被配置为减少验证时间的存储器装置及其操作方法与流程

发明构思涉及存储器装置，更具体地，涉及被配置为减少与存储器编程相关联的验证时间的存储器装置及其操作方法。

背景技术：

1、近年来，信息通信装置的多功能化导致对大容量高集成存储器装置的需求。存储器装置可包括页缓冲器电路，页缓冲器电路被配置为将数据存储在存储器单元中或从存储器单元输出数据。页缓冲器电路可包括被设置为与多条位线对应的多个页缓冲器。

2、此外，页缓冲器中的每个可包括多个锁存器，所述多个锁存器包括被配置为临时存储写入数据的数据锁存器和被配置为感测数据的感测锁存器。在这种情况下，在数据编程操作期间，可执行验证操作以确定编程通过或失败情况。当执行验证操作时，可在多个锁存器之间多次执行数据转储操作，并且存储器装置的编程时间可由于数据转储操作所需的时间而增加。结果，存储器装置的性能可劣化。

技术实现思路

1、发明构思提供了用于通过在验证操作期间减少数据转储操作所需的时间来提高存储器装置的编程性能的技术。

2、根据发明构思的一个方面，提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列中具有根据编程操作被编程为多个编程状态的存储器单元；页缓冲器电路，页缓冲器电路中具有多个页缓冲器，所述多个页缓冲存储器连接到多条位线，每个页缓冲存储器包括连接到与其对应的位线的感测锁存器，并且每个感测锁存器控制对位线执行的预充电操作。提供控制逻辑，所述控制逻辑被配置为：通过控制页缓冲器电路来控制对所述多个编程状态执行的验证操作。另外，基于存储在每个页缓冲器中的至少两位的值，对感测锁存器执行多个转储操作，从而选择性地对连接到将被编程为将被验证的第一编程状态的存储器单元的被选位线进行预充电。有利地，控制逻辑控制所述多个转储操作，使得所述多个转储操作中的一些转储操作在验证阶段之前的转储阶段中执行，并且多个转储操作中的一些其他转储操作在位线被预充电的验证阶段中执行。

3、根据发明构思的另一方面，提供了一种存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：响应于编程命令的接收而执行编程循环；以及在执行编程循环之后在验证第一编程状态期间重置多个页缓冲器的感测锁存器，第一编程状态从多个编程状态被选择。执行第一转储操作以将待编程的多位的数据之中的第一位的数据转储到感测锁存器。由于第一转储操作，被选位线和未选位线被一起预充电，在多条位线之中，被选位线连接到将被编程为第一编程状态的存储器单元，并且未选位线连接到将被编程为不同于第一编程状态的第二编程状态的存储器单元。执行第二转储操作以将多位的数据之中的第二位的数据转储到感测锁存器；以及基于第二转储操作对未选位线进行放电。

4、根据发明构思的另一方面，提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：(i)存储器单元阵列，包括根据编程操作被编程为多个编程状态的存储器单元，(ii)页缓冲器电路，包括连接到多条位线的多个页缓冲器，每个页缓冲器包括被配置为存储数据的多个数据锁存器和被配置为控制对与其对应的位线执行的预充电操作的感测锁存器，以及(iii)控制逻辑，被配置为通过控制页缓冲器电路来控制对所述多个编程状态执行的验证操作。所述多个页缓冲器包括：连接到将被编程为第一编程状态的存储器单元的第一页缓冲器和连接到将被编程为第二编程状态的存储器单元的第二页缓冲器。对第一编程状态执行的验证操作包括转储阶段和验证阶段，在转储阶段中，存储在所述多个数据锁存器中的数据被转储到感测锁存器，在验证阶段中，所述多条位线被预充电。控制逻辑控制预充电操作，使得在连接到第一页缓冲器的第一位线和连接到第二页缓冲器的第二位线在验证阶段中被一起预充电之后，第二位线被放电。

技术特征：

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，每个存储器单元存储2位数据；其中，所述多个转储操作包括：基于2位数据的最高有效位的值的第一转储操作和基于2位数据的最低有效位的值的第二转储操作；其中，第一转储操作在转储阶段中执行，而第二转储操作验证阶段中执行。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，第二转储操作在验证阶段内的位线预充电阶段结束之前被完成。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，每个存储器单元存储2位或更多位的数据；其中，所述多个转储操作包括第一转储操作至第n转储操作，其中，n是大于2的整数；并且其中，第一转储操作至第n转储操作中的一部分转储操作在转储阶段中执行，并且第一转储操作至第n转储操作中的其他转储操作在验证阶段中执行。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，由于在转储阶段中执行的转储操作，被选位线和未选位线被一起预充电，未选位线连接到将被编程为不被验证的第二编程状态的存储器单元；其中，当在验证阶段中执行其他转储操作时，未选位线被放电。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，验证阶段包括：位线预充电阶段、感测节点变化阶段和感测阶段，在位线预充电阶段中，位线被预充电，在感测节点变化阶段中，连接到位线的感测节点的电压被改变，在感测阶段中，多个感测节点的电压被感测；并且其中，连接到被选位线的存储器单元在感测阶段中被选择性地感测。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，每个存储器单元存储3位数据；其中，所述多个转储操作包括：基于3位数据中的任何一个的值的第一转储操作、基于3位数据中的另一位的值的第二转储操作、以及基于3位数据的剩余的位的值的第三转储操作；并且其中，第一转储操作至第三转储操作中的一部分在验证阶段中执行。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，第一转储操作和第二转储操作在转储阶段中执行，并且第三转储操作在验证阶段中执行。

9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，第一转储操作在转储阶段中执行，并且第二转储操作和第三转储操作在验证阶段中执行。

10.根据权利要求1至权利要求9中的任意一项所述的存储器装置，其中，控制逻辑接收关于在编程操作期间执行的编程循环的数量的信息；并且其中，所述多个转储操作之中的在验证阶段中执行的转储操作的数量随着执行编程循环的数量的增加而增加。

11.一种操作存储器装置的方法，所述存储器装置包括多个页缓冲器，所述多个页缓冲器被设置为与连接到所述存储器装置内的多个存储器单元的多条位线对应，所述方法包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在执行编程循环之后，至少一个转储操作在转储阶段中执行，并且对所述多条位线的预充电操作在验证阶段中执行；并且其中，第一转储操作在转储阶段执行，第二转储操作在验证阶段执行。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在验证阶段中，被选位线保持预充电。

14.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：对连接到被选位线并保持预充电的存储器单元执行数据感测操作。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多位包括至少三位；其中，所述方法还包括：执行用于将所述多位之中除第一位和第二位之外的位的数据转储到感测锁存器的第三转储操作至第n转储操作，其中，n是3或更大的整数；并且其中，第三转储操作至第n转储操作中的一部分转储操作在转储阶段中执行，并且第三转储操作至第n转储操作中的其他转储操作在验证阶段中执行。

16.根据权利要求11所述的方法，其中，每个存储器单元存储2位数据；并且其中，第一位的数据与最高有效位数据对应，并且第二位的数据与最低有效位数据对应。

17.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

18.根据权利要求17所述的存储器装置，其中，最高有效位数据和最低有效位数据被存储在所述多个数据锁存器中；并且其中，在转储阶段中执行基于最高有效位数据的值的第一转储操作，并且在验证阶段中执行基于最低有效位数据的值的第二转储操作。

19.根据权利要求18所述的存储器装置，其中，具有值0的最高有效位数据和具有值1的最低有效位数据被存储在第一页缓冲器中，并且其中，具有值0的最高有效位数据和具有值0的最低有效位数据被存储在第二页缓冲器中；并且其中，当具有值0的最高有效位数据在转储阶段中被转储到感测锁存器时，第一页缓冲器和第二页缓冲器的感测锁存器都具有设置状态。

20.根据权利要求19所述的存储器装置，其中，当具有值0的最低有效位数据在验证阶段被转储到感测锁存器时，第二页缓冲器的感测锁存器被改变为重置状态；并且其中，当第二页缓冲器的感测锁存器被改变为重置状态时，第二位线被放电。

技术总结提供了被配置为减少验证时间的存储器装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列中具有被编程为多个编程状态的存储器单元；页缓冲器电路，页缓冲器电路中具有多个页缓冲器，所述多个页缓冲器连接到与存储器单元阵列相关联的多条位线。每个页缓冲器包括：感测锁存器，连接到多条位线中的相应一条位线并且被配置为控制对相应的位线执行的预充电操作。提供控制逻辑以控制：通过控制页缓冲器电路来对存储器单元内的所述多个编程状态执行的验证操作；对感测锁存器的多个转储操作，所述多个转储操作基于存储在每个页缓冲器中的至少两位的值；以及对连接到将被编程为第一编程状态的存储器单元的位线的选择性预充电。技术研发人员：尹铉竣受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/1/16