述本体部一侧逐渐减小；

5、半导体层，包括连续设置的第一部分和第二部分，所述第一部分形成于所述隔离层背离所述第一导电层的一侧、所述第二部分与所述第一导电层接触。

6、本申请提供的薄膜晶体管中包括第一导电层、隔离层和半导体层。其中，第一导电层可用于形成薄膜晶体管的第一电极。半导体层用于形成薄膜晶体管的源区、漏区和沟道区。隔离层形成于第一导电层的一侧，用于实现对半导体层的隔垫，以在半导体层中沟道长度一定的前提下，降低薄膜晶体管的面积。隔离层背离第一导电层的一侧表面包括连续设置的本体部和缓冲部，本体部包括背离第一导电层一侧的第一表面，第一表面平行于第一导电层，缓冲部的厚度由靠近本体部一侧向远离本体部一侧逐渐减小，从而可使得隔离层背离第一导电层的一侧表面可实现缓慢过度。半导体层包括连续设置的第一部分和第二部分，第一部分形成于隔离层背离第一导电层的一侧、第二部分与第一导电层接触以实现第一电极与半导体层内源区或漏区的连接。由于缓冲部的存在，可使得隔离层背离第一导电层的一侧表面可实现缓慢过度，从而使得半导体层中位于隔离层背离第一导电层一侧的第一部分的膜厚均一性较强，改善半导体层由于膜厚过厚导致的氧空位浓度升高而造成的阈值电压负漂问题，并改善半导体层中部分区域过薄而导致沟道断开、源漏之间断路的问题，有助于提升半导体层的制备良率，提升薄膜晶体管的稳定性，并兼顾薄膜晶体管的面积，提升了集成度。

7、本申请的第二方面提出了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

8、形成第一导电层；

9、在所述第一导电层一侧形成隔离层，所述隔离层包括连续设置的本体部和缓冲部，所述本体部包括背离所述第一导电层的第一表面，所述第一表面平行于所述第一导电层，所述缓冲部的厚度由靠近所述本体部一侧向远离所述本体部一侧逐渐减小；

10、形成半导体层，包括连续设置的第一部分和第二部分，所述第一部分形成于所述隔离层背离所述第一导电层的一侧、所述第二部分与所述第一导电层接触。

技术特征：

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一部分包括第一改性区和第一非改性区，所述第一改性区位于所述第一表面，所述第一改性区的载流子浓度大于所述第一非改性区的载流子浓度，所述第一改性区与所述第三导电层接触。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二部分包括第二改性区，所述第二改性区与所述第一导电层接触，所述第二改性区的载流子浓度大于所述第一非改性区的载流子浓度。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述缓冲部围绕所述本体部周向中的至少部分设置。

8.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，还包括：

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，还包括：

技术总结本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法，薄膜晶体管包括第一导电层、隔离层和半导体层，隔离层形成于第一导电层一侧，隔离层包括连续设置的本体部和缓冲部，本体部包括背离第一导电层的第一表面，第一表面平行于第一导电层，缓冲部的厚度由靠近本体部一侧向远离本体部一侧逐渐减小；半导体层包括连续设置的第一部分和第二部分，第一部分形成于隔离层背离第一导电层的一侧、第二部分与第一导电层接触。本申请提供的薄膜晶体管可实现占用面积与制备良率的兼顾。技术研发人员：许高博,杨延宇,颜刚平,牛楚乔,罗杰受保护的技术使用者：北京超弦存储器研究院技术研发日：技术公布日：2024/7/29