存储器单元及存储器装置的制作方法

本公开关于一种存储器单元及存储器装置，尤其涉及一种双晶体管存储器单元及存储器装置。

背景技术：

1、动态随机存取存储器(dynamic random-access memory，dram)的存储器单元例如但不受限于，是单晶体管单电容(1t1c，one transistor-onecapacitor)存储器单元。

2、虽然1t1c存储器单元具有良好可靠度(reliability)与高整合密度(highintegration density)。然而，由于所用的单电容不是可扩展的(scalable)，因为单电容需要存储足够电荷并维持长保持时间(retention time)。因此，单电容需要较大电容尺寸比(aspect ratio)，导致对工艺的挑战。

3、当存储器单元的尺寸缩小时，由于晶体管的截止电流(off-current)会增加，这也限制了dram扩展性(scaling)，因此要维持电流更新时间(currentrefresh time)也变得困难。

4、因此，如何在缩小存储器单元的尺寸时，仍可以维持低截止电流，是本技术领域努力的方向之一。

技术实现思路

1、根据本公开的一方面，提出一种存储器单元，包括：一写入晶体管；以及一读取晶体管，耦接至该写入晶体管，该写入晶体管与该读取晶体管耦接于一存储节点，该存储节点用于存储数据；其中，该写入晶体管与该读取晶体管中至少一个具有一阈值电压调整层，该写入晶体管及/或该读取晶体管的一阈值电压是可调整的。

2、根据本公开的另一方面，提出一种存储器装置，包括：一存储器阵列，包括多个存储器单元、多条第一信号线、多条第二信号线、多条第三信号线与多条第四信号线，所述多个存储器单元耦接至所述多个第一、第二、第三与第四信号线；多个驱动电路，耦接至该存储器阵列，所述多个驱动电路通过所述多个第一、第二、第三与第四信号线而施加多个驱动电压至所述多个存储器单元，以写入或读取所述多个存储器单元；以及多个感应放大器，耦接至该存储器阵列，以感应由所述多个存储器单元所产生的多个读取电流。各所述多个存储器单元包括：一写入晶体管；以及一读取晶体管，耦接至该写入晶体管，该写入晶体管与该读取晶体管耦接于一存储节点，该存储节点用于存储数据；该写入晶体管与该读取晶体管中至少一个具有一阈值电压调整层，该写入晶体管及/或该读取晶体管的一阈值电压是可调整的。

3、为了对本公开的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下：

4、附图说明

5、图1a至图1c显示根据本公开多个实施例的存储器单元的电路图；

6、图2显示根据本公开一实施例的存储器装置；

7、图3显示本公开一实施例的存储器单元的写入晶体管与读取晶体管的电流-电压特征曲线图；

8、图4显示本公开一实施例的存储器单元的写入晶体管与读取晶体管的电流-电压特征曲线图；

9、图5显示本公开另一实施例的存储器单元的写入晶体管与读取晶体管的电流-电压特征曲线图；

10、图6显示本公开另一实施例的存储器单元的写入晶体管与读取晶体管的电流-电压特征曲线图；

11、图7a显示根据本公开一实施例的存储器装置的写入操作；

12、图7b显示根据本公开一实施例的存储器装置的读取操作；

13、图8a显示根据本公开一实施例的存储器单元的二维单晶(2dmonolithic)示意图；以及

14、图8b与图8c显示根据本公开一实施例的存储器单元的三维单晶堆叠(3dmonolithic stacking)示意图。

技术特征：

1.一种存储器单元，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，

3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，

4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，

5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，该存储器单元为二维单晶架构，该写入晶体管与该读取晶体管形成于同一有源层上，而该写入晶体管的一第一端与该存储节点之间以一导电线连接。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，该存储器单元为三维单晶堆叠架构，该写入晶体管形成于一第一层，该读取晶体管形成于一第二层，该第一层与该第二层之间以一导电线连接。

7.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，

8.根据权利要求7所述的存储器单元，其中，

9.一种存储器装置，包括：

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，

12.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，

13.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，该存储器单元为二维单晶架构，该写入晶体管与该读取晶体管的该第一端与该第二端均形成于同一有源层上，而该写入晶体管的该第一端与该存储节点之间以一导电线连接。

14.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，该存储器单元为三维单晶堆叠架构，该写入晶体管形成于一第一层，该读取晶体管形成于一第二层，该第一层与该第二层之间以一导电线连接。

15.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，

16.根据权利要求15所述的存储器装置，其中，

技术总结本公开提供一种存储器单元及存储器装置，该存储器单元包括：一写入晶体管；以及一读取晶体管，耦接至该写入晶体管，该写入晶体管与该读取晶体管耦接于一存储节点，该存储节点用于存储数据；其中，该写入晶体管与该读取晶体管中至少一个具有一阈值电压调整层，该写入晶体管及/或该读取晶体管的一阈值电压是可调整的。技术研发人员：曾柏皓,李峯旻受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/30