存储器装置及其操作方法与流程

发明构思涉及存储器装置，更具体地，涉及具有改进的阈值电压分布的存储器装置以及存储器装置的操作方法。

背景技术：

1、作为非易失性存储器装置的闪存装置即使在电力被切断时也可保留存储的数据。包括闪存装置的存储装置(诸如，固态驱动器(ssd)和存储卡)被广泛使用，并且存储装置有用地用于存储或移动大量数据。

2、在向非易失性存储器装置写入数据时，可执行多个编程循环。在这种情况下，可在多个编程循环中执行编程操作和验证操作，并且可通过增量步进脉冲编程(ispp)方法来执行编程操作。此外，高速编程(hsp)可用作编程方法的示例，并且由于多个位的数据被存储在非易失性存储器装置的每个存储器单元中，因此存储器单元的阈值电压分布特性需要被改进。

技术实现思路

1、发明构思提供一种可改进例如高速编程(hsp)方法的编程操作中的阈值电压分布的存储器装置和存储器装置的操作方法。

2、根据发明构思的一个方面，一种存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成编程电压和验证电压；以及控制逻辑，被配置为：在数据写入操作期间控制多个编程循环，以使用编程电压将所述多个存储器单元编程到多个编程状态，并且使用验证电压确定在所述多个编程循环中编程是通过还是失败，其中，控制逻辑被配置为：控制所述多个编程循环，以在所述多个编程循环中的至少一个编程循环中使用用于验证第n编程状态的验证条件来验证将被编程到第n+1编程状态的一个或多个第n+1存储器单元，其中，n是大于或等于1的整数。

3、根据发明构思的另一方面，一种包括多个存储器单元的存储器装置的操作方法包括：执行一个或多个第n存储器单元到第n编程状态以及一个或多个第n+1存储器单元到第n+1编程状态的第一编程；当第n存储器单元的第一编程完成时，禁止第n存储器单元的编程操作；以及执行所述一个或多个第n+1存储器单元的第二编程，其中，第一编程包括一个或多个第一编程循环，并且在每个第一编程循环中，第n存储器单元和第n+1存储器单元的编程是通过还是失败使用用于验证第n编程状态的第一电平的验证电压被验证，并且第二编程包括一个或多个第二编程循环，并且在每个第二编程循环中，第n+1存储器单元的编程是通过还是失败使用用于验证第n+1编程状态的第二电平的验证电压被验证。

4、根据发明构思的另一方面，一种存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成在数据写入操作期间施加到所述多个存储器单元的编程电压和验证电压；以及控制逻辑，被配置为：通过在数据写入操作期间控制所述多个存储器单元的编程循环，将所述多个存储器单元的阈值电压电平改变为多个阈值电压分布，以及通过将第n编程状态设置为目标分布来将一个或多个第n+1存储器单元编程到第n+1编程状态，然后通过将第n+1编程状态设置为另一目标分布来控制编程循环以对第n+1存储器单元进行编程。

技术特征：

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，对应于第n编程状态的第一阈值电压分布与对应于第n+1编程状态的第二阈值电压分布相邻，并且对应于第n+1编程状态的第一阈值电压电平大于对应于第n编程状态的第二阈值电压电平。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，在将一个或多个第n存储器单元编程到第n编程状态之后，使用用于验证第n+1编程状态的验证条件来验证所述一个或多个第n+1存储器单元。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，在将一个或多个第n存储器单元编程到第n编程状态之前的时间，使用用于验证第n+1编程状态的验证条件来验证所述一个或多个第n+1存储器单元。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，

8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的存储器装置，其中，控制逻辑还被配置为：控制所述多个编程循环，使得将被编程到第n+2编程状态的一个或多个第n+2存储器单元使用用于验证第n编程状态的验证条件被验证。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，

11.一种包括多个存储器单元的存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：

12.根据权利要求11所述的操作方法，其中，对应于第n编程状态的第一阈值电压分布与对应于第n+1编程状态的第二阈值电压分布相邻，并且对应于第n+1编程状态的第一阈值电压电平大于对应于第n编程状态的第二阈值电压电平。

13.根据权利要求11所述的操作方法，其中，在所述一个或多个第n存储器单元的第一编程完成之后，对所述一个或多个第n+1存储器单元执行第二编程。

14.根据权利要求11所述的操作方法，其中，在所述一个或多个第n存储器单元的第一编程完成之前启动所述一个或多个第n+1存储器单元的第二编程。

15.根据权利要求11至14中的任意一项所述的操作方法，其中，

16.根据权利要求11所述的操作方法，其中，

17.根据权利要求11所述的操作方法，其中，在所述一个或多个第一编程循环中的至少一些中，使用第一电平的验证电压同时验证所述一个或多个第n存储器单元和所述一个或多个第n+1存储器单元。

18.一种存储器装置，包括：

19.根据权利要求18所述的存储器装置，其中，当所述一个或多个第n+1存储器单元使用用于验证第n编程状态的第一验证电压被验证时，所述一个或多个第n+1存储器单元的阈值电压分布改变为对应于第n编程状态的分布。

20.根据权利要求19所述的存储器装置，其中，在完成将一个或多个第n存储器单元编程到第n编程状态之后或者在执行所述一个或多个第n存储器单元的编程循环的同时，所述一个或多个第n+1存储器单元通过使用用于验证第n+1编程状态的第二验证电压被验证，并且所述一个或多个第n+1存储器单元的阈值电压分布改变为对应于第n+1编程状态的分布。

技术总结提供了存储器装置和存储器装置的操作方法。所述存储器装置包括存储器单元阵列、电压生成器和控制逻辑，存储器单元阵列包括多个存储器单元，电压生成器被配置为生成在数据写入操作期间施加到所述多个存储器单元的编程电压和验证电压，控制逻辑被配置为：在数据写入操作期间控制多个编程循环，以将所述多个存储器单元编程到多个编程状态，并且被配置为确定在所述多个编程循环中编程是通过还是失败，其中，控制逻辑控制所述多个编程循环，以在所述多个编程循环中的至少一个编程循环中通过使用用于验证第n编程状态的验证条件来验证将被编程到第n+1编程状态的一个或多个第n+1存储器单元(n是大于或等于1的整数)。技术研发人员：金注男,朴世准,辛刚仁,申昌焕,李惠志,张佑在受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/5/12