半导体装置及其形成方法与流程

本公开涉及半导体装置及其形成方法。

背景技术：

1、半导体装置，例如，动态随机存取存储器(以下称为dram)正被促进以进一步小型化，以便增加其数据存储容量。例如，dram的例如字线等的布线的重复节距的大小被减小，且字线之间的距离也被减小。然而，当在接触孔的形成期间增加待连接到字线的接触孔的直径时，邻近字线可短路。

技术实现思路

1、一方面，本公开涉及一种设备，其包括：多个存储器单元，其在存储器单元阵列区中；多个字线，其跨越所述存储器单元阵列区及其中没有布置存储器单元的外围区延伸；多个接触插头，其分别在所述外围区中的所述多个字线中的偶数编号者上；及多个绝缘壁，其分别在所述外围区中的所述多个字线中的奇数编号者上。

2、另一方面，本公开涉及一种设备，其包括：多个存储器单元，其在存储器单元阵列区中；多个字线，其跨越第一外围区、所述存储器单元阵列区及第二外围区延伸，其中所述第一及第二外围区不具有存储器单元；多个第一接触插头，其分别在所述第一外围区中的所述多个字线中的偶数编号者上；多个第二接触插头，其分别在所述第二外围区中的所述多个字线中的奇数编号者上；多个第一绝缘壁，其在所述第一外围区中的所述多个字线中的所述奇数编号者上；及多个第二绝缘壁，其分别在所述第二外围区中的所述多个字线中的所述偶数编号者上。

3、另一方面，本公开涉及一种方法，其包括：形成多个第一沟槽，所述多个第一沟槽跨越存储器单元阵列区及环绕设置在半导体衬底上的所述存储器单元阵列区的外围区平行延伸，多个存储器单元布置在所述存储器单元阵列区中，所述外围区中没有布置存储器单元；用第一导电膜填充所述存储器单元阵列区及所述外围区中的所述第一沟槽；将所述第一导电膜回蚀到所述存储器单元阵列区中的所述第一沟槽的中间，以暴露所述存储器单元阵列区中的所述第一沟槽的上部分；用第二导电膜填充所述存储器单元阵列区中的所述第一沟槽的所述上部分；在所述存储器单元阵列区及所述外围区上方沉积第一绝缘膜；在布置在所述第一及第二导电膜之上的所述第一绝缘膜中，形成平行于所述存储器单元阵列区及所述外围区延伸的多个第二沟槽；用第二绝缘膜填充所述第二沟槽，以在所述存储器单元阵列区及所述外围区中形成多个绝缘壁，所述多个绝缘壁包含偶数编号者及奇数编号者；在所述外围区中形成多个接触孔，以分别穿透所述多个绝缘壁中的偶数编号者，且暴露所述第一导电膜的顶部表面的对应部分；及用第三导电膜填充所述多个接触孔。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括所述外围区中的所述多个字线上方的绝缘膜，所述绝缘膜环绕所述外围区中的所述多个接触插头及所述多个绝缘壁。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述绝缘膜包括与所述多个绝缘壁中的每一者不同的绝缘材料。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述绝缘膜包括二氧化硅，且所述多个绝缘壁中的每一者包括氮化硅。

5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括分别在所述外围区中的所述多个字线中的所述偶数编号者上的多个额外绝缘壁；

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述多个绝缘壁中的每一者及所述多个额外绝缘壁中的每一者从所述存储器单元阵列区延伸到所述外围区。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个字线中的每一者在所述存储器单元阵列区中具有第一电极部分及在所述第一电极部分上的第二电极部分，且

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一电极部分包括氮化钛，且所述第二电极部分包括掺杂有杂质的多晶硅。

9.一种设备，其包括：

10.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括在所述第一及第二外围区中的所述多个字线上方的绝缘膜，所述绝缘膜环绕所述第一及第二外围区中的所述多个第一接触插头、所述多个第二接触插头、所述多个第一绝缘壁及所述多个第二绝缘壁。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述绝缘膜包括与所述多个第一绝缘壁及所述多个第二绝缘壁中的每一者个不同的绝缘材料。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述绝缘膜包括二氧化硅，且所述多个第一绝缘壁及所述多个第二绝缘壁中的每一者包括氮化硅。

13.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括：

14.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一绝缘壁中的每一者及所述第二绝缘壁中的每一者跨越所述第一外围区、所述存储器单元阵列区及所述第二外围区延伸。

15.根据权利要求9所述的设备，其中所述多个字线中的每一者在所述存储器单元阵列区中具有第一电极部分及在所述第一电极部分上的第二电极部分，且

16.根据权利要求15所述的设备，其中所述第一电极部分包括氮化钛，且所述第二电极部分包括掺杂有杂质的多晶硅。

17.一种方法，其包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一导电膜包括氮化钛，且所述第二导电膜包括掺杂有杂质的多晶硅。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一绝缘膜包括二氧化硅，且所述第二绝缘膜包括氮化硅。

20.根据权利要求17所述的方法，其中通过使用化学气相沉积技术来沉积所述第一导电膜及所述第二导电膜。

技术总结本公开涉及半导体装置及其形成方法。一种设备包含：多个存储器单元，其在存储器单元阵列区中；多个字线，其跨越所述存储器单元阵列区及其中没有布置存储器单元的外围区延伸；多个接触插头，其分别在所述外围区中的所述多个字线中的偶数编号者上；及多个绝缘壁，其分别在所述外围区中的所述多个字线中的奇数编号者上。技术研发人员：宗高由木,巴山刚受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16