擦写次数的确定方法、存储介质及电子装置与流程

本申请涉及嵌入式，具体而言，涉及一种擦写次数的确定方法、存储介质及电子装置。

背景技术：

1、目前在嵌入式技术领域中，广泛使用非易失性存储器(non-volatile memory，简称为nvm)方式存储数据，保存关键数据在上电后恢复。

2、目前主要通过理论计算nvm的平均寿命(如通过理论计算，nvm的平均寿命约为10w次擦写寿命)，但是由于制造误差，每个芯片的nvm特性有差异，无法对于nvm寿命进行准确预测，导致在实际使用过程中经常存在存储失效或数据丢失等情况，影响产品正常使用功能。

3、针对相关技术，由于芯片制造工艺误差所导致的不同芯片的可使用寿命与存储理论计算nvm的平均寿命的偏差较大的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

4、因此，有必要对相关技术予以改良以克服相关技术中的所述缺陷。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种擦写次数的确定方法及装置、存储介质及电子装置，以至少解决由于芯片制造工艺误差所导致的不同芯片的可使用寿命与存储理论计算nvm的平均寿命的偏差较大的问题。

2、根据本申请的一个实施例，提供了一种擦写次数的确定方法，包括：将非易失性存储器nvm进行分区，得到n个区块，其中，所述n为大于或等于2的正整数；根据所述n个区块中的前i个区块的实际擦写次数确定基准擦写次数，其中，所述i为大于或等于1，小于n的整数；根据所述基准擦写次数确定所述n个区块中除所述前i个区块外的每个区块的允许擦写次数。

3、可选地，根据所述n个区块中的前i个区块的实际擦写次数确定基准擦写次数，包括：确定所述n个区块中的第一个区块的第一实际擦写次数和所述n个区块中的第二个区块的第二实际擦写次数；在所述第一实际擦写次数和所述第二实际擦写次数的差值的绝对值小于预设阈值的情况下，将所述基准擦写次数确定为所述第一实际擦写次数和所述第二实际擦写次数的最小值，其中，所述i等于2，所述n为大于2的正整数。

4、可选地，确定所述n个区块中的第一个区块的第一实际擦写次数和所述n个区块中的第二个区块的第二实际擦写次数之后，所述方法还包括：在所述第一实际擦写次数和所述第二实际擦写次数的差值的绝对值大于或等于预设阈值的情况下，确定所述n个区块中的第三个区块的第三实际擦写次数；根据所述第一实际擦写次数、所述第二实际擦写次数和所述第三实际擦写次数确定所述基准擦写次数，其中，所述i等于3，所述n为大于3的正整数。

5、可选地，根据所述第一实际擦写次数、所述第二实际擦写次数和所述第三实际擦写次数确定所述基准擦写次数，包括：在所述第一实际擦写次数和所述第三实际擦写次数的差值的绝对值小于所述预设阈值、且所述第二实际擦写次数和所述第三实际擦写次数的差值的绝对值大于或等于所述预设阈值的情况下，将所述基准擦写次数确定为所述第一实际擦写次数和所述第三实际擦写次数的最小值；在所述第一实际擦写次数和所述第三实际擦写次数的差值的绝对值大于或等于所述预设阈值、且所述第二实际擦写次数和所述第三实际擦写次数的差值的绝对值小于所述预设阈值的情况下，将所述基准擦写次数确定为所述第二实际擦写次数和所述第三实际擦写次数的最小值；在所述第一实际擦写次数和所述第三实际擦写次数的差值的绝对值小于所述预设阈值、且所述第二实际擦写次数和所述第三实际擦写次数的差值的绝对值小于所述预设阈值的情况下，将所述基准擦写次数确定为所述第三实际擦写次数。

6、可选地，所述方法还包括：通过以下方式确定所述前i个区块中的第j个区块的实际擦写次数，其中，j为大于或等于1，小于或等于i的正整数：对所述第j个区块中的数据进行循环冗余校验crc校验；在crc验证失效的情况下，在所述第j个区块中读取所述第j个区块的实际擦写次数。

7、可选地，将非易失性存储器nvm进行分区，得到n个区块，包括：获取配置文件，其中，所述配置文件用于指示将所述nvm划分为所述n个区块以及所述n个区块中每个区块的大小；根据所述配置文件将所述nvm划分为所述n个区块。

8、可选地，根据所述基准擦写次数确定所述n个区块中除所述前i个区块外的每个区块的允许擦写次数，包括：将所述基准擦写次数乘以预设值，得到所述n个区块中除所述前i个区块外的每个区块的允许擦写次数。

9、可选地，所述n个区块中的数据存储区块和备份区块不相邻。

10、根据本申请的又一个实施例，还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，其中，所述计算机程序被设置为运行时执行上述任一项方法实施例中的步骤。

11、根据本申请的又一个实施例，还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行上述任一项方法实施例中的步骤。

12、本申请中，通过将非易失性存储器nvm进行分区，得到n个区块；根据所述n个区块中的前i个区块的实际擦写次数确定基准擦写次数，并根据基准擦写次数确定所述n个区块中除所述前i个区块外的每个区块的允许擦写次数。由于本申请通过nvm的部分区块的实际擦写次数来预测其余区块的允许擦写次数，解决了由于芯片制造工艺误差所导致的不同芯片的可使用寿命与存储理论计算nvm的平均寿命的偏差较大的问题，进而可以准确的预测其余区块的允许擦写次数，达到了准确预测nvm的寿命(即nvm的允许擦写次数)，避免nvm失效，以及更有效的使用nvm区域进行数据存储的技术效果。

技术特征：

1.一种擦写次数的确定方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述n个区块中的前i个区块的实际擦写次数确定基准擦写次数，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，确定所述n个区块中的第一个区块的第一实际擦写次数和所述n个区块中的第二个区块的第二实际擦写次数之后，所述方法还包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述第一实际擦写次数、所述第二实际擦写次数和所述第三实际擦写次数确定所述基准擦写次数，包括：

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，将非易失性存储器nvm进行分区，得到n个区块，包括：

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，根据所述基准擦写次数确定所述n个区块中除所述前i个区块外的每个区块的允许擦写次数，包括：

8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述n个区块中的数据存储区块和备份区块不相邻。

9.一种计算机可读的存储介质，其特征在于，所述计算机可读的存储介质包括存储的程序，其中，所述程序运行时执行上述权利要求1至8任一项中所述的方法。

10.一种电子装置，包括存储器和处理器，其特征在于，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为通过所述计算机程序执行所述权利要求1至8任一项中所述的方法。

技术总结本申请公开了一种擦写次数的确定方法、存储介质及电子装置，其中，上述方法包括：将非易失性存储器NVM进行分区，得到N个区块，其中，所述N为大于或等于2的正整数；根据所述N个区块中的前i个区块的实际擦写次数确定基准擦写次数，其中，所述i为大于或等于1，小于N的整数；根据所述基准擦写次数确定所述N个区块中除所述前i个区块外的每个区块的允许擦写次数。采用上述技术方案，解决了由于芯片制造工艺误差所导致的不同芯片的可使用寿命与存储理论计算NVM的平均寿命的偏差较大的问题。技术研发人员：白龙,沈向东,沈成宇,侯敏,曹辉受保护的技术使用者：上海瑞浦青创新能源有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/1