判决电路、存储器装置及其周边电路的制作方法

本发明关于一种存储器装置，特别关于一种搭载有ecc电路的存储器装置及其判决电路与周边电路。

背景技术：

1、在快闪存储器中，若反复地进行数据的编程或抹除，则容易发生因穿隧绝缘膜的劣化而导致电荷保持特性恶化，或因由穿隧绝缘膜所捕获的电荷而产生阈值变动，从而发生位差错(bit error)。为了解决位差错的问题，已知的快闪存储器通常会搭载错误检测与校正(error checking and correction，ecc)电路。通过配置ecc电路，即便在校验中存在一部分的不合格位，也能够通过ecc修复，而使对选择范围(例如页)所进行的操作(例如编程)可判定为疑似合格。于搭载有ecc电路的已知快闪存储器中，判决电路为不可或缺的设计。通过判决电路可进行疑似合格或全部位是否合格的判定，以减少编程失败或坏块，使良品率提高，进而通过抑制编程脉冲的施加次数，以减少编程干扰。然而，随着半导体工艺逐渐微缩与高温工艺的利用，传统判决电路常会遭遇耗电量大、页面缓冲器关闭漏电流过大、电阻不匹配、判决边际不足，以及比较器误差等等问题。为了解决此问题，搭载有ecc电路的已知快闪存储器需配置额外的电路而导致晶片面积的增加，并且使出厂前的测试变得更复杂，从而增加成本。有鉴于此，势必要提出一种全新的解决方案，以克服传统技术所面临的困境。

技术实现思路

1、根据一些实施例所述，本发明提出一种判决电路、存储器装置及其周边电路，可解决耗电量大、页面缓冲器关闭漏电流过大、电阻不匹配、判决边际不足，以及比较器误差等等问题，从而有利于微型化与降低成本。

2、本发明提出一种存储器装置的周边电路，包括补偿电路、判决电路与多个页面缓冲器。补偿电路被配置以定义漏电流。判决电路耦接至补偿电路，且包括：第一电流镜，耦接至第一节点与控制节点；电流源，输出参考电流至第二节点；第二电流镜，耦接至电流源与第一电流镜；疑似合格位数量控制单元，与第二电流镜并联地耦接于第一节点与第三节点之间；判决电路启用控制单元，经由第三节点耦接至第二电流镜，其中判决电路启用控制单元用于接收判决电路控制信号，使得第三节点根据判决电路控制信号来选择性地被下拉至接地电位；以及磁滞电路，其中磁滞电路的输入端耦接至控制节点，而磁滞电路的输出端耦接至第四节点。多个页面缓冲器包括未选页面缓冲器与已选页面缓冲器，其中未选页面缓冲器耦接至补偿电路，而已选页面缓冲器耦接至判决电路。

3、在另一较佳实施例中，本发明提出一种判决电路，包括：第一电流镜，耦接至第一节点与控制节点；电流源，输出参考电流至第二节点；第二电流镜，耦接至电流源与第一电流镜；疑似合格位数量控制单元，与第二电流镜并联地耦接于第一节点与第三节点之间；判决电路启用控制单元，经由第三节点耦接至第二电流镜，其中判决电路启用控制单元用于接收判决电路控制信号，使得第三节点根据判决电路控制信号来选择性地被下拉至接地电位；及磁滞电路，其中磁滞电路的输入端耦接至控制节点，而磁滞电路的输出端耦接至第四节点。

4、在另一较佳实施例中，本发明提出一种存储器装置，包括：如前所述的周边电路；多个存储平面，耦接至周边电路的该等页面缓冲器；多个感测电路，耦接至周边电路的该等页面缓冲器；以及错误检测与校正电路，耦接至该等感测电路。

5、根据本发明所提出的判决电路，有利于省电与降低面积，并适用于低耗电产品应用中。此外，根据本发明所提出的存储器装置的周边电路，可提高判断精准度。

技术特征：

1.一种存储器装置的周边电路，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的存储器装置的周边电路，其特征在于，该判决电路更包括一第一逻辑单元，具有一输入端和一输出端，其中该第一逻辑单元的该输入端耦接至该第四节点，而该第一逻辑单元的该输出端被配置为输出一输出电位。

3.如权利要求1所述的存储器装置的周边电路，其特征在于，该第一电流镜包括：

4.如权利要求3所述的存储器装置的周边电路，其特征在于，该第一晶体管和该第二晶体管各自为一p型金属氧化物半导体场效应晶体管，且该第三晶体管、该第四晶体管、该第五晶体管，以及该第六晶体管各自为一n型金属氧化物半导体场效应晶体管。

5.如权利要求3所述的存储器装置的周边电路，其特征在于，该第四晶体管的尺寸为该第三晶体管的尺寸的0.5倍。

6.如权利要求3所述的存储器装置的周边电路，其特征在于，该第五晶体管的尺寸为该第三晶体管的尺寸的n倍，而n为该存储器装置所搭载的一错误检测与校正电路可修复的不合格位数量的最大值。

7.如权利要求1所述的存储器装置的周边电路，其特征在于，该补偿电路包括：

8.如权利要求7所述的存储器装置的周边电路，其特征在于，该传输门包括：

9.如权利要求1所述的存储器装置的周边电路，其特征在于，该补偿电路包括：

10.如权利要求9所述的存储器装置的周边电路，其特征在于，该未选页面缓冲器由该补偿电路的一第七节点处汲取该第一电流，而该已选页面缓冲器由该判决电路的该控制节点处汲取一第二电流；

11.一种判决电路，其特征在于，包括：

12.如权利要求11所述的判决电路，其特征在于，更包括一第一逻辑单元，具有一输入端和一输出端，其中该第一逻辑单元的该输入端耦接至该第四节点，而该第一逻辑单元的该输出端被配置为输出一输出电位。

13.如权利要求11所述的判决电路，其特征在于，该第一电流镜包括：

14.如权利要求13所述的判决电路，其特征在于，该第一晶体管和该第二晶体管各自为一p型金属氧化物半导体场效应晶体管，且该第三晶体管、该第四晶体管、该第五晶体管，以及该第六晶体管各自为一n型金属氧化物半导体场效应晶体管。

15.如权利要求13所述的判决电路，其特征在于，该第四晶体管的尺寸为该第三晶体管的尺寸的0.5倍。

16.如权利要求13所述的判决电路，其特征在于，该第五晶体管的尺寸为该第三晶体管的尺寸的n倍，而n为存储器装置所搭载的一错误检测与校正电路可修复的不合格位数量的最大值。

17.一种存储器装置，其特征在于，包括：

18.如权利要求17所述的存储器装置，其特征在于，所述多个存储平面的任一个为一与非nand快闪存储器阵列或是一或非nor快闪存储器阵列。

技术总结本申请公开一种判决电路、存储器装置及其周边电路；其中，存储器装置的周边电路，包括：一补偿电路、一判决电路，以及多个页面缓冲器。补偿电路可定义一漏电流。判决电路是耦接至补偿电路，并可根据漏电流来进行操作。判决电路包括：一电流源、一第一电流镜、一第二电流镜、一疑似合格位数量控制单元、一判决电路启用控制单元、一磁滞电路，以及一第一逻辑单元。前述的页数缓冲器包括一未选页面缓冲器和一已选页面缓冲器，其中未选页面缓冲器是耦接至补偿电路，而已选页面缓冲器是耦接至判决电路。本发明可以提高判断精准度。技术研发人员：邱良祥受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16