存储器阵列及存储器的制作方法

本申请涉及存储器，尤其涉及一种存储器阵列及存储器。

背景技术：

1、非易失性存储器(non-volatile memory，nvm)因具有可多次进行数据的存入，读取以及抹除等特性，且存入的数据在断电之后也不会消失，其被广泛应用于个人计算机和电子设备。然而，目前一些非易失性存储器的制造工艺的难度较大。

2、因此，有必要提出一种技术方案以改善存储器的制造工艺难度较大的问题。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种存储器阵列及存储器，以改善存储器的制造工艺难度较大的问题。

2、第一方面，本申请提供一种存储器阵列，包括：

3、间隔排布的多条位线；以及

4、间隔排布的多条有源区，相邻两条所述有源区之间设置有隔离区，所述有源区设置有包括两个存储单元的存储单元对，所述存储单元对包括第一区域、第二区域以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的沟道区域，一个所述存储单元对与两条所述位线连接；

5、其中，一条所述位线与一条所述有源区重叠，或者，一条所述位线与相邻两条所述有源区以及相邻两条所述有源区之间的所述隔离区重叠。

6、在一些实施例中，一条所述位线与相邻两条所述有源区以及相邻两条所述有源区之间的所述隔离区重叠，所述位线的至少部分呈折线形延伸。

7、在一些实施例中，一条所述位线包括相互连接的第一线段和第二线段，所述第一线段的延伸方向与所述第二线段的延伸方向相交，所述第一线段和所述第二线段均与相邻两条所述有源区以及相邻两条所述有源区之间的所述隔离区相交。

8、在一些实施例中，所述存储器阵列还包括：多个触点，位于所述有源区与所述位线相交的位置处，一部分所述触点的相对两端分别与所述第一区域以及所述位线接触，另一部分所述触点的相对两端分别与所述第二区域以及所述位线接触。

9、在一些实施例中，所述存储器阵列还包括：冗余有源区，位于多条所述有源区的至少一侧，且一条所述位线与一条所述冗余有源区、与所述冗余有源区相邻的一条所述有源区以及所述冗余有源区与所述有源区之间的隔离区重叠。

10、在一些实施例中，一条所述位线与一条所述有源区重叠；

11、所述存储器阵列还包括：多条连接线，所述连接线的一端与相邻两条所述位线中的一者连接，所述连接线的另一端与相邻两条所述位线中的另一者断开连接；以及

12、多个触点，一部分所述触点的相对两端分别与所述连接线的一端以及所述第一区域接触，另一部分所述触点的相对两端分别与所述连接线的另一端以及所述第二区域接触。

13、在一些实施例中，所述位线呈直线形延伸。

14、在一些实施例中，所述有源区呈直线形延伸。

15、在一些实施例中，所述存储单元对还包括位于所述沟道区域的一侧且与所述沟道区域重叠的第一栅极、第二栅极以及第三栅极，所述存储单元对的两个所述存储单元共用所述第一栅极；

16、所述存储器阵列还包括：

17、多条第一控制信号线，与多条所述位线相交，并与所述储存单元对的所述第一栅极连接；

18、多条第二控制信号线，与所述存储单元对的所述第一控制栅极第二栅极连接；以及

19、多条第三控制信号线，与所述存储单元对的所述第二控制栅极第三栅极连接。

20、在一些实施例中，所述存储器阵列包括：

21、半导体层，包括多条所述有源区；以及

22、第一导电层，包括多条所述第一控制信号线，在所述半导体层的厚度方向上所述第一导电层位于所述半导体层的一侧；以及

23、第二导电层，包括多条所述位线，并在所述半导体层的厚度方向上所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述半导体层的一侧，或，在所述半导体层的厚度方向上所述第二导电层位于所述第一导电层与所述半导体层之间。

24、在一些实施例中，所述第一控制信号线与所述有源区相交，且所述第一控制信号线与所述有源区之间的夹角大于0度且小于90度。

25、第二方面，本申请还提供一种存储器，所述存储器包括上述任意一些实施例的所述存储器阵列。

26、根据本申请的一些实施例，由于一条位线与一条有源区重叠，或者，一条位线与相邻两条有源区以及相邻两条有源区之间的隔离区重叠，相关技术中连接位线与存储单元对的导电线可以减少甚至去除，进而简化存储器阵列及存储器的制造工艺。而且，一条位线与一条有源区重叠，或者，一条位线与相邻两条有源区以及相邻两条有源区之间的隔离区重叠，能为有源区提供更多的布设空间，进而有利于增大存储器阵列和存储器的存储单元对的密度。

技术特征：

1.一种存储器阵列，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于，一条所述位线与相邻两条所述有源区以及相邻两条所述有源区之间的所述隔离区重叠，所述位线的至少部分呈折线形延伸。

3.根据权利要求2所述的存储器阵列，其特征在于，一条所述位线包括相互连接的第一线段和第二线段，所述第一线段的延伸方向与所述第二线段的延伸方向相交，所述第一线段和所述第二线段均与相邻两条所述有源区以及相邻两条所述有源区之间的所述隔离区相交。

4.根据权利要求2所述的存储器阵列，其特征在于，所述存储器阵列还包括：多个触点，位于所述有源区与所述位线相交的位置处，一部分所述触点的相对两端分别与所述第一区域以及所述位线接触，另一部分所述触点的相对两端分别与所述第二区域以及所述位线接触。

5.根据权利要求2所述的存储器阵列，其特征在于，所述存储器阵列还包括：冗余有源区，位于多条所述有源区的至少一侧，且一条所述位线与一条所述冗余有源区、与所述冗余有源区相邻的一条所述有源区以及所述冗余有源区与所述有源区之间的隔离区重叠。

6.根据权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于，一条所述位线与一条所述有源区重叠；

7.根据权利要求6所述的存储器阵列，其特征在于，所述位线呈直线形延伸。

8.根据权利要求1-7任一项所述的存储器阵列，其特征在于，所述有源区呈直线形延伸。

9.根据权利要求1-7任一项所述的存储器阵列，其特征在于，所述存储单元对还包括位于所述沟道区域的一侧且与所述沟道区域重叠的第一栅极、第二栅极以及第三栅极，所述存储单元对的两个所述存储单元共用所述第一栅极；

10.根据权利要求9所述的存储器阵列，其特征在于，所述存储器阵列包括：

11.根据权利要求9所述的存储器阵列，其特征在于，所述第一控制信号线与所述有源区相交，且所述第一控制信号线与所述有源区之间的夹角大于0度且小于90度。

12.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括如权利要求1-11任一项所述存储器阵列。

技术总结本申请提供一种存储器阵列及存储器，包括：间隔排布的多条位线；间隔排布的多条有源区，相邻两条有源区之间设置有隔离区，有源区设置有包括两个存储单元的存储单元对，存储单元对包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的沟道区域，一个存储单元对与两条位线连接；其中，一条位线与一条有源区重叠，或者，一条位线与相邻两条有源区以及相邻两条有源区之间的隔离区重叠。技术研发人员：冯骏,李琪,熊涛受保护的技术使用者：兆易创新科技集团股份有限公司技术研发日：20230711技术公布日：2024/2/19