存储器件及存储器件的编程操作的制作方法

本公开涉及存储器件以及存储器件的操作方法。

背景技术：

1、闪存是一种低成本、高密度、非易失性固态存储介质，可以对该闪存进行电擦除和重新编程。闪存包括nor闪存和nand闪存。可以由闪存执行各种操作，例如，读取、编程(写入)和擦除。对于nand闪存，可以在块级别执行擦除操作，并且可以在页级别执行编程操作或读取操作。

技术实现思路

1、在一个方面，一种存储器件包括：存储单元(memory cell)的列和行的阵列；字线，该字线分别耦合到存储单元的行；位线，该位线分别耦合到存储单元的列；以及外围电路，该外围电路通过位线和字线耦合到存储单元的阵列，并且被配置为基于当前数据页对存储单元的行中的选择行进行编程。每个存储单元被设置为2n个级别中的一个级别，该级别与一段n位数据相对应，其中，n是大于2的整数。外围电路包括分别耦合到位线的页缓冲器电路。每个页缓冲器电路包括：一个高速缓存存储单元(cache storage unit)、n-1个数据存储单元和多用途存储单元。高速缓存存储单元被配置为：在基于当前数据页对选择行进行编程时，顺序地接收当前数据页的n位和下一数据页的n位，并且顺序地存储当前数据页的n位中的一位和下一数据页的n位中的每一位。每个数据存储单元被配置为：在基于当前数据页对选择行进行编程时，顺序地存储当前数据页的n位中的相应一位和下一数据页的n位中的相应一位。多用途存储单元被配置为：在基于当前数据页对选择行进行编程时，存储当前数据页的n位中的至少一位。

2、在一些实现方式中，多用途存储单元被配置为：在基于当前数据页对选择行进行编程时，顺序地存储第一信息以及当前数据页的n位中的第三位至最后一位，该第一信息指示施加到相应位线的电压电平。

3、在一些实现方式中，多用途存储单元被配置为：在基于当前数据页对选择行进行编程时，顺序地存储第二信息以及当前数据页的n位中的第二位至最后一位和第三位至最后一位，该第二信息指示在编程中是否禁用选择行的相应存储单元。

4、在一些实现方式中，页缓冲器电路还包括：数据预处理单元，该数据预处理单元耦合到高速缓存存储单元，并且被配置为基于格雷码(gray code)将原始数据页的n位转换为当前数据页的n位。在一些实现方式中，在格雷码中与一个级别处的“0”相对应的位的第一数量不小于在格雷码中与相邻的更高级别处的“0”相对应的位的第二数量。

5、在一些实现方式中，在格雷码中的2n个级别中的第二级别至最后一个级别处，只有n位中的第二位至最后一位与“0”相对应。

6、在一些实现方式中，为了基于当前数据页对选择行进行编程，外围电路被配置为在2n个级别中的2n-1个级别处顺序地验证选择行。

7、在一些实现方式中，高速缓存存储单元被配置为：在2n个级别中的第(n+1)个级别至最后一个级别处验证选择行之前，存储当前数据页的n位中的最后一位；以及在2n个级别中的最后n+1个级别中的相应一个级别处验证选择行之后，顺序地存储下一数据页的n位中的每一位。

8、在一些实现方式中，多用途存储单元被配置为：在2n个级别中的第三级别至最后一个级别处验证选择行之前，存储非数据页信息；以及在2n个级别中的第三级别至最后一个级别处验证选择行之后，存储当前数据页的n位中的至少一位。

9、在一些实现方式中，数据存储单元中的第(n-1)个数据存储单元被配置为：在2n个级别中的第二级别至最后一个级别处验证选择行之前，存储当前数据页的n位中的第二位至最后一位；以及在2n个级别中的第二级别至最后一个级别处验证选择行之后，存储下一数据页的n位中的第二位至最后一位。

10、在一些实现方式中，外围电路还包括：字线驱动器，该字线驱动器耦合到字线，并且被配置为：对耦合到选择行的字线中的选择字线施加编程电压；以及对选择字线顺序地施加2n-1个验证电压，该2n-1个验证电压与2n个级别中的2n-1个级别相对应。

11、在一些实现方式中，外围电路还被配置为：在基于当前数据页对选择行进行编程之后，基于下一数据页来对存储单元的行中的下一选择行进行编程。

12、在一些实现方式中，以下各项中的每一项包括锁存器：高速缓存存储单元、多用途存储单元和数据存储单元。

13、在另一方面，一种系统包括：存储器件，该存储器件被配置为存储数据；以及存储器控制器，该存储器控制器耦合到存储器件，并且被配置为控制该存储器件。存储器件包括：存储单元的列和行的阵列；字线，该字线分别耦合到存储单元的行；位线，该位线分别耦合到存储单元的列；以及外围电路，该外围电路通过位线和字线耦合到存储单元的阵列，并且被配置为基于当前数据页对存储单元的行中的选择行进行编程。每个存储单元被设置为2n个级别中的一个级别，该级别与一段n位数据相对应，其中，n是大于2的整数。外围电路包括分别耦合到位线的页缓冲器电路。每个页缓冲器电路包括：一个高速缓存存储单元、n-1个数据存储单元和多用途存储单元。高速缓存存储单元被配置为：在基于当前数据页对选择行进行编程时，顺序地接收当前数据页的n位和下一数据页的n位，并且顺序地存储当前数据页的n位中的一位和下一数据页的n位中的每一位。每个数据存储单元被配置为：在基于当前数据页对选择行进行编程时，顺序地存储当前数据页的n位中的相应一位和下一数据页的n位中的相应一位。多用途存储单元被配置为：在基于当前数据页对选择行进行编程时，存储当前数据页的n位中的至少一位。

14、在又一方面，提供了一种用于对存储器件进行编程的方法。该存储器件包括存储单元的行。获得当前数据页的n位，其中，n是大于2的整数。将当前数据页的n位中的一位存储在一个高速缓存存储单元中，并且将当前数据页的n位中的相应一位存储在n-1个数据存储单元中的每一个数据存储单元中。将非数据页信息存储在多用途存储单元中。在2n个级别中的2n-1个级别处顺序地验证存储单元的行中的选择行。在2n个级别中的第三级别至最后一个级别处进行验证之后，将当前数据页的n位中的至少一位存储在多用途存储单元中。在2n个级别的第(n+1)个级别至最后一个级别处验证选择行之后，获得下一数据页的n位。在2n个级别的最后n+1个级别中的相应一个级别处进行验证之后，将下一数据页的n位中的每一位顺序地存储在高速缓存存储单元中。

15、在一些实现方式中，为了获得当前数据页的n位，接收原始数据页的n位，并且基于格雷码将原始数据页的n位转换为当前数据页的n位。在一些实现方式中，在格雷码中与一个级别处的“0”相对应的位的第一数量不小于在格雷码中与相邻的更高级别处的“0”相对应的位的第二数量。

16、在一些实现方式中，在格雷码中的2n个级别中的第二级别至最后一个级别处，只有n位中的第二位至最后一位与“0”相对应。

17、在一些实现方式中，在2n个级别中的第(n+1)个级别至最后一个级别处验证选择行之后更新格雷码，使得在格雷码中的2n个级别中的第n个级别至最后一个级别处，只有n位中的最后一位与“1”相对应。

18、在一些实现方式中，在2n个级别中的最后n个级别中的相应一个级别处验证选择行之后，将下一数据页的n位中的第一位至第二位至最后一位中的每一位顺序地存储在相应数据存储单元中。

19、在一些实现方式中，非数据页信息包括第一信息，该第一信息指示施加到选择行的相应存储单元的电压电平。在一些实现方式中，为了将当前数据页的n位中的至少一位存储在多用途存储单元中，在2n个级别中的第三级别至最后一个级别处验证选择行之后，将当前数据页的n位中的第三位至最后一位存储在多用途存储单元中。

20、在一些实现方式中，非数据页信息包括第二信息，该第二信息指示在编程中是否禁用选择行的相应存储单元。在一些实现方式中，为了将当前数据页的n位中的至少一位存储在多用途存储单元中，在2n个级别中的第三级别至最后一个级别处验证选择行之后，将当前数据页的n位中的第二位至最后一位和第三位至最后一位存储在多用途存储单元中。

21、在一些实现方式中，为了将当前数据页的n位中的一位存储在一个高速缓存存储单元中，在2n个级别中的第(n+1)个级别至最后一个级别处验证选择行之前，将当前数据页的n位中的最后一位存储在高速缓存存储单元中。