一种存储介质读取出错的处理方法及装置与流程

本发明涉及计算机，具体涉及一种存储介质读取出错的处理方法及装置。

背景技术：

1、闪存存储介质是目前应用广泛的存储介质，其原理是通过存储在存储单元中不同的电荷量呈现出不同的电压值来记录数据。但由于闪存颗粒的电气特性，在其生命周期中随着闪存擦/写次数等因素的变化，会使存储单元存储电荷的特性发生改变，因此参考电压轴也要随之改变，否则会导致硬盘误码率过高，超出解码能力导致读取失败。

2、现有技术中，常用的纠错处理流程在面对一些特殊情况时，仍然会出现纠错成功率低的问题，如固态硬盘保留时间过长，导致前期过程纠错处理失败，直接进入rebuild阶段，虽然最终纠错成功，但会将读位置所在的存储介质中块存储单元(block)标记为坏块，由于该block本身可能并不是出现了不可纠正的极端错误，故这种传统的纠错方式会造成坏块较多，出现后期固态硬盘(solid state disk或solid state drive，简称ssd)容量减小的情况发生。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明实施例提供了一种存储介质读取出错的处理方法及装置，以解决造成坏块较多，出现后期固态硬盘容量减小的问题。

2、第一方面，本发明实施例提供了一种存储介质读取出错的处理方法，所述方法包括：

3、检测存储介质当前的性能参数，在所述性能参数满足动态电压轴的扫描条件的情况下，执行电压轴扫描任务，并刷新评价参考数据；

4、在根据所述电压轴扫描任务的任务结果确定存在读取出错的情况下，确定读取出错位置，并检测所述读取出错位置对应的裁决电压是否刷新；

5、在所述裁决电压未刷新的情况下，利用偏移电压对所述评价参考数据中的裁决参考电压进行修正，并获取基于修正后的裁决参考电压对所述读取出错位置的目标读取结果；

6、在确定所述目标读取结果出错的情况下，按照预设多级纠正策略对所述目标读取结果执行纠正操作，得到纠正结果。

7、进一步的，所述性能参数包括擦写次数以及数据保留时间；

8、在检测存储介质当前的性能参数之后，所述方法还包括：

9、按照第一设定值对所述擦写次数取余，得到第一取余结果；

10、根据所述第一取余结果确定是否满足动态电压轴的扫描条件，其中，在所述第一取余结果为目标值的情况下，确定所述性能参数满足动态电压轴的扫描条件，或，在所述第一取余结果不为预设值的情况下，确定所述性能参数不满足动态电压轴的扫描条件。

11、进一步的，所述方法还包括：

12、在所述第一取余结果不为预设值的情况下，按照第二设定值对所述数据保留时间取余，得到第二取余结果；

13、在所述第二取余结果为所述目标值的情况下，确定所述性能参数满足动态电压轴的扫描条件。

14、进一步的，所述利用偏移电压对所述评价参考数据中的裁决参考电压进行修正，并获取基于修正后的裁决参考电压对所述读取出错位置的目标读取结果，包括：

15、从第一固定读取表中获取第一偏移电压，并利用所述第一偏移电压对所述评价参考数据中的裁决参考电压进行修正，得到第一裁决参考电压；

16、利用所述第一裁决参考电压重新对所述读取出错位置执行读取操作，得到第一读取结果；

17、对所述第一读取结果进行校验，在所述第一读取结果校验未通过的情况下，从第二固定读取表中获取第二偏移电压，其中，所述第二固定读取表为所述第一固定读取表的下一级固定读取表；

18、利用所述第二偏移电压对所述第一裁决参考电压进行修正，得到第二裁决参考电压；

19、利用所述第二裁决参考电压重新对所述读取出错位置执行读取操作，得到第二读取结果；

20、检测所述第二固定读取表是否存在下一级的固定读取表；

21、在不存在所述第二固定读取表是否存在下一级的固定读取表的情况下，将所述第二读取结果作为所述目标读取结果。

22、进一步的，所述按照预设多级纠正策略对所述目标读取结果执行纠正操作，得到纠正结果，包括：

23、在确定所述目标读取结果出错的情况下，确定读取出错位置对应的页类型；

24、获取所述页类型对应的原始数据，基于所述原始数据进行软解码纠错操作，并在软解码纠错操作后，对所述读取出错位置重新执行读取操作，得到第三读取结果；

25、在确定所述第三读取结果正确的情况下，将所述第三读取结果作为所述纠正结果。

26、进一步的，在所述第三读取结果错误的情况下，所述方法还包括：

27、获取读取出错位置所在的块信息；

28、利用所述块信息中的各个参数与预设读取表中各个阶段对应的参数进行匹配，得到与所述块信息匹配的目标阶段，其中，所述块信息中的参数包括擦写次数，数据保留时间、干扰次数以及温度；

29、查询所述目标阶段对应的第三偏移电压；

30、利用所述第三偏移电压对所述修正后的裁决参考电压继续进行修正，得到第三裁决参考电压；

31、利用所述第三裁决参考电压重新对所述读取出错位置执行读取操作，得到第三读取结果；

32、在确定所述第三读取结果出错的情况下，从预设重试表中查询与所述块信息中各个参数相匹配的第四偏移电压；

33、利用所述第四偏移电压对所述修正后的裁决参考电压继续进行修正，得到第四裁决参考电压；

34、利用所述第四裁决参考电压重新对所述读取出错位置执行读取操作，得到第四读取结果；

35、在确定所述第四读取结果出错的情况下，触发重建机制生效，并基于所述重建机制对所述读取出错位置执行重建操作。

36、进一步的，所述基于所述重建机制对所述读取出错位置执行重建操作，包括：

37、获取读取出错位置所在条带上的其他页数据，并利用所述其他页数据进行异或运算，得到校验值；

38、将所述校验值与读取出错位置对应的目标数据页进行异或运算，得到纠正后的数据。

39、第二方面，本发明实施例提供了一种存储介质读取出错的处理装置，所述装置包括：

40、检测模块，用于检测存储介质当前的性能参数，在所述性能参数满足动态电压轴的扫描条件的情况下，执行电压轴扫描任务，并刷新评价参考数据；

41、确定模块，用于在根据所述电压轴扫描任务的任务结果确定存在读取出错的情况下，确定读取出错位置，并检测所述读取出错位置对应的裁决电压是否刷新；

42、修正模块，用于在所述裁决电压未刷新的情况下，利用偏移电压对所述评价参考数据中的裁决参考电压进行修正，并获取基于修正后的裁决参考电压对所述读取出错位置的目标读取结果；

43、处理模块，用于在确定所述目标读取结果出错的情况下，按照预设多级纠正策略对所述目标读取结果执行纠正操作，得到纠正结果。

44、第三方面，本发明实施例提供了一种计算机设备，包括：存储器和处理器，存储器和处理器之间互相通信连接，存储器中存储有计算机指令，处理器通过执行计算机指令，从而执行上述第一方面或其对应的任一实施方式的方法。

45、第四方面，本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机指令，计算机指令用于使计算机执行上述第一方面或其对应的任一实施方式的方法。

46、本发明实施例提供的方法通过性能参数性能参数确定执行电压轴的扫描任务，并刷新评价参考数据，即裁决参考电压和初始llr值。以此能够提高首次读取成功的概率。如果首次读取出错的情况下，引入多级纠错机制，并按照多级纠错机制进行纠正操作，从而提高纠错成功几率，以此能够进一步解决造成坏块较多，出现后期固态硬盘容量减小的问题。