具有唯一读取和/或编程参数的存储器设备的制作方法

背景技术：

1、1.技术领域

2、本公开整体涉及存储器设备，并且更具体地涉及被配置为在每存储器单元多位模式和每存储器单元单位模式两者下操作的存储器设备。

3、2.相关技术

4、半导体存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子设备、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接至电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。

5、此类非易失性存储器设备通常包括布置在存储块中的多个存储器单元，每个存储块包括多个字线。存储器单元被配置为被编程以保留与被编程的数据状态相关联的阈值电压。在编程之后，可在读取操作中访问存储器单元中包含的数据，由此感测存储器单元的阈值电压。一些存储器设备被配置为在强调性能或容量的不同模式下操作。例如，一些存储器设备包括被配置为在提供了高性能的每存储器单元单位模式或提供了高容量的每存储器单元多位模式两者下操作的存储块。

技术实现思路

1、本公开的一个方面涉及一种用于操作存储器设备的方法。该方法包括准备存储块的步骤，该存储块包括布置在多个字线中的多个存储器单元。该方法继续进行确定该存储块是处于该每存储器单元多位模式还是该每存储器单元单位模式的步骤。在对该多个字线中的所选择的字线进行读取操作期间，该方法继续进行响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，将第一vreadk电压施加到紧邻该所选择的字线的该多个字线的这些字线，或响应于该存储块处于该每存储器单元单位模式，将第二vreadk电压施加到紧邻该所选择的字线的该多个字线的这些字线的步骤。该第二vreadk电压与该第一vreadk电压不同。

2、根据本公开的另一方面，该方法还包括在该读取操作期间将vread电压施加到不紧邻该所选择的字线的多个字线的步骤。在该每存储器单元多位模式下该存储块的操作期间vread与vreadk之间的差值与在该每存储器单元单位模式下该存储块的操作期间vread与vreadk之间的差值不同。

3、根据本公开的又一方面，当该存储块处于该每存储器单元多位模式时，该vread电压与当该存储块处于该每存储器单元单位模式时的vread电压相同。

4、根据本公开的另一个方面，在该存储块在该每存储器单元单位模式下操作的该读取操作期间，施加到紧邻该所选择的字线的这些字线的该第二vreadk电压小于施加到不紧邻该所选择的字线的这些字线的该vread电压。

5、根据本公开的另一方面，该第二vreadk电压小于该第一vreadk电压。

6、根据本公开的又另一方面，当该存储块在该每存储器单元多位模式下操作时，至少三位数据存储在每个存储器单元中。

7、根据本公开的仍另一方面，该方法还包括在对该多个字线中的所选择的字线进行编程操作期间，响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，将第一vsgd电压施加到源极栅极漏极晶体管，并将第一禁止电压施加到耦接到待被禁止编程的存储器单元的多个位线，或响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，将第二vsgd电压施加到该源极栅极漏极晶体管，并将第二禁止电压施加到耦接到待被禁止编程的存储器单元的多个位线的步骤。该第一vsgd电压与该第二vsgd电压不同，并且该第一禁止电压与该第二禁止电压不同。

8、根据本公开的另一方面，当该存储块在该每存储器单元多位模式和该每存储器单元单位模式两者下操作时，至少一个电压参数是相同的。

9、本公开的另一方面涉及一种操作存储器设备的方法。该方法包括准备存储块的步骤，该存储块包括布置在多个字线中的多个存储器单元。该方法继续进行确定该存储块是处于该每存储器单元多位模式还是该每存储器单元单位模式的步骤。在对该多个字线中的所选择的字线进行编程操作期间，该方法包括以下步骤中的至少一个步骤：响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，将第一vsgd电压施加到源极栅极漏极晶体管施加，或响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，将第二vsgd电压施加到该源极栅极漏极晶体管，该第一vsgd电压与该第二vsgd电压不同；以及响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，将第一禁止电压施加到耦接到待被禁止编程的存储器单元的多个位线，或响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，将第二禁止电压施加到耦接到待被禁止编程的存储器单元的多个位线，该第一禁止电压与该第二禁止电压不同。

10、根据本公开的另一方面，在对该所选择的字线进行该编程操作期间，该方法包括响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，将该第一vsgd电压施加到该源极栅极漏极晶体管，或响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，将该第二vsgd电压施加到该源极栅极漏极晶体管中的两者，该第一vsgd电压与该第二vsgd电压不同；以及响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，将该第一禁止电压施加到耦接到待被禁止编程的存储器单元的该多个位线，或响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，将该第二禁止电压施加到耦接到待被禁止编程的存储器单元的该多个位线，该第一禁止电压与该第二禁止电压不同。

11、根据本公开的又一方面，该第二vsgd电压小于该第一vsgd电压，并且该第二禁止电压小于该第一禁止电压。

12、根据本公开的另一个方面，当该存储块处于该每存储器单元多位模式时，至少三位数据被编程到每个存储器单元中。

13、根据本公开的另一方面，当该存储块在该每存储器单元多位模式和该每存储器单元单位模式两者下操作时，至少一个电压参数是相同的。

14、根据本公开的又另一方面，在对该多个字线中的该所选择的字线进行读取操作期间，该方法包括响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，将第一vreadk电压施加到紧邻该所选择的字线的该多个字线的这些字线，或响应于该存储块处于该每存储器单元单位模式，将第二vreadk电压施加到紧邻该所选择的字线的该多个字线的这些字线的步骤。该第二vreadk电压与该第一vreadk电压不同。

15、本公开的又一方面涉及一种存储器设备，该存储器设备包括布置在多个字线中的多个存储器单元。该存储块被配置为在每存储器单元多位模式下操作，并且被配置为在每存储器单元单位模式下操作。该存储器设备还包括控制电路，该控制电路被配置为将数据编程到该存储块的这些存储器单元中，并从该存储块的这些存储器单元读取数据。该控制电路被配置为确定该存储块是在该每存储器单元多位模式下还是在该每存储器单元单位模式下操作。响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，该控制电路将第一vreadk电压中的至少一个第一vreadk电压施加到紧邻所选择的字线的至少一个字线，或将第一vsgd电压施加到源极栅极漏极晶体管，或将第一禁止电压施加到耦接到被禁止编程的存储器单元的至少一个未经选择的位线。响应于该存储块处于该每存储器单元单位模式，该控制电路将第二vreadk电压中的至少一个第二vreadk电压施加到紧邻该所选择的字线的该至少一个字线，或将第二vsgd电压施加到该源极栅极漏极晶体管，或将第二禁止电压施加到该至少一个未经选择的位线。该第一vreadk电压与该第二vreadk电压不同，该第一vsgd电压与该第二vsgd电压不同，并且该第一禁止电压与该第二禁止电压不同。

16、根据本公开的另一方面，该控制电路还被配置为在读取操作中响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，将该第一vreadk电压施加到紧邻该所选择的字线的该至少一个字线。该控制电路还被配置为响应于该存储块处于该每存储器单元单位模式，将该第二vreadk电压施加到紧邻该所选择的字线的该至少一个字线。

17、根据本公开的又一方面，该第二vreadk电压小于该第一vreadk电压。

18、根据本公开的另一个方面，该控制电路还被配置为在编程操作中，响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，将该第一vsgd电压施加到紧邻该所选择的字线的该源极栅极漏极晶体管。该控制电路还被配置为响应于该存储块处于该每存储器单元单位模式，将该第二vsgd电压施加到紧邻该所选择的字线的该源极栅极漏极晶体管。

19、根据本公开的另一方面，该控制电路还被配置为在编程操作中，响应于该存储块处于该每存储器单元多位模式，将该第一禁止电压施加到该至少一个未经选择的位线。该控制电路还被配置为响应于该存储块处于该每存储器单元单位模式，将该第二禁止电压施加到该至少一个未经选择的位线。

20、根据本公开的又另一方面，该控制电路还被配置为当该存储块在该每存储器单元多位模式或该每存储器单元单位模式下操作时，将至少一个电压特征图施加到该存储块。