用于存储器装置的解码架构的制作方法

背景技术：

1、存储器装置广泛用于在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者的各种电子装置中存储信息。信息通过将存储器装置内的存储器胞元编程到各种状态来存储。举例来说，二进制存储器胞元可编程到通常由逻辑1或逻辑0表示的两种支持状态中的一者。在一些实例中，单个存储器胞元可支持多于两种状态，其中任一者可被存储。为了存取所存储信息，组件可读取(或感测)存储器装置中的至少一种所存储状态。为了存储信息，组件可写入(或编程)存储器装置中的状态。

2、存在各种类型的存储器装置及存储器胞元，其包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术及其它。存储器胞元为易失性或非易失性的。

技术实现思路

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

3.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

4.根据权利要求1所述的设备，其中用于存取所述多个第一存储器胞元及所述多个第二存储器胞元的逻辑页面包括与所述第一字线板及所述第二字线板耦合的存储器胞元。

5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

6.根据权利要求5所述的设备，其进一步包括：

7.根据权利要求5所述的设备，其中：

8.根据权利要求1所述的设备，其中：

9.根据权利要求1所述的设备，其中：

10.一种方法，其包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：

12.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：

13.根据权利要求10所述的方法，其中用于存取所述多个第一存储器胞元及所述多个第二存储器胞元的逻辑页面包括与所述第一字线板及所述第二字线板耦合的存储器胞元。

14.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一支柱及所述第二支柱包含于由支柱的至少一个其它行插置的支柱的不同行中，支柱的所述行与所述第一字线板及所述第二字线板相关联。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一字线板的电容至少部分基于所述第一字线板的第一字线的数量及所述多个第一字线中的每一者的长度，且其中所述第二字线板的电容至少部分基于所述第二字线板的第二字线的数量及所述多个第二字线中的每一者的长度。

17.一种设备，其包括：

18.根据权利要求17所述的设备，其进一步包括：

19.根据权利要求18所述的设备，其中用于存取所述多个第一存储器胞元及所述多个第三存储器胞元的逻辑页面包括与所述第一字线板及所述第三字线板耦合的存储器胞元。

20.根据权利要求18所述的设备，其进一步包括：

21.根据权利要求17所述的设备，其进一步包括：

22.根据权利要求17所述的设备，其进一步包括：

23.根据权利要求17所述的设备，其进一步包括：

24.根据权利要求23所述的设备，其中所述第三解码电路系统包括：

25.根据权利要求17所述的设备，其中所述支柱片块的电容至少部分基于所述支柱群组的支柱的数量及所述支柱群组的每一支柱的长度。

26.根据权利要求17所述的设备，其中所述多个第一存储器胞元及所述多个第二存储器胞元中的每一存储器胞元包括定位于至少一个字线板与至少一个支柱之间的硫属化物材料。

27.一种方法，其包括：

28.根据权利要求27所述的方法，其进一步包括：

29.根据权利要求28所述的方法，其中用于存取所述多个第一存储器胞元及所述多个第三存储器胞元的逻辑页面包括与所述第一字线板及所述第三字线板耦合的存储器胞元。

30.根据权利要求27所述的方法，其进一步包括：

31.根据权利要求27所述的方法，其中经由以蛇形形状定位于所述多个第一字线与所述多个第二字线之间的电介质材料使所述第一字线板与所述第二字线板电隔离。

32.根据权利要求27所述的方法，其进一步包括：

33.根据权利要求32所述的方法，其中所述第一支柱行线及所述第二支柱行线包括通过至少一条其它支柱行线插置的一对支柱行线。

34.根据权利要求27所述的方法，其中所述支柱片块的电容至少部分基于所述支柱片块的支柱的数量及所述支柱片块的每一支柱的长度。

35.一种设备，其包括：

技术总结描述用于存储器装置的解码架构的方法、系统及装置。存储器阵列的字线板可各自包含导电材料片，其包含在平面内沿第一方向延伸的第一部分以及在所述平面内沿第二方向延伸的多个指状物。相同平面中的两个字线板可经由共享电极激活。与共享所述电极的所述两个字线板耦合的存储器胞元或其子集可表示用于存取存储器胞元的逻辑页面。存储器胞元可经由施加于与所述存储器胞元耦合的字线板的第一电压及施加于与所述存储器胞元耦合的支柱电极的第二电压存取。可针对存储器胞元的相同页面内的两个或更多个存储器胞元执行并行或同时存取操作。技术研发人员：P·凡蒂尼,E·瓦雷西,L·弗拉汀,F·佩里兹受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15