存储器装置和搜索与当前的PVT对应的最佳校准码的方法与流程

本发明构思涉及半导体集成电路，并且更具体地，涉及使用查找表的对应于当前工艺、电压和温度(pvt)的改进的或最佳的校准码搜索方法，以及采用该最佳校准码搜索方法的存储器装置。

背景技术：

1、电子装置包括多个半导体集成电路(或半导体芯片)，并且因此，其硬件构造变得复杂。为了适应电子装置的小型化和/或轻量化的要求，提供了一种多芯片封装件以减少安装部件的数量，在该多芯片封装件中，多个半导体芯片安装在一个封装件中。此外，为了减少或最小化在半导体芯片之间接口的信号的传输时间，信号的摆动宽度正在减小。随着信号的摆动宽度减小，外部噪声对半导体芯片的影响更大，并且由阻抗失配引起的信号反射在接口处变得更严重。半导体芯片配备有zq引脚，并且接收外部zq校准命令以执行zq校准操作，从而控制阻抗匹配以解决阻抗失配。

2、根据更高容量存储器需求的趋势，提供了一种多芯片封装件，在该多芯片封装件中，通过不同通道独立地操作的多个存储器芯片(或管芯)被安装在一个封装件内。在多芯片封装件通道中，存储器芯片中的每一个对发送对应存储器芯片的命令、地址和数据的信号线执行zq校准操作。在一些示例实施例中，执行zq校准操作的次数应与安装在多芯片封装件中的存储器芯片的数量一样多。例如，当八个存储器芯片被安装在多芯片封装件中时，应执行八次zq校准操作，并且多芯片封装件必须在标准规格中指定的zq校准时间期间完成zq校准操作。

3、对每个芯片执行zq校准操作可能花费大量时间，这是降低半导体的操作速度的因素，并且因此，应有利地缩短校准操作所需的时间。通过校准找到的码可能受工艺、电压和温度(pvt)的极大影响。

技术实现思路

1、本发明构思提供了一种使用通过模拟和评估数据获取的工艺、电压和温度(pvt)查找表来缩短校准时间的方法。

2、根据本发明构思的一方面，提供了一种存储器装置，包括：温度到码(t2c)转换器，其被配置为从温度传感器获取温度数据，被配置为从模式寄存器写入(mrw)模块获取规格电压数据，被配置为基于存储的查找表确定与获取的温度数据和规格电压数据对应的校准码，并且被配置为将包括关于确定的校准码的信息的码数据发送到码生成器；码生成器，其被配置为基于从t2c转换器接收的码数据将生成的校准码发送到下拉/上拉设置电路；下拉/上拉设置电路，其被配置为确定多个晶体管的截止和导通以对应于从码生成器接收的校准码，并且被配置为形成下拉/上拉阻抗；以及比较器，其被配置为将由下拉/上拉阻抗和片上终端(odt)电路的阻抗确定的第一输入电压的大小与由电压生成器生成的第二输入电压的大小进行比较，并且基于电压比较的结果将校准码改变信号发送到校准码生成器。

3、根据本发明构思的另一方面，提供了一种存储器装置，包括：温度到码(t2c)转换器，其被配置为分别从温度传感器和模式寄存器写入(mrw)模块获取温度数据和规格电压数据；比较器，其被配置为接收来自片上终端(odt)电路和下拉/上拉设置电路的输入电压以及来自电压生成器的输入电压，该odt电路和下拉/上拉设置电路被配置为接收电源电压；以及校准控制电路，其电连接到t2c转换器和比较器，其中，校准控制电路可被配置为通过使用存储在t2c转换器中的查找表来生成起始校准码，确定是否截止和导通下拉/上拉设置电路中包括的多个晶体管以对应于起始校准码，以及通过使用比较器来确定校准码的增加或减少。

4、根据本发明构思的另一方面，提供了一种使用包括温度到码(t2c)转换器的存储器装置的校准方法，该校准方法包括由t2c转换器获取温度数据、获取规格电压数据、以及基于存储的查找表确定与获取的温度数据和规格电压数据对应的校准码，将包括关于确定的校准码的信息的码数据发送到码生成器，由码生成器生成校准码并将生成的校准码发送到下拉/上拉设置电路，确定下拉/上拉设置电路中的多个晶体管的截止和导通以对应于校准码，从而形成下拉/上拉阻抗，以及将由下拉/上拉阻抗和片上终端(odt)电路的阻抗确定的第一输入电压的大小与由电压生成器生成的第二输入电压的大小进行比较，并基于电压比较的结果将校准码改变信号发送到码生成器。

5、通过缩短校准时间，可提高半导体芯片的操作速度。

技术特征：

1.一种存储器装置，包括：

2.如权利要求1所述的存储器装置，其中，响应于从所述比较器接收到所述校准码改变信号，所述码生成器被配置为将当前的校准码增加或减少单位码，并且被配置为将改变的校准码发送到所述下拉/上拉设置电路。

3.如权利要求2所述的存储器装置，其中，

4.如权利要求3所述的存储器装置，其中，当确定的所述校准码被切换达预定次数或更多次时，所述码生成器被配置为将所述当前的校准码确定为目标校准码而不向所述下拉/上拉设置电路发送所述当前的校准码。

5.如权利要求4所述的存储器装置，其中，

6.如权利要求1所述的存储器装置，其中，所述温度到码转换器被配置为在每个预定周期中从所述温度传感器和所述模式寄存器写入模块获取更新的温度数据和更新的规格电压数据，并被配置为基于所述查找表将与所述更新的温度数据和所述更新的规格电压数据对应的校准码的码数据发送到所述码生成器。

7.如权利要求1所述的存储器装置，其中，所述温度到码转换器被配置为通过模拟所述存储器装置的工艺改变数据、规格电压数据和温度数据来生成所述查找表。

8.如权利要求7所述的存储器装置，其中，所述查找表包括一一对应地与工艺改变数据、规格电压数据和温度数据的任何组合对应的校准码。

9.如权利要求7所述的存储器装置，其中，所述温度到码转换器包括一一对应地与多条工艺改变数据对应的多个查找表，并被配置为基于所述存储器装置的工艺改变从所述多个查找表当中选择一个查找表。

10.如权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器装置包括多个存储器芯片，并且所述存储器装置被配置为顺序地执行所述多个存储器芯片中的每一个的校准。

11.一种存储器装置，包括：

12.如权利要求11所述的存储器装置，其中，所述校准控制电路被配置为：

13.如权利要求12所述的存储器装置，其中，所述校准控制电路被配置为：当所述第一输入电压大于所述第二输入电压时，减少所述校准码；以及当所述第二输入电压大于所述第一输入电压时，增加所述校准码。

14.如权利要求11所述的存储器装置，其中，所述校准控制电路被配置为：

15.如权利要求11所述的存储器装置，其中，所述校准控制电路被配置为在所述校准码切换达预定次数或更多次时将当前的校准码确定为目标校准码。

16.一种使用存储器装置的校准方法，所述存储器装置包括温度到码转换器，所述校准方法包括：

17.如权利要求16所述的校准方法，其中，生成所述校准码并向所述下拉/上拉设置电路发送生成的所述校准码包括：响应于接收到所述校准码改变信号，将当前的校准码增加或减少单位码；以及将修改的校准码发送到所述下拉/上拉设置电路。

18.如权利要求17所述的校准方法，其中，生成所述校准码并向所述下拉/上拉设置电路发送生成的所述校准码包括：

19.如权利要求18所述的校准方法，还包括：当所述校准码被切换达预定次数或更多次时，确定所述当前的校准码为目标校准码，而不向所述下拉/上拉设置电路发送所述当前的校准码。

20.如权利要求16所述的校准方法，其中，向所述码生成器发送所述码数据包括：在每个预定周期从温度传感器和模式寄存器写入模块获取更新的温度数据和更新的规格电压数据；以及基于所述查找表将与所述更新的温度数据和所述更新的规格电压数据对应的校准码的码数据发送到所述码生成器。

技术总结提供了一种存储器装置和一种使用其的校准方法。该存储器装置包括：温度到码(T2C)转换器，其被配置为获取温度数据，获取规格电压数据，确定对应于获取的温度和规格电压数据的校准码，并被配置为将关于确定的校准码的信息发送到码生成器；码生成器，其被配置为将生成的校准码发送到下拉/上拉设置电路；下拉/上拉设置电路，其被配置为确定多个晶体管的截止和导通以对应于从码生成器接收的校准码，并被配置为形成下拉/上拉阻抗；以及比较器，其被配置为将由下拉/上拉阻抗和片上终端电路(ODT)的阻抗确定的第一输入电压的大小与由电压生成器生成的第二输入电压的大小进行比较，并被配置为基于电压比较的结果将校准码改变信号发送到码生成器。技术研发人员：方钟敏受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/4