减少FDSOI器件锗硅衬底损失的方法与流程

本发明涉及半导体制造，特别是涉及减少fdsoi器件锗硅衬底损失的方法。

背景技术：

1、fdsoi器件中将pmos区域的硅衬底替换成锗硅合金，形成绝缘体上锗硅(sgoi)结构，用于提高载流子迁移率以及减少漏电流。然而，锗硅晶格中原子大小不同，晶格结构不规整，存在不耐刻蚀的特性；并且，锗硅衬底会影响栅氧生长质量，使得栅氧化层无法担当刻蚀停止层的作用，导致在侧墙(sicn)刻蚀和epi hm(sin)刻蚀中产生严重损耗(如图1及图2所示)，最终导致pmos区域无法外延生长，接触孔(contact)刻蚀时直接打穿下方绝缘层(如图3所示)，影响器件性能。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种减少fdsoi器件锗硅衬底损失的方法，用于解决现有的锗硅衬底损失严重而导致器件性能受到影响的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种减少fdsoi器件锗硅衬底损失的方法，所述方法包括：

3、提供一半导体结构，其包括半导体衬底及形成于所述半导体衬底表面的栅极结构，其中个，所述半导体衬底自下而上包括体硅层、埋氧层及锗硅层；

4、于所述半导体结构的表面形成siocn层，其中，所述siocn层覆盖所述锗硅层的表面及所述栅极结构的侧壁与表面；

5、对所述siocn层进行刻蚀以于所述栅极结构两侧形成侧墙，且在刻蚀过程中所述锗硅层的表面形成一层氧化层。

6、可选地，所述栅极结构包括栅氧化层及形成于所述栅氧化层表面的多晶硅层。

7、可选地，所述栅氧化层的材质包括hfo2与tin。

8、可选地，所述siocn层的厚度包括80埃～120埃。

9、可选地，所述siocn层的厚度为100埃。

10、可选地，于所述锗硅层表面形成的所述氧化层的厚度包括25埃～35埃。

11、可选地，所述埋氧层的材质为二氧化硅。

12、可选地，适用的技术节点包括22nm或20nm。

13、如上所述，本发明的减少fdsoi器件锗硅衬底损失的方法，采用siocn作为epi hm，此膜质能够在刻蚀后形成一层氧化层，该氧化层发挥刻蚀阻挡层的作用，从而能够极大地减少锗硅衬底(也即是锗硅层)的损耗。

技术特征：

1.一种减少fdsoi器件锗硅衬底损失的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的减少fdsoi器件锗硅衬底损失的方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅氧化层及形成于所述栅氧化层表面的多晶硅层。

3.根据权利要求2所述的减少fdsoi器件锗硅衬底损失的方法，其特征在于，所述栅氧化层的材质包括hfo2与tin。

4.根据权利要求1所述的减少fdsoi器件锗硅衬底损失的方法，其特征在于，所述siocn层的厚度包括80埃～120埃。

5.根据权利要求4所述的减少fdsoi器件锗硅衬底损失的方法，其特征在于，所述siocn层的厚度为100埃。

6.根据权利要求1所述的减少fdsoi器件锗硅衬底损失的方法，其特征在于，于所述锗硅层表面形成的所述氧化层的厚度包括25埃～35埃。

7.根据权利要求1所述的减少fdsoi器件锗硅衬底损失的方法，其特征在于，所述埋氧层的材质为二氧化硅。

8.根据权利要求1所述的减少fdsoi器件锗硅衬底损失的方法，其特征在于，适用的技术节点包括22nm或20nm。

技术总结本发明一种提供减少FDSOI器件锗硅衬底损失的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，其包括半导体衬底及形成于所述半导体衬底表面的栅极结构，其中，所述半导体衬底自下而上包括体硅层、埋氧层及锗硅层；于所述半导体结构的表面形成SiOCN层，其中，所述SiOCN层覆盖所述锗硅层的表面及所述栅极结构的侧壁与表面；对所述SiOCN层进行刻蚀以于所述栅极结构两侧形成侧墙，且在刻蚀过程中所述锗硅层的表面形成一层氧化层。通过本发明解决了现有的锗硅衬底损失严重而导致器件性能受到影响的问题。技术研发人员：车思远受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29