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一种驱动电路及存储器的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:54:11

本发明涉及存储器,特别是一种驱动电路及存储器。

背景技术:

1、在铁电存储器的存储阵列控制电路的设计中,板线驱动电路的作用主要有:1、用于驱动大量存储单元的铁电电容,对铁电电容进行充放电;2、利用存储单元中的mos管(晶体管)的寄生电容给字线设计升压电路。在现有pl驱动电路的设计中,主要是利用电容或使用逻辑电路设计提高电路的驱动能力,加快对铁电电容的驱动能力。但是在对存储器进行写“1”操作(写入数据)利用寄生电容设计字线升压电路时,驱动太快不仅会导致字线的电压迅速增大损坏mos管还会增大驱动电路的峰值电流。

2、因此,设计的驱动电路变得十分必要,而其他的驱动电路大都采用逻辑“与”进行设计,而本专利通过中间加传输门的控制方式能够使得板线驱动能力,增强了驱动能力。

技术实现思路

1、鉴于上述驱动电路中存在的问题,提出了本发明。

2、因此,本发明的第一个目的是提供一种驱动电路,其能够解决存储器驱动电路驱动太快会导致电压迅速增大而损毁mos管的问题。

3、为解决上述技术问题,本发明提供如下技术方案:一种驱动电路,其包括,输电单元,所述输电单元包括电源端、驱动端,在所述电源端与所述驱动端之间连接有分流单元;控制单元,所述控制单元控制所述分流单元的通断。

4、作为本发明所述驱动电路的一种优选方案,其中:所述分流单元包括主线模块和支线模块,所述主线模块与所述支线模块并联,所述支线模块包括至少一条支线。

5、作为本发明所述驱动电路的一种优选方案,其中:所述控制单元包括至少一个传输门模块,所述传输门模块与所述支线一一对应。

6、作为本发明所述驱动电路的一种优选方案,其中:所述主线模块和所述支线上均设置有驱动mos管,且在所述支线上还额外设置有一级控制mos管,所述一级控制mos管的漏极与所述支线上的驱动mos管的栅极相连,所述一级控制mos管的栅极与外部信号相连。

7、作为本发明所述驱动电路的一种优选方案,其中:所述传输门模块之间互相并联,且所述传输门模块的输出端与所述支线相连,所述传输门模块由一个p型mos管和一个n型mos管并联形成且所述传输门模块中的mos管的栅极与外部信号相连。

8、作为本发明所述驱动电路的一种优选方案,其中:所述输电单元还包括接地端,所述驱动端由所述电源端和所述接地端供电,在所述控制单元与所述接地端之间还依次设置有二级控制mos管和三级控制mos管,所述二级控制mos管由一个p型mos管和一个n型mos管并联形成。

9、作为本发明所述驱动电路的一种优选方案,其中:在所述二级控制mos管与所述电源端之间还设置有一级制动mos管,所述一级制动mos管包括并联的主制动mos管和副制动mos管,所述副制动mos管的漏极还与所述驱动mos管的栅极相连。

10、作为本发明所述驱动电路的一种优选方案,其中:在所述接地端与所述驱动端之间还设置有二级制动mos管,所述二级制动mos管由第一制动mos管和第二制动mos管并联组成,所述第一制动mos管的栅极还与所述电源端相连,所述第二制动mos管的栅极与外部信号相连。

11、作为本发明所述驱动电路的一种优选方案,其中:在所述一级制动mos管和三级控制mos管的栅极还分别连接有信号端,所述信号端上设置有反相器。

12、本发明的第二个目的是提供一种存储器,所述存储器包括存储阵列以及所述的驱动电路,所述存储阵列通过所述驱动电路进行驱动。

13、本发明有益效果为:本发明通过在电路中间加传输门的控制方式能够使得电路驱动能力具有多个挡位,增强了驱动能力。同时本驱动电路应用范围广,除了可以驱动存储单元的板线,也可用于设计字线升压电路以及其他驱动类电路。

技术特征:

1.一种驱动电路,其特征在于:包括,

2.如权利要求1所述的驱动电路,其特征在于:所述分流单元(103)包括主线模块(103a)和支线模块(103b),所述主线模块(103a)与所述支线模块(103b)并联,所述支线模块(103b)包括至少一条支线(103c)。

3.如权利要求2所述的驱动电路,其特征在于:所述控制单元(200)包括至少一个传输门模块(201),所述传输门模块(201)与所述支线(103c)一一对应,并分别控制相应支线(103c)的通断。

4.如权利要求3所述的驱动电路,其特征在于:所述主线模块(103a)和所述支线(103c)上均设置有驱动mos管(103d),且在所述支线(103c)上还设置有一级控制mos管(103e),所述一级控制mos管(103e)的漏极与所述支线(103c)上的驱动mos管(103d)的栅极相连,所述一级控制mos管(103e)的栅极与外部信号相连。

5.如权利要求4所述的驱动电路,其特征在于:所述传输门模块(201)之间互相并联,且所述传输门模块(201)的输出端与所述支线(103c)相连,所述传输门模块(201)由一个p型mos管和一个n型mos管并联形成且所述传输门模块(201)中的mos管的栅极与外部信号相连。

6.如权利要求4或5所述的驱动电路,其特征在于:所述输电单元(100)还包括接地端(104),所述驱动端(102)由所述电源端(101)和所述接地端(104)供电,在所述控制单元(200)与所述接地端(104)之间还依次设置有二级控制mos管(202)和三级控制mos管(203),所述二级控制mos管(202)由一个p型mos管和一个n型mos管并联形成。

7.如权利要求6所述的驱动电路,其特征在于:在所述二级控制mos管(202)与所述电源端(101)之间还设置有一级制动mos管(301),所述一级制动mos管(301)包括并联的主制动mos管(301a)和副制动mos管(301b),所述副制动mos管(301b)的漏极还与所述驱动mos管(103d)的栅极相连。

8.如权利要求7所述的驱动电路,其特征在于:在所述接地端(104)与所述驱动端(102)之间还设置有二级制动mos管(302),所述二级制动mos管(302)由第一制动mos管(302a)和第二制动mos管(302b)并联组成,所述第一制动mos管(302a)的栅极还与所述电源端(101)相连,所述第二制动mos管(302b)的栅极与外部信号相连。

9.如权利要求8所述的驱动电路,其特征在于:在所述一级制动mos管(301)和三级控制mos管(203)的栅极还分别连接有信号端(400),所述信号端(400)上设置有反相器(401)。

10.一种存储器,其特征在于:所述存储器包括存储阵列以及如权利要求1~9所述的驱动电路,所述存储阵列通过所述驱动电路进行驱动。

技术总结本发明公开了一种驱动电路及存储器,涉及存储器技术领域,驱动电路包括输电单元,所述输电单元包括电源端、驱动端,在所述电源端与所述驱动端之间连接有分流单元;以及控制单元,所述控制单元控制所述分流单元的通断。本发明通过在电路中间加传输门的控制方式能够使得电路驱动能力具有多个挡位,增强了驱动能力。同时本驱动电路应用范围广,除了可以驱动存储单元的板线,也可用于设计字线升压电路以及其他驱动类电路。技术研发人员:请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名受保护的技术使用者:温州核芯智存科技有限公司技术研发日:技术公布日:2024/5/12

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