存储器装置及其编程方法与流程

本发明是有关于一种存储器装置的操作方法，且特别是有关于一种存储器装置及其编程方法。

背景技术：

1、近来越来越多行动电子装置，如平板、笔电、智慧电话或固态驱动器等，已经开始使用nand快闪存储器作为主要数据储存装置。低成本且高密度的nand快闪存储器的需求也快速增加。但是，光刻技术的限制、存储单元间的干扰以及浮栅极所储存的电子数的降低阻碍了浮栅极nand快闪存储器进一步小型化。为了解决nand快闪存储器的尺度问题，各种三维堆叠电荷捕捉nand快闪存储器被认为是一个突破口，因为这些存储器具有可扩展性、容易制造与自由耦合特性。

2、然而，随着3d存储器结构的层数从48层增加到96层、128层而且还不断地增加，存储单元阵列中的字线图案效应趋向严重，并且在对最后几条字线(底部的字线)进行编程时会引发不良通道升压。如此，编程干扰在3d存储器的堆叠结构变高时成为一个问题。

3、图1为在编程时的电压施加示意图。对存储单元阵列进行编程时，选择的字线会施加编程偏压vp，而未选择的字线会施加非选偏压(pass bias)vpassp，因此不会让未选择字线致能。此外，存储单元阵列中还会包括虚拟字线(dummy word line)，而在进行编程时，虚拟字线也会被施加非选偏压vpassp。在现有方法中，当进行选择的字线进行编程时，施加于虚拟字线的非选偏压vpassp是固定的。

4、图2a为虚拟字线的阈值电压与各字线编程次数的关系图，其中横轴为虚拟字线dwlb0的阈值电压vt，纵轴是编程的次数。每进行一次字线的编程就记录一次阈值电压vt的值。但是，从图1可以看出来，当从3d nand快闪存储器的顶部字线wl95依序编程到底部字线wl0时，随着编程次数的增加，虚拟字线dwlb0的阈值电压vt也逐渐增加。

5、图2b为虚拟字线的阈值电压被干扰至高电压的示意图。图2b示出图2a中200区域的虚拟字线的阈值电压被干扰至高电压的示意图。如图2b所示，横轴为字线的编号，依序从字线wl95至字线wl0，而纵轴为虚拟字线dwlb0的阈值电压vt。从图2b可以看出，随着依序对字线wl95至字线wl0编程后，虚拟字线dwlb0的阈值电压vt也从约0.5v被干扰而上升到3v左右。

6、虚拟字线dwlb0的高阈值电压vt会造成栅极感应漏极漏电流(gate induce drainleak，gidl)，并且在编程底部的字线时降低通道电压vch，造成不良的通道电压升压。虽然较低的非选偏压vpassp可以抑制虚拟字线dwlb0的阈值电压被干扰到高电压，但是会有通道电压升压不足的问题，这在对底部的字线进行编程时会导致较差的编程分布。

7、因此，需有提出一种3d nand快闪存储器的编程方法。

技术实现思路

1、基于上述说明，本发明提出一种存储器装置及其编程方法，其在编程各字线时，对虚拟字线动态地施加非选偏压，而不是对编程每一条字线时都施加固定的非选偏压。

2、根据本发明一实施例，提供一种存储器装置的编程方法，其中存储单元阵列包括依序设置的第一虚拟字线组、多个字线与第二虚拟字线组。编程方法包括：将多个字线分成多个字线群；产生至少一组非选偏压，至少一组非选偏压包括多个非选偏压，分别与多个字线群的每一个相对应；选择多个字线的其中之一进行编程，并且判断选择的字线属于多个字线群的特定字线群；以及依据编程顺序，对第一虚拟字线组与第二虚拟字线组其中之一的至少其中一条虚拟字线施加至少一组非选偏压中与特定字线群相应的多个非选偏压中的相应非选偏压。

3、根据本发明另一实施例，提供一种存储器装置，包括，存储单元阵列包括依序设置的第一虚拟字线组、多个字线与第二虚拟字线组；以及存储器控制电路，用以控制存储单元体阵列。存储器控制电路还进行编程操作，包括：将多个字线分成多个字线群；产生至少一组非选偏压，至少一组非选偏压包括多个非选偏压，分别与多个字线群的每一个相对应；选择多个字线的其中之一进行编程，并且判断选择的字线属于多个字线群的特定字线群；以及依据编程顺序，对第一虚拟字线组与第二虚拟字线组其中之一的至少其中一条虚拟字线施加至少一组非选偏压中与特定字线群相应的多个非选偏压中的相应非选偏压。

4、根据一实施例，在上述编程方法中，当编程顺序是从第一群虚拟字线侧向第二群虚拟字线侧进行编程时，对第二群虚拟字线的至少其中一个虚拟字线施加至少一组非选偏压。

5、根据一实施例，在上述编程方法中，多个字线群的特定字线群越靠近第二群虚拟字线，则多个非选偏压中的所述相应非选偏压则越大。

6、根据一实施例，在上述编程方法中，对第二群虚拟字线的至少其中一个虚拟字线以外的虚拟字线施加固定的非选偏压。

7、根据一实施例，在上述编程方法中，对第二群虚拟字线的至少其中一个虚拟字线以外的虚拟字线施加另一组非选偏压。

8、根据一实施例，在上述编程方法中，各多个字线群的字线数量为相等或不同。

9、根据一实施例，在上述编程方法中，至少一组非选偏压中的多个非选偏压为相异值。

10、根据一实施例，在上述编程方法中，至少一组非选偏压中的多个非选偏压中的其中两相邻非选偏压为相等。

11、根据一实施例，在上述编程方法中，存储器装置为二维或三维nand快闪存储器。

12、根据一实施例，在上述编程方法中，存储器装置的存储单元是单层单元、双层单元、三层单元或四层单元。

13、基于上述，根据本发明实施例，施加在虚拟字线的非选偏压可以随着编程不同字线而动态地改变。在对距虚拟字线较远的字线进行编程时，虚拟字线是施加较小的非选偏压，因此可以抑制虚拟字线的阈值电压被干扰。在对距虚拟字线较近的字线进行编程时，虚拟字线是施加较大的非选偏压，因此可以防止gidl漏电流并且加强通道电压升压。因此，通过本发明实施所描述例的方法，编程干扰可以有明显的改善。

技术特征：

1.一种存储器装置的编程方法，其中所述存储器装置具有存储单元阵列，所述存储单元阵列包括依序设置的第一虚拟字线组、多个字线与第二虚拟字线组，所述编程方法包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置的编程方法，其中当所述编程顺序是从所述第一群虚拟字线侧向所述第二群虚拟字线侧时，对所述第二群虚拟字线的至少其中一个虚拟字线施加所述至少一组非选偏压。

3.根据权利要求2所述的存储器装置的编程方法，其中所述多个字线群的所述特定字线群越靠近所述第二群虚拟字线，则所述多个非选偏压中的所述相应非选偏压则越大。

4.根据权利要求2所述的存储器装置的编程方法，其中对所述第二群虚拟字线的所述至少其中一个虚拟字线以外的虚拟字线施加固定的非选偏压。

5.根据权利要求2所述的存储器装置的编程方法，其中对所述第二群虚拟字线的所述至少其中一个虚拟字线以外的虚拟字线施加另一组非选偏压。

6.根据权利要求1所述的存储器装置的编程方法，其中各所述多个字线群的字线数量为相等或不同。

7.根据权利要求1所述的存储器装置的编程方法，其中所述至少一组非选偏压中的所述多个非选偏压为相异值。

8.根据权利要求1所述的存储器装置的编程方法，其中所述至少一组非选偏压中的所述多个非选偏压中的其中两相邻非选偏压为相等。

9.根据权利要求1所述的存储器装置的编程方法，其中所述存储器装置为二维或三维nand快闪存储器。

10.根据权利要求1所述的存储器装置的编程方法，其中所述存储器装置的存储单元是单层单元、双层单元、三层单元或四层单元。

11.一种存储器装置，包括：

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中当所述编程顺序是从所述第一群虚拟字线侧向所述第二群虚拟字线侧进行编程时，对所述第二群虚拟字线的至少其中一个虚拟字线施加所述至少一组非选偏压。

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中所述多个字线群的所述特定字线群越靠近所述第二群虚拟字线，则所述多个非选偏压中的所述相应非选偏压则越大。

14.根据权利要求12所述的存储器装置，其中对所述第二群虚拟字线的所述至少其中一个虚拟字线以外的虚拟字线施加固定的非选偏压。

15.根据权利要求12所述的存储器装置，其中对所述第二群虚拟字线的所述至少其中一个虚拟字线以外的虚拟字线施加另一组非选偏压。

16.根据权利要求11所述的存储器装置，其中各所述多个字线群的字线数量为相等或不同。

17.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述至少一组非选偏压中的所述多个非选偏压为相异值。

18.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述至少一组非选偏压中的所述多个非选偏压中的其中两相邻非选偏压为相等。

19.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述存储器装置为二维或三维nand快闪存储器。

20.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述存储器装置的存储单元是单层单元、双层单元、三层单元或四层单元。

技术总结本公开提供了一种存储器装置及其编程方法。存储单元阵列包括依序设置的第一虚拟字线组、多个字线与第二虚拟字线组。编程方法包括：将多个字线分成多个字线群；产生至少一组非选偏压，至少一组非选偏压包括多个非选偏压，分别与多个字线群的每一个相对应；选择多个字线的其中之一进行编程，并且判断选择的字线属于多个字线群的特定字线群；以及依据编程顺序，在第一虚拟字线组与第二虚拟字线组其中之一的其中一条虚拟字线施加至少一组非选偏压中与特定字线群相应的多个非选偏压中的相应非选偏压。技术研发人员：李亚叡,陈冠复受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/4