电子元件的制作方法

本公开关于一种电子元件。特别涉及一种具有一分压器的电子元件。

背景技术：

1、一集成电路(ic)可以包括需要不同供应电压的多个电路部分。一电压产生器可以产生不同的供应电压。因此，具有改善结构的一电压产生器对于ic设计是有意义的。

2、上文的“现有技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

技术实现思路

1、本公开的一实施例提供一种电子元件，包括一第一电阻器、一第二电阻器、一第一晶体管、一第二晶体管、一输出端子及一块体电压电路。该第二电阻器连接到该第一电阻器。该第一晶体管并联地连接到该第一电阻器并具有一第一块体。该第二晶体管并联地连接到该第二电阻器并具有一第二块体。该输出端子电性连接到该第一晶体管。该块体电压电路连接该输出端子以及该第一晶体管的该第一块体。该第一晶体管具有一源极，电性连接到该第二晶体管的一漏极。

2、本公开的该电子元件包括一第一电阻器、一第二电阻器、一第一晶体管以及一第二晶体管。该第二电阻器连接到该第一电阻器。该第一晶体管并联地连接到该第一电阻器并具有一第一块体。该第二晶体管并联地连接到该第二电阻器并具有一第二块体。该第一晶体管的该第一块体接收一第一电压并且该第二晶体管的该第二块体接收一第二电压。当该第一晶体管与该第二晶体管截止时，该第一电阻器与该第二电阻器经配置以在该第一电阻器的一端子处对一供应电压进行分压。该供应电压分配给该第一电阻器与该第二电阻器，该第一电阻器与该第二电阻器分别施加到该第一晶体管与该第二晶体管的源极或漏极。跨经源极/漏极与该第二晶体管的该块体之间的反向电压处于一适度等范围内。因此，源极/漏极的一接面与该第一晶体管和该第二晶体管的该块主体之间的反向漏电流可以相对较低，或者可以忽略不计。因此，源极/漏极与该第一晶体管和该第二晶体管的该块体的该接面的等效电阻可以足够高以被认为是一开路。因此，该第一和该第二晶体管的源极/漏极与该块主体的适度反向偏置接面的等效电阻不会影响该第一电阻器与该第二电阻器的分压。此外，该电子元件可以包括更多连接的电阻器以及分别与相应电阻器并联连接的晶体管。本公开的电子元件产生多个不同的电压到晶体管的该块体。因此，源极/漏极的接面与每个晶体管的块体的电压可以在一适度的范围内或处于一适度的数值。其间的接面漏电流可以相对较低，因此接面的高等效电阻不会影响多个电阻器的分压。

3、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。

技术特征：

1.一种电子元件，包括：

2.如权利要求1所述的电子元件，其中该第一晶体管的该第一块体接收一第一电压并且该第二晶体管的该第二块体接收一第二电压。

3.如权利要求2所述的电子元件，其中该第一电压与该第二电压是不同的。

4.如权利要求3所述的电子元件，其中该块体电压电路与该第二晶体管的该第二块体。

5.如权利要求4所述的电子元件，其中该输出端子具有一供应电压，且该块体电压电路经配置以基于该供应电压而产生该第一电压与该第二电压。

6.如权利要求5所述的电子元件，其中该供应电压、该第一电压以及该第二电压是不同的。

7.如权利要求5所述的电子元件，其中该块体电压电路包括一第三电阻器，连接该第一晶体管的该第一块体与该第二晶体管的该第二块体。

8.如权利要求7所述的电子元件，其中该块体电压电路包括一第四电阻器，将该第二晶体管的该第二块体连接到接地。

9.如权利要求8所述的电子元件，其中该第一电压与该第二电压的比值等于该第三电阻器与该第四电阻器的一总电阻值除以该第四电阻器的一电阻值。

10.如权利要求8所述的电子元件，还包括一第五电阻器，电性连接该第二电组器与该接地。

11.如权利要求10所述的电子元件，还包括一第三电阻器，并联地连接到该第五电阻器。

12.如权利要求11所述的电子元件，其中一第三晶体管具有一第三块体，接收一第三电压，以及该第三电压不同于该第一电压与该第二电压。

13.如权利要求11所述的电子元件，其中该块体电压电路具有一第六电阻器，将该第四电阻器连接到接地。

14.如权利要求2所述的电子元件，还包括一第七电阻器，该第七电阻器电性连接该输出端子与该第一电阻器。

15.如权利要求14所述的电子元件，还包括一第四晶体管，该第四晶体管并联地连接到该第七电阻器。

16.如权利要求15所述的电子元件，其中该第四晶体管具有一第四块体，接收一供应电压。

17.如权利要求15所述的电子元件，其中该块体电压电路包括一第八电阻器，连接该第一电阻器与该输出端子。

18.如权利要求1所述的电子元件，其中该第一晶体管具有一源极，电性连接到该第二晶体管的一漏极。

19.如权利要求18所述的电子元件，其中跨经该第二晶体管的该漏极与该第二块体的该电压在从0.8v到1.2v的一范围内。

20.如权利要求1所述的电子元件，其中该晶体管包括一p型mosfet或n型mosfet。

技术总结本公开提供一种电子元件。该电子元件包括一第一电阻器、一第二电阻器、一第一晶体管、一第二晶体管、一输出端子及一块体电压电路。该第二电阻器连接到该第一电阻器。该第一晶体管并联地连接到该第一电阻器并具有第一块体。该第二晶体管并联地连接到该第二电阻器并具有一第二块体。该输出端子电性连接到该第一晶体管。该块体电压电路连接该输出端子以及该第一晶体管的该第一块体。该第一晶体管具有一源极，电性连接到该第二晶体管的一漏极。技术研发人员：杨吴德受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/24