存储器件、电子设备以及存储器件的操作方法与流程

本文描述的本公开的实施例涉及半导体存储器，并且更具体地，涉及存储器件、电子器件以及存储器件的操作方法。

背景技术：

1、半导体存储器被分类为：易失性存储器(例如，静态随机存取存储器(sram)或动态随机存取存储器(dram))，其中，当电源关闭时，存储的数据消失；或非易失性存储器(例如，闪存器件、相变ram(pram)、磁ram(mram)、电阻ram(rram)或铁电ram(fram))，其中，即使在电源关闭时，也可以保留存储的数据。

2、近来，正在使用高速存储器件，其中，存储器件的输入/输出速度由于驱动器的输入/输出电容而受到限制。在这种情况下，使用t线圈电路来减少输入/输出电容。然而，t线圈电路可以充当相对于驱动器的电阻，这导致驱动器与存储器件的沟道之间的阻抗失配。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种具有提高的可靠性和提高的性能的存储器件、包括该存储器件的电子设备以及该存储器件的操作方法。

2、根据本公开的一方面，提供了一种存储器件，包括：上拉驱动器，连接在电源电压和第一节点之间；t线圈电路，连接在第一节点和第二节点之间；外部电阻器；以及zq控制器，被配置为对上拉驱动器执行zq校准操作，其中，zq控制器包括：路径选择电路，被配置为选择第一节点和第二节点之中的一个节点；比较电路，被配置为：将由路径选择电路选择的一个节点的电压与上拉参考电压进行比较，并且基于由路径选择电路选择的一个节点的电压和上拉参考电压之间的比较，输出比较结果；以及代码生成电路，被配置为基于比较结果来生成用于驱动上拉驱动器的上拉代码，并且其中，在生成所述上拉代码时，所述外部电阻器连接在第二节点和地电压之间。

3、根据本公开的另一方面，提供了一种存储器件的操作方法，该方法包括：通过将上拉驱动器和t线圈电路之间的第一节点处的第一电压与上拉参考电压进行比较来生成第一上拉代码；通过将t线圈电路和外部电阻器之间的第二节点处的第二电压与上拉参考电压进行比较来生成第二上拉代码；基于第一上拉代码和第二上拉代码，生成与t线圈电路的电阻相对应的偏移代码；以及基于偏移代码和上拉驱动器的目标电阻来生成补偿上拉代码，其中，上拉驱动器、t线圈电路和外部电阻器串联连接在电源电压和地电压之间。

4、根据本公开的另一方面，提供了一种电子设备，包括：输入/输出焊盘；驱动器，被配置为通过输入/输出焊盘来输出数据信号；信号线，包括电连接到驱动器的第一端和电连接到输入/输出焊盘的第二端；以及zq控制器，被配置为基于外部电阻器对驱动器执行zq校准操作，其中，驱动器包括：上拉驱动器，连接在电源电压与信号线的第一端之间；以及下拉驱动器，连接在信号线的第一端与地电压之间，其中，zq控制器被配置为：将外部电阻器与信号线的第二端连接；通过将信号线的第一端的第一电压与上拉参考电压进行比较来生成第一上拉代码；通过将信号线的第二端的第二电压与上拉参考电压进行比较来生成第二上拉码；以及基于第一上拉代码和第二上拉代码来生成与信号线的电阻相对应的偏移代码。

技术特征：

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述路径选择电路被配置为基于zq校准模式的指定来选择所述第一节点和所述第二节点之中的所述一个节点。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述zq校准模式由外部存储控制器基于对应于当生成所述上拉代码时设置给所述上拉驱动器的参考电阻和对应于当驱动所述上拉驱动器时设置给所述上拉驱动器的目标电阻来指定。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，当所述路径选择电路选择所述第一节点时，所述代码生成电路被配置为生成第一上拉代码，并且

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述zq控制器还包括：

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述zq控制器被配置为基于所述上拉驱动器的目标电阻来选择所述第一上拉代码和所述第二上拉代码之中的一个代码，并且

7.根据权利要求4所述的存储器件，还包括：

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述偏移补偿器还被配置为通过基于所述上拉驱动器的目标电阻调整所述偏移代码的补偿量，生成所述补偿上拉代码。

9.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述上拉驱动器包括多个上拉电路，并且

10.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述zq控制器还被配置为：

11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，在所述存储器件的数据传输操作中，所述上拉驱动器和所述下拉驱动器串联连接在所述电源电压和所述地电压之间，

12.根据权利要求10所述的存储器件，还包括：

13.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述zq控制器被配置为：

14.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

15.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

16.一种存储器件的操作方法，所述方法包括：

17.根据权利要求16所述的方法，还包括：

18.根据权利要求17所述的方法，还包括：

19.一种电子设备，包括：

20.根据权利要求19所述的电子设备，其中，所述zq控制器还被配置为：

技术总结公开了一种存储器件，包括：上拉驱动器，连接在电源电压和第一节点之间；T线圈电路，连接在第一节点和第二节点之间；外部电阻器；以及ZQ控制器，为对上拉驱动器执行ZQ校准操作。ZQ控制器包括：路径选择电路，选择第一节点和第二节点之中的一个节点；比较电路，将由路径选择电路选择的一个节点的电压与上拉参考电压进行比较，并输出比较结果；以及代码生成电路，基于比较结果来生成用于驱动上拉驱动器的上拉代码。当生成上拉代码时，外部电阻器连接在第二节点和地电压之间。技术研发人员：丁珉洙,卞辰瑫,金周焕,申殷昔,赵泫润,崔桢焕受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/30