存储器器件及其擦除操作的制作方法

背景技术：

1、本公开涉及存储器器件及其操作方法。

2、闪存存储器是一种可以被电擦除和重新编程的低成本、高密度、非易失性的固态存储介质。闪存存储器包括nor闪存存储器和nand闪存存储器。可以由闪存存储器执行各种操作，例如，读取、编程(写入)和擦除，以将每个存储器单元的阈值电压改变为期望电平。对于nand闪存存储器，可以在块级执行擦除操作，可以在页级执行编程操作，并且可以在单元级执行读取操作。

技术实现思路

1、在一个方面中，一种存储器器件包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括多个存储器单元行；多个字线，多个字线分别耦合到多个存储器单元行；以及外围电路，外围电路耦合到多个字线并且被配置为对多个存储器单元行中的选定存储器单元行执行擦除操作。选定存储器单元行耦合到选定字线。为了执行擦除操作，外围电路被配置为：在第一时间段中，将耦合到多个存储器单元行中的未选定存储器单元行的未选定字线从初始电压放电到放电电压；并且在第一时间段之后的第二时间段中，使未选定字线浮置。

2、在另一方面中，一种系统包括被配置为存储数据的存储器器件以及耦合到存储器器件并且被配置为控制存储器器件的存储器控制器。存储器器件包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括多个存储器单元行；多个字线，多个字线分别耦合到多个存储器单元行；以及外围电路，外围电路耦合到多个字线并且被配置为对多个存储器单元行中的选定存储器单元行执行擦除操作。选定存储器单元行耦合到选定字线。为了执行擦除操作，外围电

3、路被配置为：在第一时间段中，将耦合到多个存储器单元行中的未选定存储器单元行的未选定字线从初始电压放电到放电电压；并且在第一时间段之后的第二时间段中，使未选定字线浮置。

4、在又一方面中，提供了一种用于操作存储器器件的方法。存储器器件包括存储器单元阵列和多个字线，存储器单元阵列包括多个存储器单元行，多个字线分别耦合到多个存储器单元行。对多个存储器单元行中的选定存储器单元行执行擦除操作。选定存储器单元行耦合到选定字线。为了执行擦除操作，在第一时间段中，将耦合到多个存储器单元行中的未选定存储器单元行的未选定字线从初始电压放电到放电电压，并且在第一时间段之后的第二时间段中，使未选定字线浮置。

技术特征：

1.一种存储器器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述外围电路还被配置为在所述第二时间段之后的第三时间段中，将所述未选定字线的电压降低到充电电压。

3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述初始电压和所述充电电压相同。

4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中，所述初始电压和所述充电电压等于系统电压(vdd)。

5.根据权利要求1-4中的任何一项所述的存储器器件，其中，所述初始电压大于所述放电电压。

6.根据权利要求1-4中的任何一项所述的存储器器件，其中

7.根据权利要求6所述的存储器器件，其中，所述解码器被配置为使所述未选定驱动晶体管导通，并且所述字线驱动器被配置为将所述放电电压施加到所述未选定本地字线，使得所述未选定驱动晶体管将所述放电电压施加到所述未选定字线。

8.根据权利要求6所述的存储器器件，其中，所述解码器被配置为使所述未选定驱动晶体管截止，使得所述未选定驱动晶体管使所述未选定字线浮置。

9.根据权利要求1-4中的任何一项所述的存储器器件，其中

10.根据权利要求9所述的存储器器件，其中，所述多个存储器串包括所述选定块中的第一存储器串以及所述未选定块中的第二存储器串。

11.根据权利要求1-4中的任何一项所述的存储器器件，其中，为了执行所述擦除操作，所述外围电路还被配置为在所述第二时间段中，将0v电压施加到所述选定字线。

12.根据权利要求1-4中的任何一项所述的存储器器件，其中，所述存储器器件包括三维(3d)nand闪存存储器器件。

13.一种系统，包括：

14.根据权利要求13所述的系统，其中，所述外围电路还被配置为在所述第二时间段之后的第三时间段中，将所述未选定字线的电压降低到充电电压。

15.根据权利要求14所述的系统，其中，所述初始电压和所述充电电压相同。

16.根据权利要求15所述的系统，其中，所述初始电压和所述充电电压等于系统电压(vdd)。

17.根据权利要求13-16中的任何一项所述的系统，其中，所述初始电压大于所述放电电压。

18.根据权利要求13-16中的任何一项所述的系统，其中

19.根据权利要求18所述的系统，其中，所述解码器被配置为使所述未选定驱动晶体管导通，并且所述字线驱动器被配置为将所述放电电压施加到所述未选定本地字线，使得所述未选定驱动晶体管将所述放电电压施加到所述未选定字线。

20.根据权利要求18所述的系统，其中，所述解码器被配置为使所述未选定驱动晶体管截止，使得所述未选定驱动晶体管使所述未选定字线浮置。

21.根据权利要求13-16中的任何一项所述的系统，其中

22.根据权利要求21所述的系统，其中，所述多个存储器串包括所述选定块中的第一存储器串以及所述未选定块中的第二存储器串。

23.根据权利要求13-16中的任何一项所述的系统，其中，为了执行所述擦除操作，所述外围电路还被配置为在所述第二时间段中，将0v电压施加到所述选定字线。

24.根据权利要求13-16中的任何一项所述的系统，其中，所述存储器器件包括三维(3d)nand闪存存储器器件。

25.根据权利要求13-16中的任何一项所述的系统，还包括耦合到所述存储器控制器并且被配置为发送或接收所述数据的主机。

26.一种用于操作存储器器件的方法，所述存储器器件包括存储器单元阵列和多个字线，所述存储器单元阵列包括多个块，所述多个字线分别耦合到所述多个块，所述方法包括：

27.根据权利要求26所述的方法，其中，执行所述擦除操作还包括在所述第二时间段之后的第三时间段中，将所述未选定字线的电压降低到充电电压。

28.根据权利要求27所述的方法，其中，所述初始电压和所述充电电压相同。

29.根据权利要求28所述的方法，其中，所述初始电压和所述充电电压等于系统电压(vdd)。

30.根据权利要求26-29中的任何一项所述的方法，其中，所述初始电压大于所述放电电压。

31.根据权利要求26-29中的任何一项所述的方法，其中

32.根据权利要求31所述的方法，其中，使所述未选定字线浮置包括使所述未选定驱动晶体管截止。

33.根据权利要求26-29中的任何一项所述的方法，其中，

34.根据权利要求26-29中的任何一项所述的方法，其中，执行所述擦除操作还包括在所述第二时间段中，将0v电压施加到所述选定字线。

技术总结在某些方面中，一种存储器器件包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括多个存储器单元行；多个字线，多个字线分别耦合到多个存储器单元行；以及外围电路，外围电路耦合到多个字线并且被配置为对多个存储器单元行中的选定存储器单元行执行擦除操作。选定存储器单元行耦合到选定字线。为了执行擦除操作，外围电路被配置为：在第一时间段中，将耦合到多个存储器单元行中的未选定存储器单元行的未选定字线从初始电压放电到放电电压；并且在第一时间段之后的第二时间段中，使未选定字线浮置。技术研发人员：梁轲,侯春源受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16