存储器件及其操作方法与流程

本发明的多种实施例涉及半导体设计技术，更具体地，涉及对存储器件施加唤醒脉冲的恢复操作。

背景技术：

1、存储器件可以分为易失性和非易失性存储器件。非易失性存储器件相比于易失性存储器件以相对较低的速度执行读取/写入操作，但是即使在电源被切断时也保持存储的数据。因此，非易失性存储器件常常在便携式电子器件中使用，以存储无论是否对该器件供电都需要保持的数据。

2、非易失性存储器件的示例包括只读存储器(rom)、掩模rom(mrom)、可编程rom(prom)、可擦除可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存、相变随机存取存储器(pram)、磁ram(mram)、电阻式ram(rram)、以及铁电式ram(feram)等。

技术实现思路

1、根据本发明的实施例，一种存储器件，包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元的；外围电路，其被配置为执行对存储单元施加恢复电压用于提高存储单元的剩余极化的恢复操作，以及被配置为执行对存储单元施加驱动电压用于从存储单元读取数据或将数据写入存储单元中的正常操作；以及控制逻辑，其被配置为在上电时控制外围电路以执行恢复操作以及随后执行正常操作。

2、根据本发明的实施例，一种存储器件的操作方法，包括：在上电时执行恢复操作，恢复操作包括对多个存储单元施加恢复电压用于提高存储单元的剩余极化；以及在恢复操作之后执行正常操作，正常操作对存储单元施加驱动电压的用于从存储单元读取数据或将数据写入存储单元中。

3、根据本发明的实施例，一种存储器件的操作方法，包括：在保证存储在铁电存储单元的阵列中的数据安全时，对阵列的每一列施加分离的单极恢复脉冲以恢复相应的存储单元的剩余极化；以及对阵列施加驱动脉冲以存取阵列，其中，驱动脉冲的电平不低于恢复脉冲，以及其中，恢复脉冲比驱动脉冲宽。

4、根据本发明的实施例，通过借助在初始操作期间执行恢复操作而在可以保证目标特性的状态下执行正常操作，铁电存储器件可以保证其操作的可靠性。

5、根据本发明的实施例，通过使用具有实质上等于或低于驱动电压的幅度的单极唤醒脉冲来执行恢复操作，铁电存储器件可以将功耗最小化。此外，因为无需生成比驱动电压高的电压，所以不需要单独的电压生成电路，因此可以预期提高存储器件的集成度。

6、根据本发明的实施例，因为在驱动电压范围之内可获得的唤醒状态(up-state)的极化提高，所以铁电存储器件可以使用更多的电荷，由此降低晶片测试时由于电容器缺陷而引起的故障，以提高产量并且提高器件的耐用性和数据保持时间。

7、根据本发明的实施例，通过在即使是具有较薄的电介质膜的铁电存储器件中也保证希望的电容器容量，铁电存储器件可以降低工艺上的负担并且也保证了大规模生产。

技术特征：

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述恢复电压的电压电平实质上等于或低于驱动电压的电压电平。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述恢复电压包括单极唤醒脉冲。

4.根据权利要求1所述的存储器件，

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述外围电路包括：

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述恢复偏置电路包括晶体管，所述晶体管被耦接在所述位线和恢复电压端子之间，以及在所述晶体管的栅极处接收所述唤醒信号。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述恢复电压包括：大于位线预充电电压的电压电平的电压电平、或者低于所述位线预充电电压的电压电平的电压电平。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，每个所述存储单元包括：

9.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述恢复偏置电路包括：

10.根据权利要求9所述的存储器件，

11.根据权利要求1所述的存储器件，其中，每个所述存储单元包括：

12.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述外围电路通过将从外部测试装置输入的测试图案写入所述存储单元中而施加所述恢复电压。

13.根据权利要求12所述的存储器件，

14.根据权利要求1所述的存储器件，其中，每个所述存储单元包括铁电存储单元。

15.一种存储器件的操作方法，包括：

16.根据权利要求15所述的操作方法，其中，所述恢复电压具有实质上等于或低于驱动电压的电压电平的电压电平，并且包括单极唤醒脉冲。

17.根据权利要求15所述的操作方法，

18.根据权利要求15所述的操作方法，其中，所述恢复操作还包括：

19.根据权利要求15所述的操作方法，

20.根据权利要求15所述的操作方法，

21.根据权利要求15所述的操作方法，其中，施加所述恢复电压包括将从外部测试装置输入的测试图案写入所述存储单元中。

22.根据权利要求21所述的操作方法，其中，写入所述测试图案包括：

23.根据权利要求15所述的操作方法，其中，每个所述存储单元是铁电存储单元。

24.一种存储器件的操作方法，所述操作方法包括：

技术总结本公开涉及存储器件及其操作方法。一种存储器件，包括：包括多个存储单元的存储单元阵列；外围电路，其执行对存储单元施加恢复电压以提高存储单元的剩余极化的恢复操作，并且执行对存储单元施加驱动电压以从存储单元读取数据或将数据写到存储单元中的正常操作；以及控制逻辑，其在上电时控制外围电路以执行恢复操作并且在之后执行正常操作。技术研发人员：朴径彻,成旼哲,金世渊受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15